FunkTions KeraMik 3

Ingenieurkeramik III

Funktionskeramik

Professur fr
nichtmetallische Werkstoffe
ETH Zrich

Ausgabe 2001
1
1 :Bi-2212 Hochtemperatur Supraleiter
2 2: Keramikschaum fr SOFC
3 3: Impedanzspektrum einer LSM-Kathode
4: Dnnschicht-Elektrolyt fr Niedertemperatur SOFC
4
Inhaltsverzeichnis
1.1 Die Dielektrizittszahl 4
Kap. 1
1.2 Dielektrische Verluste 6
Lineare Dielektrika 1.3 Polarisationsarten 8
1.4 Der Zusammenhang zwischen der
Dielektrizittszahl und der Polarisation 10
1.5 Frequenz- und Temperaturabhnigkeit 14
1.6 Impedanzspektroskopie 24
2.1 Bariumtitanat - der Prototyp ferroelektrischer

Keramiken 34
Kap. 2
2.2 Theorie der Ferroelektrika 37

2.3 Mischkristalle 39
Nichtlineare Dielektrika 2.4 Einfluss eines usseren elektrischen Feldes 41
Dielektrika
2.5 Ferroelektrische Keramik 44

2.6 Einfluss der Korngrsse 46
Kap. 4 Kap. 3
3.1 Keramische Dielektrika 50

3.2 Qualittskriterien 57
Kondensatorwerkstoffe 3.3 Bauformen von Keramikkondensatoren 59
4.1 Grundlagen und Definitionen 62

4.2 Gtekriterium pyroelektrischer Werkstoffe 64
Pyroelektrika 4.3 Pyroelektrische Keramiken 68
4.4 Anwendungen 73
Teil I
5.1 Grundbegriffe 78
Kap. 5
5.2 Die Werkstoffe 84

Piezoelektrika 5.3 Besonderheiten der Technologie 87
5.4 Alterung und Hysterese 88
5.5 Anwendung der Piezoelektrika 90
6.1 Grundlagen 98
Anh. A Kap. 6
6.2 Werkstoffe 107

Elektrooptische Keramik 6.3 Elektrooptische Anwendungen 110
A.1 Kristallographische Betrachtungen 118

Beziehungen zwischen den A.2 Theromdynamische Zusammenhnge 121
nichtlinearen Dielektrika
7.1 bersicht
128
Elektrische Leiter
7.2 Grundlagen
Kap. 7
132
7.3 Metallische Leiter 134
Elektrisch leitfhige 7.4 Defektchemie 137
7.5 Ionische Leiter und Mischleiter
149
keramische Werkstoffe 7.6 Halbleiter
164
7.7 Oberflchen- und 170
Grenzflchenphnomene
8.1 Was ist Supraleitung 183

Kap. 8
8.2 Supraleitende Werkstoffe 185

8.3 Die Physik der Supraleitung 189
Supraleitung 8.4 Supraleiter im Phasenraum Magnetfeld 194
- Temperatur- Strom
8.5 Die London - Gleichung, Eindringtiefe 196
Teil II
und Kohrenzlnge
8.6 Josephson Effekt 198
8.7 Supraleiter im usseren Magnetfeld 201
8.8 Hochtemperatur Supraleiter 209
8.9 Anwendungen 221
Ingenieurkeramik III 1
Funktionskeramiken
Einleitung und berblick
Die Einteilung der keramischen Werkstoffe in Funktionskeramiken

und Strukturkeramiken ist etwas willkrlich aber trotzdem ntzlich.
Haben Strukturkeramiken vornehmlich eine mechanische und
manchmal eine thermomechanische Funktion zu erfllen, so reagieren
Funktionskera-miken auf ein mechanisches, thermisches, elektrisches,
magnetisches oder optisches Signal von aussen (Anregung) mit einem
umgesetzten Signal. Letzteres dient dann oft als Steuer- oder Regel-
signal. Ihre Hauptfunktionen sind Sensor-, Mess- und Regelfunktio-
nen. Aber auch die passiven Bauelemente eines Schaltkreises wie ke-
ramische Widerstnde und Kondensatoren werden zu den Funktions-
keramiken gerechnet.
Schon die elektrisch isolierenden Substratkeramiken, welche ebenfalls

zu den Funktionskeramiken gezhlt werden, zeigen die Willkr dieser
Einteilung auf. So haben sie neben ihrer Funktion als elektrisch isolie-
rende Trger des aktiven Chips auch fr die Ableitung seiner Pro-
zesswrme zu sorgen und fr die mechanische Stabilitt der Zu- und
Ableitungen sowie des gesamten Werkstoffverbundsystems. Sie erfl-
len also neben ihrer Funktion als Isolator hauptschlich thermomecha-
nische Anforderungen.
Material Anregung Antwort Anwendung

Piezoelektrika elektrische Span- mechanische De- Ultraschall
nung formation Beispiele fr Funktionskeramiken
Pyroelektrika Photonen (Wrme- elektrische Oberfl- IR-Sensoren
strahlung) chenladung
Thermistoren
NTC Spannung Strom Regelwiderstnde
PTC Spannung Strom Temperatursensoren
etc.
2 Ingenieurkeramik III
1.Kap
Lineare Dielektrika
Dielektrika sind Isolatoren mit einer Bandlcke die ca. 100 mal grs-
ser als die thermische Energie bei 300 K d.h. > ca. 2.5 eV ist. Sie sind
auch in der Regel durchsichtig (wenn keine Streuung an den Korn-
grenzen vorkommt), d.h. ein Photon von 400 nm Wellenlnge (ca. 3
eV) ist nicht in der Lage ein Elektron-Loch-Paar zu erzeugen. Somit
lsst sich abschtzen, dass die Isolatoren eine Bandlcke von mindes-
tens ~ 2.5 - 3.0 eV haben.
Dies bedeutet nicht, dass mit Dielektrika nichts passiert wenn man sie
in ein elektrisches Feld gibt. Vielmehr bewirkt ein elektrisches Feld
eine Polarisation P des Dielektriums. Unter Polarisation versteht man
eine Verschiebung von Ladungen im Material gegeneinader, z.B.
Elektronen gegenber dem Kern, Anionen gegenber Kationen in ei-
nem Ionekristall oder die Ausrichtung schon vorhandener Dipole, wie
es sie in Wasser gibt.
Zwischen der Polarisation d.h. der Reaktion des Materials auf ein E-
Feld und dem E-Feld kann man lineare (a)und nicht lineare Effekte
(b) beobachten
(a) (b)
Zuerst wenden wir uns den linearen Dielektrika zu.

1.1 Die Dielektrizittszahl

Werkstoff r in Luft
(25C, 106 Hz) Bei Anlegen eines elektrischen Feldes tritt nur eine Verschiebung von
TiO2 c-Achse 89
Ladungen (Polarisation) auf, jedoch keine Wanderung (Migration) von
TiO2 c-Achse 173
Al2O3 c-Achse 9 Ladungstrgern (Elektronen, Ionen).
Al2O3 c-Achse 10 Die Polarisation lsst sich folgendermassen definieren.
MgO 9.6
Mullit 6.5
SiO2 4.0
19
Polarisation: Makroskopisches Dipolmoment pro Volumen.
Bleisilikatglas
MgTiO3 20
CaTiO3 160
SrTiO3 320
BaTiO3 1000-2000 Bringt man zwischen die Platten eines Kondensators einen Isolator, so
Ba(TiZr)O3 10'000
18'000
wird das elektrische Feld im Kondensator geschwcht. Hierdurch wird
Pb(Mg0.3Nb0.7)O3
Teflon 2.1 der Quotient Q/U grsser, weil die Ladung Q unverndert bleibt, und
PVC 4.6 die Kapazitt nimmt somit zu. Dieser Effekt wurde bereits im 18.
H2O 81 Jahrhundert von Faraday entdeckt. Man bezeichnet einen Isolator auch
als Dielektrikum. Daher heisst der konstante Faktor r, um den sich
die Kapazitt erhht, Dielektrizittszahl.
Tabelle 1.1
Dielektrizittszahlen ver-
schiedener Materialien.
Q = C U (1.1) C = r C0 (1.2)
Q Ladung [C] C Kapazitt mit Dielektrikum

