Samsung Electronicsの半導体事業の業績が伸び悩んでいる。筆者としては「ファウンドリー（半導体受託製造）事業の低迷がより大きな問題ではないか」と分析している。ファウンドリー業界ではIntelがファウンドリー部門の分社化を発表した。ファウンドリー業界は今どうなっているのか、今後はどうなるのか。探ってみる。 2024年10月31日、Samsung Electronics（以下、Samsung）が2024年度第3四半期（7～9月期）決算を発表した。総合電機メーカーである同社の売上高は79兆1000億ウォン、過去最高を記録した。だが、半導体を含むDS（Device Solution）部門の業績は伸び悩んでおり、同部門の営業利益は第2四半期（4～6月期）を下回っている。SamsungはHBM（High Bandwidth Memory）の出遅れを主要因と説明しているが、筆者としては「

TDKは、スピントロニクス技術を活用するニューロモーフィック素子として「スピンメモリスタ」を開発した。AIで多用される積和演算を、GPUに比べて100分の1の消費電力で実行できるという。フランスCEAと東北大学との協業により、2030年の量産技術の確立を目指す。TDKは、スピンメモリスタのデモを「CEATEC 2024」で公開する予定だ。 TDKは2024年10月2日、スピントロニクス技術を用いたニューロモーフィック素子＊）「スピンメモリスタ」を開発したと発表した。AI（人工知能）で使われれる積和演算を、GPUに比べて100分の1の消費電力で実行できるという。センサーと組み合わせて、センサーからのデータをローカルで処理するエッジAIでの活用が期待される。同年10月15日から開催される「CEATEC 2024」（幕張メッセ）で、スピンメモリスタを用いた音声分離のデモを披露する予定だ。 ＊）ス

本格離陸はまだ遠い？ 光電融合技術の最新動向を解説：大原雄介のエレ・組み込みプレイバック（1/4 ページ） 今回は、光電融合技術の一つであるCPO（Co-Packaged Optics）関連の話を取り上げる。IntelとBroadcomは、「Hot Interconnects 2024」「Hot Chips 2024」で最新のCPO技術について講演した。 2024年8月は相変わらずのIntelの苦境が伝えられ、また「Raptor Lake」の問題もまだ解決していないのだが、その辺の話は既にいろいろ報じられているのは見送るとして。NVIDIAの決算が良かったにもかかわらず、投資家からの評判がいまひとつで株価が下がった話も、技術的というよりは財務的な問題であって筆者のカバーする範囲ではないので見送らせていただく。 その代わりと言っては何だが、8月21日から「IEEE Hot Interconn

Intelの業績が冴えない。2024年8月1日に発表された2024年第2四半期（Q2）の決算は、売上高が128.2億米ドルで、営業損失が19.8億米ドル、最終損益が16.1億米ドルといずれも赤字を計上した。加えて、従業員15000人を削減し、配当を停止することも発表された。 Intelの不調は今に始まったことではない。2019年以降の四半期の売上高と営業利益を見てみると、コロナ特需によって2021年に営業利益が増大したが、2022年に入って特需が終焉すると、売上高も営業利益も急降下した。特に営業利益は、2022年Q2以降、ほとんど赤字で推移するようになった（図1）。 その後、2022年11月30日に、Open AIがChatGPTを公開すると、米NVIDIA、米AMD、SK hynixなどが売上高を大きく伸ばす一方、Intelの売上高は横ばいで、営業利益はまたしても赤字に陥った。要するに、

産業技術総合研究所は2024年2月8日、島根大学との共同研究において、温度差の向きと電流の向きを直交可能な、新たな熱電材料を開発したと発表した。 1種類の材料の中で、結晶方位によって電子とホールの移動方向が異なる特性は、ゴニオ極性と呼ばれる。これは材料中を等方的に伝導する電子と、異方的（縦方向のみ）に伝導するホールのバランスにより生じる現象だ。 研究チームは、キャリア密度を制御したMg3Sb2とMg3Bi2の単結晶を作製し、ゼーベック係数の温度変化を計測した。Mg3Sb2はキャリア密度が1018cm－3以下でゴニオ極性を発現し、Mg3Bi2は1019cm－3の高濃度領域でも特性を示すことを確かめた。 また、Mg3Sb2とMg3Bi2は電子フェルミ面が球状であるのに対し、ホールフェルミ面は平らな形状をしている。島根大学が第一原理計算で検証したところ、このフェルミ面の異方性（バンド異方性）が、

