新パワーåŠå°Žä½“「縦型GaNã€ã€ã‚·ãƒªã‚³ãƒ³ä¸¦ã¿ã‚³ã‚¹ãƒˆãŒè¦–野窒化ガリウム（GaN）基æ¿ã®ã‚³ã‚¹ãƒˆå‰Šæ¸›ã«ã¤ãªãŒã‚‹ç ”究開発ãŒé€²ã‚“ã§ã„る。写真ã¯ã€åå¤å±‹å¤§å¦ã®å¤©é‡Žæµ©æ°ã‚‰ã®ç ”究グループãŒé–‹ç™ºã—ãŸãƒ¬ãƒ¼ã‚¶ãƒ¼ã‚¹ãƒ©ã‚¤ã‚¹æŠ€è¡“ã®é©ç”¨ä¾‹ï¼ˆå†™çœŸï¼šåå¤å±‹å¤§å¦ï¼‰ 従æ¥å“よりも電力æ失を大幅ã«å‰Šæ¸›ã§ãる窒化ガリウム（GaN）製ã®ãƒ‘ワーåŠå°Žä½“ç´ åãŒé€²åŒ–ã—ã¦ã„る。最大ã®èª²é¡Œã§ã‚るコストを低減ã™ã‚‹æˆæžœãŒã€å›½å†…ã®å¤§å¦ã‚„ä¼æ¥ãªã©ã‹ã‚‰æ¬¡ã€…ã¨ç™»å ´ã—ã¦ããŸã€‚シリコン（Si）並ã¿ã®ã‚³ã‚¹ãƒˆã«ãªã‚Œã°ã€è‡ªå‹•è»Šã‚„å†ç”Ÿå¯èƒ½ã‚¨ãƒãƒ«ã‚®ãƒ¼ã€ç”£æ¥æ©Ÿå™¨ãªã©ã®åˆ†é‡Žã§ä¸€æ°—ã«åºƒãŒã‚Šã€æ—¥æœ¬ä¼æ¥ãŒGaNãƒ‘ãƒ¯ãƒ¼ç´ åã§ä¸»å°Žæ¨©ã‚’æ¡ã‚Œã‚‹ã€‚ GaNãƒ‘ãƒ¯ãƒ¼ç´ åã¯å¤§ãã2ã¤ã‚る。1ã¤ã¯Siウエãƒãƒ¼ï¼ˆåŸºæ¿ï¼‰ã‚’利用ã—ãŸã€ŒGaN on Si（ガン・オン・シリコン）ã€ã 。電æµãŒæ¨ªï¼ˆæ°´å¹³ï¼‰æ–¹å‘ã«æµã‚Œã‚‹ãŸã‚ã€ã€Œæ¨ªåž‹ã€ã¨å‘¼ã°ã‚Œã‚‹ã€‚米国ã®ã‚¹ã‚¿ãƒ¼ãƒˆã‚¢ãƒƒãƒ—ä¼æ¥ã‚’ä¸å¿ƒã«è£½å“化ã•ã‚Œã¦ãŠã‚Šã€ã‚¹ãƒžãƒ¼ãƒˆãƒ•ã‚©ãƒ³ã‚„ノートPCå‘ã‘ã«å°åž‹ãƒ»é«˜å‡ºåŠ›ã‚’ã†ãŸã†é«˜æ€§èƒ½ãªé›»æºã‚¢ãƒ€ãƒ—ターãª
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トランスフォームã®ç¬¬3世代JEDECæº–æ‹ GaNãŒã€ã‚¦ã‚§ãƒ³ã‚¿ã‚¤ã®æ–°ã—ã„PCゲー..（Transphorm Inc. プレスリリース）
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