C Kapazitt [F] C0 Kapazitt im Vakuum
U Spannung [V] r Dielektrizittszahl
r ist eine dimensionslose Werkstoffkenngrsse. Sie gibt an, wieviel

Ladung mehr auf den Kondensatorplatten gespeichert werden kann,
wenn zwischen ihnen ein Dielektrikum eingefgt ist. Im englischen
Sprachraum wird anstelle von r oft auch verwendet. Sie ist bei Die-
lektrika stets grsser als 1. Die Grsse e = - 1 ist die sogenannte
dielektrische Suszeptibilitt.
Die Schwchung des elektrischen Feldes rhrt daher, dass das Feld des
Kondensators im Dielektrikum ein entgegengesetzt gerichtetes Feld
hervorruft. Dies bedingt, dass das Dielektrikum polarisierbar sein
muss.
Wieso entsteht durch Polarisation im Dielektrikum ein dem usseren
Feld entgegen gerichtetes Feld?
Wie aus Abb. 1.1 zu ersehen ist, kompensieren sich alle Dipolmomen-
te im Innern des Dielektrikums. An den Oberflchen des Dielektri-
kums jedoch, dicht bei den abgrenzenden Kondensatorplatten, entste-
hen Ladungen entgegengesetzten Vorzeichens. Diese Oberflchenla-
Abb. 1.1
dungen erzeugen ein elektrisches Feld, das dem usseren entgegen Die Dipole kompensieren sich im
gerichtet ist und es dadurch schwcht. Die Schwchung wird in Abb. Innern des Dielektrikums. Nur auf
1.2 veranschaulicht. den Oberflchen entsteht Ladung
entgegengesetzten Vorzeichens.
Abb. 1.2
Das Feld im Dielektrikum wirkt
dem Feld des Kondensators entge-
gen und schwcht dieses ab.
Abb. 1.2
1.2 Dielektrische Verluste
Ein idealer Kondensator ohne Dielektrikum zeigt einen unendlich

gros-sen Durchgangswiderstand wenn Gleichspannung angelegt wird.
Wird Wechselspannung angelegt, fliesst ein Blindstrom Ic. Der Strom
Ic eilt der Spannung um einen Phasenwinkel = 90 voraus. Konden-
satoren mit Dielektrikum besitzen einen Komplexwiderstand. Neben
einem Blindstrom Ic fliesst ein Wirkstrom IR.
Abb. 1.3
a) Dielektrische Verluste
b) Kapazitive Zelle
c) Aufladestrom Ic und Verlust-
strom IR , Verlustwinkel
Legt man an ein Dielektrikum ein Wechselfeld mit Potential

V = V0exp(it), so bleiben Feldstrke und Polarisation nicht mehr in
Phase. Ein Teil der Energie geht verloren; das Material erwrmt sich,
weil die Polarisation von + nach und umgekehrt Energie verbraucht.
Zugleich treten dielektrische Verluste auf, die auf Reibungskrfte bei
der Umpolarisation zurckzufhren sind.
Um den Formalismus von Gleichung 1.2 beizubehalten, wird eine
komplexe Dielektrizittszahl r eingefhrt.
r = r - ir (1.3)
r Realteil von r
r Imaginrteil von r, Verlustziffer
Fr Ladung Q und den Blindstrom Ic bei der Spannung V gilt:
Q = CV (1.4) Abb. 1.4

Darstellung der komplexen Die-
Ic = dQ/dt = CdV/dt = iCV(t) = C0 exp{i(t+/2)} lektrizittszahl
Ein Mass fr die dielektrischen Verluste ist der Verlustwinkel .

Als Verlustfaktor d wird tan bezeichnet:
I C r 1 L L Blindleistung
d = tan = = = = (1.5) Lq Wirkleistung

I R r Q Lq
Q Qualittsfaktor (Ver-
hltnis zwischen ge-
speicherter und ver-
lorener Energie)
d = 0 ist der Fall des Kondensators ohne Dielektrikum.
Dielektrische Verluste spielen nicht nur in elektrischen Bauteilen eine

wichtige Rolle sondern werden auch benutzt, um die im Material vor-
herrschenden Polarisationsarten zu bestimmen (siehe Kapitel 1.6).
Allgemein gilt, je hher die Polarisation ist, desto hher ist auch der
Verlustfaktor.
1.3 Polarisationsarten
Um ein besseres Bild der Vorgnge in einem Dielektrikum unter dem

Einfluss eines elektrischen Feld zu erhalten, werden hier die wichtigs-
ten Polarisationsarten und deren Ursache auf atomarer Ebene vorge-
stellt.
Besteht das Dielektrikum aus polaren Moleklen - also Moleklen mit

einem permanenten Dipolmoment (z.B. H2O), so sind diese Dipole
normalerweise vllig zufllig angeordnet. Das ussere elektrische Feld
bt auf die Dipole ein Drehmoment aus, welches die Dipolachsen pa-
rallel zu den Feldlinien ausrichtet. Man spricht daher von Orientie-
rungspolarisation. Auch Ferroelektrika (Kapitel 2) erfllen diese
Anforderung. Hier sind es die permanenten Dipole bzw. ganze Dom-
nen gleichsinnig ausgerichteter Dipole, die sich im elektrischen Feld
ausrichten. In welchem Masse sich die Dipole oder Domnen ausrich-
ten, hngt von der Feldstrke und der Temperatur ab, da die thermi-
sche Bewegung einer festen Ausrichtung der Dipole entgegenwirkt.
Bei Dielektrika mit vorwiegend Orientierungspolarisation (Dipolmo-
lekle) hngt die Temperaturabhngigkeit (Temperatur-Koeffizient)
von der Wrmebewegung der Dipole ab. Es sind sowohl negative wie
auch positive Temperatur-Koeffizienten festzustellen.
Weisen die Molekle kein permanentes Dipolmoment auf, so wird in
ihnen durch das elektrische Feld des Kondensators ein Dipolmoment
induziert. Dabei werden die elektrischen Ladungen der Teilchen, aus
denen die Molekle bestehen (Elektronenhllen und Atomkerne), ge-
geneinander verschoben. Die Schwerpunkte der positiven und negati-
ven Ladungen fallen dann nicht mehr zusammen - aus jedem ur-
sprnglich unpolaren Molekl des Dielektrikums ist ein Dipol gewor-
den. Diese Art der Polarisation von Moleklen heisst Elektronenpo-
larisation. Untersucht man diese Effekte genauer, so stellt man fest,
dass Elektronenpolarisation in allen Materialien auftritt, so dass auch
die Orientierung von polaren Moleklen durch Elektronenpolarisation
berlagert wird.
Handelt es sich bei dem Dielektrikum um ein Ionengitter, so bewirkt
das elektrische Feld des Kondensators eine Verschiebung der positi-
ven und negativen Ladungsschwerpunkte. Aus dem ursprnglich un-
polaren Kristall ist ein Dipol geworden. Man spricht hier von Ionen-
polarisation. Elektronen- und Ionenpolarisation kann man unter dem
Begriff Verschiebungspolarisation zusammenfassen.
Knnen aufgrund von Fehlstellen im Ionengitter einzelne Ionen im
elektrischen Feld wandern, spricht man von Diffusionspolarisation.
Wie die Orientierungspolarisation ist sie ein Relaxationsprozess und
stark von der Temperatur abhngig (hauptschlich wegen ihrer
Beweglichkeit).
Die Raumladungspolarisation unterscheidet sich insofern von den
zuvor beschriebenen Mechanismen, als bei ihr nicht Ladungen ber
atomare und molekulare Distanzen, sondern ber viele Gitterabstnde

hinweg bewegt werden. Das bedeutet, es mssen in rumlich begrenz-
ten Bereichen freie Ladungstrger vorhanden sein, es mssen Leitf-
higkeitsinhomogenitten vorliegen. Dielektrische Keramik weist hu-
fig grosse Unterschiede in der lokalen Leitfhigkeit zwischen dem
Inneren der Krner und der Korngrenzregion auf. Dabei kann je nach
Material entweder die Korngrenzregion oder das Kornvolumen eine
hhere Leitfhigkeit zeigen.
Orientierungspolarisation: z.B. H2O, BaTiO3