RISC-Vはオープンソースの命令セットアーキテクチャで、ライセンス料を支払わずに利用できることから大きな注目を集めています。ところが、RISC-Vを用いたチップの開発で有名な半導体企業「SiFive」が従業員の20％を解雇してチップ設計事業を縮小したことが明らかになりました。 The Risk of RISC-V: What's Going on at SiFive? https://morethanmoore.substack.com/p/the-risk-of-risc-v-whats-going-on 記事作成時点で市場に流通しているCPUのほとんどはx86やArmといった命令セットアーキテクチャをベースに開発されています。このうちx86はIntelやAMDなどの極少数の企業にのみ利用されており、比較的多くの企業に利用されているArmも利用時に巨額のライセンス使用料が発生します。こ

キヤノンは10月13日、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を活用することで先端半導体の回路形成を可能とするナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を商用化、同日より受注を開始したことを発表した。 ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」 (提供:キヤノン) 従来のArFやEUVといった投影露光装置はパターンが形成されたマスクを通った光をウェハ上のレジストに照射することで、回路パターンを形成しているが、NILはマスク(テンプレート)そのものに回路を凹凸で形成、それをハンコのようにレジストに押し当てることで回路パターンを形成する技術。マスクはマスターからレプリカを作成することで何度も使うことが可能なため、デバイスコストの低減を図ることが可能というメリットがある。 同社のNIL技術の源流は2014年に買収したモレキュラーインプリントが開発していたもので

アメリカ時間で9月19日より開催されるIntel Innovation 2023に合わせ、IntelはMeteor Lakeの詳細を解禁した。これを一気に記事化するにはちょっと分量が多いので、何パートかに分けてお届けしたい。まずは懸案であるIntel 4 Processに関してである。 Intel Meteor Lake Intel 4 Processの詳細は、2022年6月のVLSI Symposiumで公開されており、ここでHigh Performance Libraryの詳細なジオメトリとかCOAGの詳細、SDB(Single Diffusion Break)の詳細、配線層のDesign Rule、eCuと呼ばれる、銅配線のわりにCoのライナーをつけ、その外側にTaのバリアを形成した新しい配線構造、密度の上がった配線層などIntel 4 Processの特徴に関してはすでに詳細な説明

フランスの市場調査会社Yole Groupは2023年7月、ガリウムヒ素（GaAs）およびインジウムリン（InP）系化合物半導体に関する市場分析を発表した。同社は民生アプリケーションへの採用拡大が両市場の成長を加速するとしている。 フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）は2023年7月、ガリウムヒ素（GaAs）およびインジウムリン（InP）系化合物半導体に関する市場分析を発表した。同社は民生アプリケーションへの採用拡大が両市場の成長を加速するとしている。 GaAsはコスト面／小型化の利点で再躍進 Yoleによると、2023年第1四半期、データ通信および電気通信市場は、主に過剰在庫とハイパースケーラーおよびクラウドサービスプロバイダーからの光トランシーバー需要の低迷によって急減速。データ通信および電気通信インフラの主要部品であるInP系レーザーを手掛けるメーカーは過剰在

中国商務省と海関総署（税関）は7月3日、国家安全保障と国益の保護を目的に、希少金属のガリウムおよびゲルマニウムの関連製品を輸出管理の対象に加えると発表した。 具体的には金属ガリウム、酸化ガリウム、窒化ガリウムなどを含むガリウム関連8品目と、金属ゲルマニウム、リン化ゲルマニウム亜鉛などを含むゲルマニウム関連6品目について、関連当局の許可を得なければ中国から輸出できなくなる。 輸出規制の施行は8月1日から ガリウムは主にアルミニウム精錬の副産物、ゲルマニウムは褐炭や亜鉛精錬の副産物として抽出され、中国の生産量は前者が世界の約9割、後者が約7割を占めている。現時点の需要量は大きくないが、半導体として優れた特性を持つことから、将来は（電気自動車用パワー半導体など）高性能半導体向けの用途拡大が期待されている。

6月11日から京都で開催されていた2023 Symposium on VLSI Technology and Circuitにおいて、インテルは基板裏面から電源を供給する配線方式「PowerVia」関連の内容を2つ発表した。 1つはT1-1の“E-Core implementation in Intel 4 with PowerVia(Backside Power) Technology”、もう1つがT6-1の“Intel PowerVia Technology: Backside Power Delivery for High Density and High-Performance Computing”である。どちらも似てはいるのだが、後者がPowerVia全体の発表で、前者はこれをIntel 4プロセスに移植した上で、E-coreに実装してみた結果を示したものである。 実はこの件に関