In Flssigkeiten, Gasen und Ferroelektrika sind bereits Dipole vor-
handen, die durch das angelegte Feld ausgerichtet werden.
Elektronenpolarisation:
Die Ladungswolke der Elektronen wird gegenber dem Kern ver-
schoben. Hieraus resultiert ein Dipolmoment. Dies tritt immer auf.
Ionenpolarisation: z.B. NaCl

Die Lage der Gitterpunkte wird verschoben.
Diffusionspolarisation: z.B. ZrO2

Sie tritt auf, wenn Ionen im elektrischen Feld eines Festkrpers wan-
dern.
Raumladungspolarisation
Sie tritt auf, wenn im Material in rumlich begrenzten Bereichen freie
Ladungstrger vorhanden sind.
Fr lineare Dielektrika ist das erzeugte Dipolmoment p proportional

zur Strke des angelegten usseren Feldes:
Polarisierbarkeit p= (1.6)
Dabei wird die Polarisierbarkeit genannt; sie ist eine fr das jewei-
lige Dielektrikum charakteristische Grsse.
Die in einem Matereial sich einstellende Polarisation ist in der Regel

die Summe unterschiedlicher Polarisationsmechanismen, die gleich-
zeitig auftreten knnen. So ist z.B. die Elektronenpolarisation in je-
dem Material zu finden.
1.4 Der Zusammenhang zwischen der Die-

lektrizi-ttszahl und der Polarisation
Um ein qualitatives Verstndnis der dielektrischen Eigenschaften zu

erhalten, ist es notwendig, die Beziehung zwischen der Dielektrizitts-
Dielektrische Veschie- zahl und der Polarisation des Materials zu betrachten. Dies kann unter
bung Bercksichtigung der dielektrischen Verschiebung D erreicht wer-
den.
Unter D versteht man die Summe des elektrischen Feld, das sich in
einem Kondensator einstellt ohne dielektrisches Material und der Po-
larisation, die sich im dielektrischen Material einstellen wrde.
D = 0 E + P (1.7)
Da die elektrische Verschiebung D im Material zum E-Feld durch

folgende Gleichung verknpft ist,
D=E (1.8)
mit = o r
kann die Polarisation durch gleichsetzen der Gleichungen (1.7) und

(1.8) ausgedrckt werden
D = E = 0 r E = 0 E + P (1.9)
Hieraus definiert sich die Polarisation
P = (r - 1) 0 E (1.10
P = e 0 E (1.11)
Diese Gleichung liefert die gewnschte Beziehung zwischen Dielekt-

zahl und der Polarisation im Material auf makroskopischer Ebene.
Wnschenswert wre eine Beziehung zwischen r und der Polarisier-

barkeit des Materials auf mikroskopischer Ebene, d.h. zwischen den
Elementardipolen und der Dielektrizittszahl r. Dies lsst sich durch
folgende berlegung erreichen.
Die Polarisation P ist gleich dem totalen Dipolmoment, das im Mate-

rial durch ein elektrisches Feld induziert wird.
P = Ni i (1.12)
Ni Anzahl der Dipole des Types i

i durschnittliches Dipolmoment des Types i
Das durchschnittliche Dipolmoment der Ladungstrger ist proportio-

nal zum lokalen Feld Eloc, welches auf den einzelnen Ladungstrger
im Material wirkt.
i = i Eloc (1.13)
wobei i die Polarisierbarkeit des einzelnen Bausteins bezeichnet.
Damit wird die Gesamtpolarisation zu:
P = E loc Nii (1.14)
Fr Gase mit kleinen molekularen Wechselwirkungen ist das lokale

Feld Eloc gleich dem usseren angelegten Feld Ea. Man kann sich aber
leicht vorstellen, dass fr dielektrische Feststoffe die Polarisation des
umgebenden Mediums die Grsse des lokalen Feldes betrchtlich
beinflusst. Mosotti war der erste, der den Beitrag des lokalen Feldes
herleitete, indem er die der Normalkomponente des Polarisationsvek-
tor ber die Oberflche einer sphrischen Hohlraumes im Material
integrierte (siehe Abschnittsende). Als Resultat ergibt sich:
P
E loc = E a + (1.15)
3 0
Dies eingesetzt in Gleichung (1.14) liefert:
P
N i i = (1.16)
P
Ea +
3 0
Substituion der Polarisation P mit Gleichung (1.10) liefert:

Clausius-Mosotti Glei-
chung r 1 N i i
= (1.17)
r + 2 3 0
Dieses Resultat ist die klassische Clausius-Mosotti-Gleichung, welche

die Beziehung zwischen der Dielektrizittszahl eines Materials und
der Anzahl an polarisierbaren Spezies Ni und der Polarisierbarkeit der
Spezies i beschreibt.
Wie bereits gesehen, knnen unterschiedliche Polarisaionsmechanis-
men in einem Material gleichzeitig vorliegen und sich berlagern.
NiI bedeutet somit:
Nii = Noo + Nee + Nii + Ndd (1.18)
mit Index o, e, i , d und r fr Orientierungspolaristion, Elektronenpola-

risation, Ionenpolarisation, Diffusionspolaristion und Raumladungs-
polarisation. Hiermit ist die Polarisation auf atomarer Ebene mit der
makroskopisch messbaren Grsse r verknpft.
Kurze Herleitung des lokalen Feldes Eloc

(eine ausfhrliche Herleitung findet sich im Kittel oder in Festkrper-
physik von J.R. Christman)
Unter dem lokalen Feld versteht man die Summe aus dem usseren
Feld und den Feldern, die durch die Dipole hervorgerufen werden, mit
Ausnahme des betrachteten Dipols.
Um das lokale Feld an einem Atom zu bestimmen, stelle man sich
eine Kugel mit dem Radius R vor, deren Mittelpunkt das entsprechen-
de Atom ist (siehe Abb. 1.5).
Abb. 1.5
Das lokale Feld in einem Die-
lektrikum: Ein Dipol befindet sich
bei A.. Man stelle sich eine Kugel
mit dem Radius R vor, deren Mit- A
telpunkt in A liegt. Die Felder der
Dipole innerhalb der Kugel wer- R
den einzeln berechnet. Das Feld
der Dipole ausserhalb der Kugel
wird durch das makroskopische
Feld angenhert, das sie erzeugt.
Abb. 1.5
Wenn R gengend gross gewhlt wird, ist der Beitrag des Materials
ausserhalb der Kugel zu dem lokalen Feld im Zentrum nahezu gleich
dem makroskopischen Feld. Da das Material einheitlich polarisiert ist,
wird das makroskopische Feld durch die Polarisationsladung auf der
Oberflche der Probe und der Oberflche der Kugel erzeugt. Wir be-
trachten die Atome innerhalb der Kugel dagegen als diskrete Dipole
und summieren die Felder, die sie produzieren. Insgesamt wird das
lokale Feld beschrieben durch
Eloc = Ea + E1 + E2 + E3 (1.19)
Ea ist das aussen angelegte Feld, E1 ist das Feld infolge der Polarisati-
onsladung auf der Probenoberflche, E2 ist das Feld infolge der Polari-
sationsladung auf der Kugeloberflche, und E3 ist das Feld infolge der
Dipole innerhalb der Kugel. Ea + E1 bilden das makroskopische Feld
E.
Lorenz berechnete zuerst das Feld E2, das von den Polarisationsladun-
gen auf der Oberflche der Kugel herrhrt. Das elektrische Feld im
Mittelpunkt der Kugel ist dann:
E2 = P/30 (1.20)
Gleichung (1.19) wird deshalb zu.
Eloc = E + P/30 + E3 (1.19)
Ist die Umgebung des Atoms im Ursprung kubischer Symmetrie, dann

gilt E3 = 0 und Gleichung 1.19 wird zu Gleichung 1.15.
1.5 Frequenz- und Temperaturabhngigkeit
Alle Polarisationsarten sind mit Umlagerungen auf atomarer Ebene

verbunden. Diese brauchen Zeit und sind somit abhngig von der an-
gelegten Frequenz. Besonders im Frequenzbereich, in dem die einzel-
nen Polarisationsarten dem usseren Feld nicht mehr folgen knnen,
treten hohe dielektrische Verluste auf. Diese Bereiche liegen je nach
Polarisationsart bei unterschiedlichen Frequenzen. Dies lsst sich auch
zu ihrer Erkennung (Unterscheidung) benutzen, indem man z.B. die
Leitfhigkeit oder Impedanz in Abhngigkeit der Frequenz misst (Im-
pedanzspektroskopie).
Fr den Fall der Elektronen- und Ionenpolarisation (Verschie-

bungspolarisation) verhalten sich die Elektronen und Ionen in einer
ersten Annherung wie Massen an einer Feder, so dass ihre Rckstell-
kraft proportional zur Auslenkung ist. Da der Polarisationsvorgang mit
Energieverlusten verbunden ist, wird ein Verlustfaktor in die Bewe-
gungsgleichung mit aufgenommen. Somit gehen wir von einem ge-
dmpften schwingenden geladenen Massepunkt aus, dessen Bewe-
gungsgleichung lautet:
2 x x
m 2 + m + m 20 x = Q E 0 exp(it ) (1.20)
t t
dabei ist:
2 x
m 2 = Trgheitskraft
t
x
m = Reibungskraft
t
m0 x
2
= elastische Federkraft
Q = Ladung
E 0 exp(it ) = Wechselfeld mit Anregungsfrequenz
Fr E0 msste man natrlich das lokale Feld einsetzen und nur im Fal-
le eines Gases wre dieses gleich dem angelegten Feld. Im Folgenden
wird angenommen, es handle sich um N wasserstoffhnliche Atome
pro Einheitsvolumen, fr die gilt Q = -e.
Als Lsung ergibt sich:

e E 0 exp(it )
x (t ) =
m(( 20 2 ) + i )
(1.21)
Der induzierte Dipol (t) (hier komplex!) ist die Auslenkung x(t) mal
der Elementarladung -e
( t ) = N ( e) x ( t ) = E ( t ) (1.22)
und mit = - 1 folgt
Ne 2 1
*
e = 2 (1.23)
m 0 ( 0 ) + i
2
sodass
Ne 2 1
*
r = 1+ 2 (1.24)
m 0 ( 0 ) + i
2
ist, wobei r die Suszeptibilitt fr den Grenzfall sehr hoher Fre-

quenzen ist.
Trennen wir Real- und Imaginrteil folgt
Ne 2 20 2
r 1 = 2 2 2 (1.25)
m 0 ( 0 ) +
2 2
Ne 2
r = 2 2 2 (1.26)
m 0 ( 0 ) +
2 2
deren graphische Darstellung in Abb. 1.6 gegeben ist.
Als Lsungen erhlt man:

Abb. 1.6
Real- und Imaginrteil der Suszep-
Ne 2 1 tibilitt bei der Elektronen-
= 0 1 = 2 = e und = 0
m 0 0 + 2 polarisation. 0. e ist der Anteil
der Elektronenpolaristaion an der
1 Ne 2 Gesamtpolarisation.(siehe Abb.
= 0 1 = 0 und = (1.27)
0 m 0 1.11)
1 0
Dies haben wir nun ohne die Bercksichtigung des lokalen Feldes ge-
macht. Bercksichtigen wir dieses nun, bleibt sich alles gleich, ausser
dass sich die Frequenz 0 etwas verschiebt. Fr Ionen wrde fr
Q = z(-e) gelten, mit z gleich der Wertigkeit des Ions.
Die Resonazfrequenz 0 der Verschiebungspolarisation ndert sich

nicht mit der Temperatur.
Im Bereich der optischen Frequenzen ist es fast ausschliesslich die

Elektronenpolarisation, welche die Dielektrizittskonstante hervorruft.
Ein ionischer und Dipolbeitrag ist wegen der Trgheit der Molekle
oder Ionen bei hohen Frequenzen klein. 0 der Elektronenpolarisation
liegt ungefhr bei = 10131015 Hz.
Material r n
2
n Ist die Elektronenpolarisation der einzige Beitrag zu r, so gilt die
C-Diamant 5.7 5.8 2.4 Maxwellsche Beziehung:
Ge 16 16.7 4.09
NaCl 5.9 2.4 1.54
Beitrag von Ionenpolarisation n2 = r (1.28)
H2O 81 1.77 1.33 n = Brechungsindex
Beitrag der Orientierungspolarisation
Gleichung 1.17 vereinfacht sich dann zu

Tabelle 1.2
Dielektrizittskonstanten und
Brechungsindizes verschiedener n 2 1 N i i
= (1.29)
Materialien. n2 + 2 3 0
Aus dieser Beziehung lassen sich fr eine grosse Zahl von Kristallen
empirische Werte der elektrischen Polarisierbarkeit bestimmen.
Betrachtet man die Orientierungspolarisation in einen Festkrper

mit permanenten Dipolen auf Gitterpltzen in einem elektrischen Feld,
so versucht dieses, die Dipole auszurichten. Fr eine Vereinfachung
der Rechnung soll angenommen werden:
das permanente Dipolmoment eines Dipols ist Temperatur- und
Feld unabhngig.
das lokale Feld wird vernachlssigt.
die Dipole knnen frei rotieren und somit jede Ausrichtung bezg-
lich dem Feld einnehmen.
Bei der Ausrichtung der Dipole im E-Feld haben wir zwei Probleme
zu bercksichtigen, a) ein thermisches und b) ein zeitliches. Der Aus-
richtung der Dipole im E-Feld wirkt ihre thermische Bewegung entge-
gen, die eigentlich eine Gleichverteilung der Dipolrichtungen zur Fol-
ge hat. Das zeitliche Problem kommt ins Spiel mit der Trgheit und
der Reibung. Wird ein Feld angelegt, dann gehen die Dipole nicht ver-
zgerungsfrei in ihre neue, ausgezeichnete Richtung, sondern mit ei-
ner zeitlichen Verzgerung (Relaxation). Ebenso werden die Dipole
beim Abschalten eines Feldes erst nach einer gewissen Zeit wieder
vollkommen regellos orientiert sein.
a) Thermisches Problem
Dem Bestreben des E-Feldes, die Dipole auszurichten, wirkt die

thermische Bewegung entgegen. Die potentielle Energie eines Di-
pols in einem Winkel zum Feld ist:

U pot = E = E cos (1.30)
Die Anzahl Dipole N, die in einem Winkel zum Feld ausgerichtet

sind (Abb. 1.7), ergibt sich ber die Bolzmann-Verteilung und mit
d = 2 sin d (1.31)
zu Abb. 1.7
U E cos
N = A exp d = A exp d (1.32)
kT kT
k Bolzmankonstante
Jedes der Dipole trgt zur Gesamtpolarisation mit cos bei.

Fr den aussenstehenden Betrachter erscheint, es als ob jedes Mo-
lekl ein durchschnittliches Dipolmoment trgt.
E cos
A exp ( cos ) 2 sin d

kT
= (1.33)
E cos
A exp
kT
2 sin d

Als Ergebnis der Integration erhlt man:
1
= coth x
x
1
= coth x = L( x ) (1.34) L(x) = Langevin Funk-
x
tion. Ntzlich bei der
E Beschreibung des St-
mit x =
kT tigungsverhaltens der
Orientierungspolarisa-
Die Funktion L(x) beschreibt das Verhltnis des gemittelten Di- tion
polmoments zum Dipolmoment eines einzelnen Dipols in Ab-
hnigkeit der Temperatur und des E-Feldes. Diese Funktion ist be-
kannt unter dem Namen Langevin Funktion.
Die Langevin Funktion ist in Abb. 1.8 dargestellt. Durch diese
Funktion ausgedrckt ist die Gesamtpolarisation P gegeben durch
P = N
P=N L(x)
(1.35)
N Anzahl der Dipole pro Volumen
Abb. 1.8
Die Langevinfunktion beschreibt
die Orientierungsverteilung von
Dipolen, die in einem elektrischen
Feld ausgerichtet werden gegen
die thermische Gleichverteilung
Abb. 1.8
Bei niedrigen Temperaturen und hohen Feldern ist x>1 und L wird
nahezu 1. D.h. alle Dipole sind in Feldrichtung ausgerichtet und die
Polarisation erreicht ihren Maximalwert N. Man sagt, die Polari-
sation sei gesttigt. Bei mittleren Feldern und Raumtemperatur ist
x<<1 und die Langevin Funktion kann durch L(x) = x/3 approxi-
miert werden, wodurch der Festkrper nun als lineares Dielek-
trikum behandelt werden kann.
1
Fr L( x) = x folgt:
3
2
= E
3kT
(1.36)
2
P = N = N E
3kT
durch Gleichsetzen mit Gleichung 1.10 und 1.11 erhlt man:
P = (r - 1) 0 E (1.10)
P = e 0 E (1.11)
N
= ( r 1) = (1.37)
0
Gleichung 1.35 ist eigentlich eher fr Gase und Flssigkeiten ge-

eignet, da die inneren Wechselwirkungen in einem Festkrper die
Dipolorientierung auf wenige Richtungen begrenzen, zwischen de-
nen hohe Energiebarrieren existieren.
b) Zeitliches Problem
Beim Anlegen eines Feldes werden die Dipole durch die Raumla-
dungswolken der anderen Gitterpltze bei der Ausrichtung gehin-
dert. Es dauert einige Zeit bis die Dipole ausgerichtet sind und bis
der Endwert erreicht ist. Nach der Relaxationszeit ist 1-1/e des
Endwertes erreicht. Der Endwert wird bei einer bestimmten Tem-
peratur und E-Feld wie gesehen durch die Langevin-Funktion ge-
geben und wird im folgenden durch ihre lineare Approximation
dargestellt.
Ist nun das lokale elektrische Feld eine zeitliche Funktion, also fre-
quenzabhngig, so wird bei der Relaxationsfrequenz
r r = 1/ eine
Absorption auftreten. Ist >> r tritt ( t ) gar nicht auf, d.h. das
ussere Feld kann mit den Dipolen gar nicht in Wechselwirkung
treten, da es einfach zu schnell ist.
Fr den Fall < r findet eine Wechselwirkung statt und die Re-
laxationsdifferentialgleichung ergibt sich wie folgt:
d ( t ) 2E
+ (t ) = (1.38)
dt 3kT
daraus ergibt sich:
2 E t
(t ) = 1 exp (1.39)
3kT
Fr E = E 0 e it erhlt man als Lsung der Differentialgleichung
2 E 0 e it 1
(t ) = (1.40)
3kT 1 + i
Eingesetzt in Gleichung 1.37 ergibt sich:
N N 2 E 0 e it
or = ( or i or ) = = (1.41)
0 0 3kT (1 + i )
Hieraus folgt dann fr r und r

cos t sin t
or = A
1+ 2 2
cos t sin t
or = A (1.42)
1+ 2 2
N 2 E 0
mit A =
0 3kT
fr 0 ist or=A= or
or=0
fr ist or=0
or=0
fr r.r = 1 Resonanz- bzw. Dispersionsfall.
Abb. 1.9
Dispersionsvorgang mit Relaxa-
tionsfrequenz (r) und Relax-
ationszeit (R) bei einer Dipol-
Feld-Wechselwirkung. or ist der
Anteil der Orientierung-
spolaristaion an der Gesamt-
r
polarisation (siehe Abb. 1.11).
Abb. 1.9
Die Relaxationsfrequenz ist r = 1/.

Die Lage der Relaxationsfrequenz ist also im Gegensatz zur Reso-
nanzfrequenz bei der Verschiebungspolarisation sehr stark von der
Temperatur abhngig. Die Relaxationsfrequenz hngt mit
Q
= 0 exp (1.43)
kT
von der Temperatur ab.
Die Diffusionspolarisation beschreibt den langsamen Platzwechsel

eines Ions im Festkrper unter Einwirkung eines elektrischen Feldes.
Im Gegensatz zur Verschiebungspoalrisation sind die Diffusionspola-
risations- und -depolarisationsprozesse relativ langsam und temperatu-
rabhnig.
Die Diffusionspolarisation Pd nhert sich in der Zeit ihrem Wert Pds,

den sie in einem statischen Feld nach einschalten des Feldes zur Zeit t
= 0 annehmen wrde. Es wird angenommen, dass Pd(t) sich proportio-
nal zur Differenz zur Sttigungspolarisation ndert, also gilt:
Pd (t ) 1
t
(
= Pds P (t )

) (1.44)
Aus der Integration mit P(t = 0) = 0 folgt:

t
Pd (t ) = Pds 1 exp (1.45)

mit der Relaxationszeit .
Will man nun zustzlich ein usseres Wechselfeld bercksichtigen, so

wird Pds zeitabhnig. Da das lokale Feld zeit- und ortsabhnig ist, wird
seine Abschtzung sehr schwierig. Um es zu vereinfachen soll hier ein
Polarisationsfeld der Form E* = E0 eit angenommen werden.
Unter Verwendung von Gleichung 1.10 lsst sich Pds ausdrcken:
Pds = ( rs r ) 0 E * (1.46)
rs Dielektrizittszahl fr niedere Frequenzen
r Dielektrizittszahl fr sehr hohe Frequenzen
Das Einfhren der Dielektrizittszahlen fr niedere und hohe Frequen-

zen vereinfacht die folgende Rechnung.
Eingesetzt in Gleichung 1.44 ergibt dies
Pd (t ) 1
= (( rs r ) 0 E * Pd (t )) (1.47)
t
Integration der Gleichung fhrt zu
t rs r
Pd (t ) = K exp + E* (1.48)
1 + i 0
Wird der erste, zeitlich kurze bergangsterm vernachlssigt, so gilt

durch Vergleich mit Gleichung 1.10
rs r
r = 1 +
1 + i

r 1 = rs 2 r 2 (1.49)
1+

r = ( rs r )
1+ 22
Die letzten zwei Gleichungen sind die Debye-Gleichungen und sind

hnlich den Gleichungen fr die Orientierungspolarisation.
d
Abb. 1.10
Die Debye-Relaxation.
d ist der Anteil der Diffusi-
onspolaristaion an der Gesamtpo-
larisation (siehe Abb. 1.11).
Abb. 1.10
Die Relaxationsfrequenz ist r = 1/.

Die Temperaturabhngigkeit der Relaxationszeit ist wiederum gege-
ben durch
Qa
= 0 exp (1.50)
kT
wobei Qa die Aktivierungsenergie fr die elektrische Leitfhigkeit

durch die Ionen darstellt.
Fr Glser und Sauerstoffionenleiter wurden auch tatschlich die glei-
chen Aktivierungsenergien gefunden wie fr die Volumendiffusion.
Bei der Orientierungspolarisation und Diffusionspolarisation ndert

sich die Relaxtionsfrquenz r mit der Temperatur.
Ein berblik ber die wichtigsten Wechselwirkungen gibt Abb. 1.11.
Wie zu erkennen ist, knnen die permanenten Dipole im Hochfre-

quenzgebiet (102 - 108 Hz) den Richtungsnderungen des elektrischen
Feldes nicht mehr folgen. Der von Ionen herrhrende Polarisationsme-
chanismus fllt im Infrarotgebiet (1010 - 1013 Hz) aus. Die Elektronen-
polarisation findet man in allen Feststoffen bis zu optischen Frequen-
zen von 1016 Hz (Ultraviolett). Die Dipolorientierungen verursachen
Relaxationsverluste, die Resonanzschwingung der Ionen und Elektro-
nen verursacht Resonanzverluste.
Die Diffusionspolarisation fehlt in dieser Darstellung. Sie wrde mit
ihrer Relaxation zwischen der Orientierungspolarisation und der ioni-
schen Resonaz liegen.
Abb. 1.11
Frequenzabhngigkeit der elektri-
schen Suszeptibilitt und der Ver-
luste in Dielektrika. Die Darste-
llung gibt die Verhltnisse stark
vereinfacht wieder. In der Realitt
treten meist mehrere Polarisatio-
nen des gleichen Grundtyps mit
unterschiedlichen Dispersionsfre-
quenzen auf, so dass sehr kom-
plexe Strukturen entstehen.
Abb. 1.11
1.6 Impedanzspektroskopie
Die Impedanzspektros- Je nach Werkstoff knnen verschiedene Arten der im vorhergehenden

kopie ist die Messung Kapitel behandelten Dispersionen auftreten. Mit Hilfe der Impedanz-
des Wechselstrom- spektroskopie knnen die verschiedenen Beitrge zur Gesamtdisper-
widerstandes in Funk- sion getrennt und ihre jeweiligen Betrge ermittelt werden.
tion der Frequenz. Die ersten Impedanzmessungen stammen aus der Elektrochemie, heu-
te erfolgt damit z.B. auch in der Halbleitertechnik die Bestimmung
von Ladungstrgerprofilen in einem Festkrper/Elektrolyt - System;
die Untersuchung der Gte von Beschichtungen in der Lebensmittel-
technologie oder die Charakterisierung von Elektrodenverlusten in
Brennstoffzellen.
Die Impedanzspektroskopie ist ein bekanntes und weit verbreitetes
Verfahren aus der Grenzflchen- und Festkrperanalytik. Ein wesent-
licher Vorteil ist die zerstrungsfreie Messung mit recht geringem
prparativem Aufwand und die Mglichkeit, gleichzeitig verschiedene
Eigenschaften von mehrkomponentigen Festkrpersystemen wie z.B.
innere Grenzflchen und Kontaktanteile zu bestimmen. Auch an
fest/flssigen (z.B. Korrosion) und fest/gasfrmigen Systemen wird
das Verfahren angewandt.
1.6.1 Messprinzip
Die Impedanzspektroskopie ist ein dynamisches Messverfahren, bei
dem das zu untersuchende System mit einem frequenzmodulierten
Signal angeregt und die Systemantwort mit der Anregung verglichen
wird. Die nderung in der Amplitude und Phase wird dann protokol-
liert. Es ergibt sich im allgemeinen eine frequenzabhngige, komplexe
bertragungsfunktion ~ (i ) fr das System aus Ausgangssignal divi-
diert durch das Eingangssignal
~
~ X out (i )
(i ) = ~ (1.51)
X in (i )
Bei der Impedanz ist das Eingangssignal die angelegte Spannung und
das Ausgangssignal die Stromantwort. Das heisst, die Impedanz ist der
Impedanz Wechselstromwiderstand eines elektrischen Schaltkreises. Als Admit-
Admittanz tanz wird die Wechselstromleitfhigkeit eines Schaltkreises bezeich-
~
net. Dabei gilt bei Anlegen einer Wechselspannung U = U 0 e it mit
einer festen Winkelfrequenz = 2 und fr einen Strom mit einer
Phasenverschiebung um den Winkel bei dieser Frequenz fr die
Impedanz
~
~ U ( )
Z (i ) = ~ = Z 0 e i (1.52)
I ( )
Dabei ist Z0 der Betrag der Impedanz bei dieser Frequenz. Dieser
Term lsst sich in Real- und Imaginrteil aufspalten
~
Z ( ) = Z 0 (cos i sin ) (1.53)
Fr die einfachsten Bauelemente ergeben sich fr beliebige Winkel-
frequenzen die folgenden Impedanzen:
ohmscher Widerstand: Z = U0 / I0
~
Kapazitt: Z ( ) = 1 / iC
~
Induktivitt: Z ( ) = iL
Bei nicht idealen Bauteilen wird zustzlich ein Konstant-Phasen-
Element (CPE: constant phase element) eingefhrt mit:
~
CPE: Z = A /(i ) n
Fr n = 1 und A = 1/C geht dieses CPE in eine ideale Kapazitt, fr n
= 0 und A = R in einen idealen ohmschen Widerstand ber. Fr n = -
1 und A = L erhlt man eine ideale Induktivitt. Fr n = 0.5 erhlt man
die sogenannte Warburg-Impedanz
~
Z W = A +i (1.54)
2 2
Hier erfllen Real- und Imaginrteil der Impedanz eine Geradenglei-

chung mit der Kreisfrequenz als Parameter. Sie wird benutzt um
diffusionskontrollierten elektrischen Ladungstransport zu beschreiben.
Abb. 1.12 zeigt den Impedanzplot eines elektronischen Schaltkreises
bestehend aus einem ohmschen Vorwiderstand (RE) und einem RC
Glied (RPol und Cdl). Der Schnittpunkt mit der x-Achse bei hoher Fre-
quenz ergibt RE, da der Kondensator bei hoher Frequenz keinen Wi-
derstand darstellt. Gegen tiefe Frequenzen erhlt man die Summe aus
RE und RPol, da jetzt der Kondensator sperrt.
Abb. 1.12
Das Ersatzschaltbild und der da-
- Z
Z zugehrige Impedanzplot fr einen
R
E R
P
RPol RC Schaltkreis mit vorgeschalte-

tem ohmschen Widerstand.
RE
Cdl RE RE+RPol Z
Die Gesamtimpedanz einer Kombination von Bauelementen lsst sich

gemss den Kirchhoffschen Gesetzen errechnen. Bei Serienschaltung
ist sie die Summe der Impedanzen und bei Parallelschaltung die
Summe ihrer Kehrwerte. Es ergibt sich z.B. fr ein RC-Glied (in Rei-
he geschaltet)
~ 1
Z ( ) = R + (1.55)
iC
in Parallelschaltung ergibt sich fr die Impedanz
~ 1
Z ( ) = (1.56)
1
+ iC
R
Ein weiteres Beispiel fr einen elektrischen Schaltkreis mit dem ent-
sprechenden Impedanzplot ist in Abb. 1.13 dargestellt. Er re-
prsentiert ein elektrochemisches System mit einem Elektrolyt-
widerstand (Re), einer Doppelschichtkapazitt (Cd), einem Ladungs-
transferwiderstand (Rct) und einem Diffusionsschicht (WB).
Abb. 1.13 - Z
Z
Ersatzschaltbild und Impedanzplot
fr einen elektrochemischen Pro- Rct WB
zess mit ohmschen Elektrolyt-
widerstand (RE), Ladungstransfer- RE
widerstand (Rct), Doppelschichtka-
pazitt (Cd) sowie Diffusions-
schicht (WB). Cdl RE RE+Rct Z
Fr die Anregung mit einer Wechselspannung mssen folgende Rand-

bedingungen erfllt sein:
1. Linearitt: Es muss beachtet werden, dass im allgemeinen kein
linearer Bezug zwischen Eingans- und Ausgangssignal besteht und
die Bedingung fr Linearitt nur fr kleine Strungen erfllt ist. Es
werden deshalb typischerweise Amplituden im Bereich von 1 50
mV angelegt.
2. Stabilitt: Das zu untersuchende System darf whrend der Mess-
zeit seine elektrochemischen Eigenschaften nicht ndern. Bei lang-
samen zu Prozessen, d.h. mit Zeitkonstanten im mHz Bereich, er-
geben sich Messzeiten von Stunden die hohe Anforderungen an
die Stabilitt des Systems stellen.
3. Kausalitt: Diese fordert den unmittelbaren Zusammenhang von
Systemanregung und antwort. Mit Hilfe der Kramers-Kronig Re-
lation lsst sich der Realteil aus dem experimentell ermittelten
Imaginrteil berechnen (und umgekehrt) und sich mit den experi-
mentell ermittelten Daten vergleichen.
4. Endlichkeit: Bei sehr kleinen Frequenzen ( 0: dies entspricht

Gleichspannung) muss sich ein stationrer Zustand im System ein-
stellen.
1.6.2 Darstellungsarten
Dargestellt wird die Impedanz Z() gewhnlich im Bode Diagramm
oder im Nyquist Diagramm (Complex Plane Plot). Beim Bode Dia-
gramm (Abb. 1.15) wird im allgemeinen der Realteil der Impedanz
und die Phasenlage des Stromsignals ber der Frequenz aufgetragen.
Der Vorteil dieser Auftragung liegt in der Mglichkeit, den Verlauf
der Impedanz ber der Frequenz direkt zu sehen, die Interpretation als
Ersatzschaltbild fllt dagegen schwerer.
Beim Nyquist Diagramm wird auf der Abszisse der Realteil der Impe-
danz, auf der Ordinate der Imaginrteil der Impedanz aufgetragen. Fr
verschiedene Frequenzen ergeben sich unterschiedliche Verhltnisse
zwischen Real- und Imaginrteil, fr ein RC Glied ergibt sich ein typi-
scher Halbkreis wie in Abb. 1.14 gezeigt. Die leichtere Interpretier-
barkeit als Ersatzschaltbild ist ein wesentlicher Vorteil dieser Auftra-
gung, die direkte Ablesbarkeit des Frequenzverlaufes geht allerdings
im Nyquist Diagramm verloren.
Z
- Z
Abb. 1.14
Nyquist Diagramm.
*
|Z|

= =0
RE RE+RPol Z
Log |Z|
RE+RPol
Impedanz
RE
0 log
=max
- Phasenwinke
l
=0
Abb. 1.15
Bode Plot.
0 log
Den Zusammenhang zwischen den einzelnen Darstellungsarten er-

kennt man in der dreidimensionalen Darstellung aus Abb. 1.16. Die
jeweilige Projektion ergibt den entsprechenden Plot: Nyquist: Projek-
tion auf die Z/Z Ebene; Bode hnlich: Projektion auf die Z/f sowie
die Z/f Ebene, wobei Z logarithmisch dargestellt wird.
Abb. 1.16
Kompleximpedanz
SOFC: Pt-Anode.
Abb. 1.16
1.6.3 Beispiel
Es soll mit Hilfe der Impedanzspektroskopie die Sauerstoffionen-
leitfhigkeit von CeO2 dotiert mit 20 mol% Gd2O3 gemessen werden.
Und zwar interessiert uns insbesondere, inwieweit das Korn bzw. die
Korngrenze zum Gesamtwiderstand beitrgt. In Abb. 1.17 ist die Mik-
rostruktur einer solchen Keramik, gesintert bei 1000C, dargestellt.
Man erkennt deutlich die Krner sowie die Korngrenzen.
Eine schematische Darstellung der Probe sowie der Anschlsse ist
ebenfalls in Abb. 1.17 dargestellt. Eine Impedanzmessung dieser Pro-
be bei 149C ergibt das in Abb. 1.18 dargestellte Nyquist Diagramm.
In der selben Abbildung ist das Ersatzschaltbild fr diese Messung
dargestellt, und durch fitten an die experimentell erhaltenen Daten
erhlt man fr den Korn- und Korngrenzwiderstand ca. 600 k und
1.4 M. Der Elektrolytwiderstand wrde erst bei noch tieferen Fre-
quenzen als die hier gemessenen 0.1 Hz auftauchen. Aufgrund der
daraus resultierenden langen Messzeit, wurde in diesem Bereich nicht
gemessen.
Elektrode
Korn Korngrenze
FRA
Abb. 1.17
Mikrostruktur von CeO2(Gd) gesintert bei 1000C (links). Schematische Darstellung der Mikrostruktur (FRA : Fre-
quency Response Analyser) (rechts).
Ohm
2.0M
149C RKorn RKorngrenze RElektrode
1.5M Korn Korngrenze Elektroden
Z
1.0M
500.0k
2.6k
225 0.1
RKorn RKorngrenze RElektroden
0.0
0.0 500.0k 1.0M 1.5M 2.0M 2.5M
Z Ohm
Abb. 1.18
Nyquist Diagramm einer CeO2(Gd) Probe bei 149C im Frequenz-
bereich von 0.1 2 MHz. Als inset ist das Ersatzschaltbild dargestellt.
Zu beachten ist, dass eine eindeutige Modellierung der elektroche-

mischen Prozesse mit Hilfe von elektrischen Ersatzschaltbildern
schwierig ist, insbesondere wenn verschiedene aufeinanderfolgende
und/oder parallele Prozesse beteiligt sind.
Zusammenfassung
1. Die Wirkung des elektrischen Feldes auf ein Dielektrikum besteht

in einer Verschiebung der Ladungen (Polarisation). Es entstehen
elek-trische Dipole, bzw. bereits vorhandene Dipole werden ausge-
richtet. Unter der Polarisation versteht man das Dipolmoment pro
Volumen.
2. Die Dielektrizittszahl r ist der Faktor, um welchen sich die Kapa-

zitt eines Kondensators mit Dielektrikum gegenber der Kapazitt
im Vakuum erhht. Sie ist eine wichtige Werkstoffkenngrsse. Ein
Mass fr die dielektrischen Verluste ist der Verlustfaktor d = tan ,
das Verhltnis zwischen der Blindleistung und der Wirkleistung.
3. Die Impedanzspektroskopie ist ein zerstrungsfreies, dynamisches

Messverfahren zur Untersuchung von u.a. keramischen Werk-
stoffen. Verschiedene Beitrge zur Polarisation und zum Ladungs-
transport im Werkstoff knnen im Impedanzplot getrennt und ana-
lysiert werden.
Lernkontrolle
1. Welche Polarisationsmechanismen treten in dielektrischen Werk-

stoffen auf?
2. Wie hngen die Dielektrizittszahl und der Verlustfaktor von der

Frequenz des angelegten Feldes ab und warum?
3. Was ist der Unterschied zwischen Relaxation und Resonanz?

2.Kap
Nichtlineare Dielektrika
Nichtlineare Dielektrika knnen sehr grosse Dielektrizittszahlen zei-
gen aufgrund einer spontanen Ausrichtung von elektrischen Dipolen.
Dies tritt zusammen mit einer kristallographischen Phasenumwand-
lung unterhalb einer kritischen Temperatur Tc auf. Die Dipole werden
in Bezirken, die Domnen genannt werden parallel ausgerichtet. Wird
ein elektrisches Feld angelegt, knnen sich die Domnen innerhalb
bestimmter Richtungen ausrichten. Dies ist der Grund fr die sehr
grossen nderungen in der Polarisation. Daher stammt der Name
nichtlineare Dielektrika. Dieses nichtlineare Verhalten ist analog zum
nichtlinearen magnetischen Verhalten der ferromagnetischen Werk-
stoffe. Daher werden bestimmte nichtlineare Dielektrika Ferroe-
lektrika genannt. Die Werkstoffgruppe der Ferroelektrika soll das
Thema des folgenden Kapitels sein.
Mit der Entdeckung des ferroelektrischen Bariumtitanats (BaTiO3)
whrend des zweiten Weltkrieges begann die bis heute andauernde
ra der Funktionskeramiken. Die universellen Eigenschaften der
Ferroelektrika ist der Grund, warum sie heute in nahezu allen
Bereichen der Technik und des Alltags Verwendung finden, wie zum
Beispiel in Kondensatoren, Bewegungsmeldern, Ultraschallgerten,
Lautsprechern, Gasanzndern, Drucksensoren und vielen
elektrooptischen Anwendungen.
Bariumtitanat eignet sich hervorragend als Modell, um die makrosko-
pisch messbaren Phnomene der Ferroelektrika auf mikroskopischer
Ebene zu diskutieren.
2.1 Bariumtitanat - der Prototyp ferroelektrischer

Keramiken
BaTiO3 gehrt zu der Gruppe der Perowskite. Oberhalb 130C ist die
Einheitszelle kubisch (Abb. 2.1). Die Ba2+-Ionen bilden ein kubisch
primitives Gitter, auf dessen Flchenmitten die O2--Ionen
(r[O2-] = 1.38 ) sitzen. Das Ti4+-Ion sitzt im Zentrum des Sauerstoff-
oktaeders.
Fr Ba-, aber auch Pb- und Sr-Titanate weiten diese Ionen wegen ihrer
Grsse das kfz-Gitter auf, so dass das Ti4+-Ion in der unteren Grenze
der Stabilitt in der oktaedrischen Position ist, d.h. das Ti4+-Ion
(r[Ti4+] = 0.61) ist beinahe kleiner als ein fr diese Oktaederlcke
ideales Ion (Radienverhltnis: ri : ra = 0.414 - 0.732). Thermische An-
regung verursacht eine starke Bewegung des Ti4+-Ion um die Gleich-
gewichtsposition, so dass bei hoher Temperatur die kubische Symmet-
rie vorliegt. Wird die Temperatur unter 130C gesenkt , bilden sich
Abb. 2.1 jedoch zwei Minima im Potentialtopf fr das Ti4+-Ion aus (Abb. 2.2)
Die kubische Elementarzelle von
und die Einheitszelle wird tetragonal verzerrt.
Bariumtitanat. Ba-Ionen sitzen auf
den Ecken der Einheitszelle, Ti im
Zentrum des Sauerstoffoktaeders. Zu tieferen Temperaturen durchluft BaTiO3 drei Phasenumwandlun-
gen von kubisch tetragonal orthorhombisch rhomboedrisch
(Abb. 2.5). Die Temperatur, bei welcher der Phasenbergang kubisch
tetragonal erfolgt, nennt man die Curie-Temperatur Tc.
Nhert man sich von hoher Temperatur Tc, so wird das Ti4+-Ion aus
seiner Lage im Zentrum der Elementarzelle verschoben. Es tritt eine
spontane Verzerrung der kubischen Elementarzelle auf, d.h. der ber-
gang zur tetragonalen Phase findet statt. Fr das Ti4+-Ion existieren
jetzt zwei stabile Lagen in der Oktaederlcke (Abb. 2.2). Dadurch
verschieben sich auch die Sauerstoffanionen leicht. Diese Verschie-
bungen bewirken, dass die Ladungsschwerpunkte des Anionen- bzw.
des Kationengitters nicht mehr zusammenfallen. Es hat sich ein per-
manenter elektrischer Dipol gebildet. Die Curie-Temperatur be-
schreibt also den bergang der Elementarzelle zu einem permanenten
elektrischen Dipol.
Abb. 2.2
Atompositionen in BaTiO3 bei
Annherung an Tc von oben. Die
Grssenordnung fr die Ti4+-
Verschiebung in seiner O2--
Umgebung ist etwa 0.12 , die O2-
-Verschiebung etwa 0.03 .
Es existieren zwei stabile Lagen
fr das Ti-Ion in der tetragonalen
Einheitszelle.
Abb. 2.2
Die Kopplung zwischen den Dipolen vieler TiO6-Oktaeder fhrt zur

gleichen Auslenkung der Ti4+-Ionen benachbarter Elementarzellen und
fhrt zu einem Nettodipolmoment eines grsseren Bereichs, einer so-
genannten Domne.
Bereiche mit vielen Einheitszellen gleicher Polarisation nennt man
Domnen. Sie sind von mikroskopischer Grssenordnung (Abb. 2.3)
und kleiner als die Korngrsse.
Abb. 2.3 u. Abb. 2.4

Ferroelektrische Domnen.
Benachbarte Einheitszellen wech-
selwirken, um Bereiche gleich
ausgerichteter Dipole zu bilden.
Die Domnenwnde ----- knnen
durch ein usseres elektrisches
Feld verschoben werden. Die Po-
Abb. 2.4 larisation einer Domne kann
durch ein usseres Feld umgepolt
werden.
Diese spontane Polarisation P, d.h. Ausrichten der Dipole ohne us-
sere Einwirkungen, kann nur entlang bestimmter kristallographischer
Richtungen auftreten (Abb. 2.5).
In unserem Beispiel richten sich die Dipole in der tetragonalen Phase
spezifisch entlang jeder [100]-Achse aus d.h.es knnen sich nur 90-
und 180-Domnen ausbilden.
Bei 0C wird die tetragonale Phase zur orthorhombischen verzerrt.
Hier gibt es 12 gleichwertige Sttigungspolarisationsrichtungen ent-
lang <110>.
Unterhalb -90C liegt die rhomboedrische Phase vor. Hier ist die Pola-
risation parallel zu den <111>-Richtungen mglich.
Abb. 2.5
Phasenumwandlungen von
Bariumtitanat.
Unterhalb Tc verschiebt sich das
Ti4+-Ion aus dem Zentrum, man
beobachtet eine spontane Polari-
sation der Einheitszelle.
Abb. 2.5
Oberhalb TC verliert sich die spontane Polarisation. Die thermische

Bewegung wirkt gegen die Ordnung der Dipole und die einzelnen Di-
polmomente werden kleiner. Die spontane Polarisation verschwindet
wieder. Abb. 2.6 zeigt die nderung der kristallographischen Dimen-
sionen von BaTiO3 in Abhnigkeit der Temperatur und die damit ver-
knpfte nderung der Dielektrizittszahl und der spontanen Polarisa-
tion.
Abb. 2.6
nderung der Gitterkonstanten im
BaTiO3 (a) und die damit ver-
knpfte nderung der Dielek- (a)
trizittszahl (b) und der spontanen
Polarisation (c). Es ist zu beach-
ten, dass oberhalb Tc die spontane
Polarisation verschwindet, die
Dielektrizittszahl jedoch nicht.
(b)
(
c)
Abb. 2.6
Natrlich gibt es neben dem Bariumtitantat noch viele andere Pe-

rowskite und deren Mischkristalle, die dieses Verhalten zeigen.
2.2 Theorie der Ferroelektrika
Beim Entstehen einer spontanen Polarisation, d.h. beim starken An-

wachsen der Polarisation unter gewissen Bedingungen, spricht man
von einer Polarisationskatastrophe. Bei einer Polarisations-
katastrophe nimmt das von der Polarisation hervorgerufene lokale
elektrische Feld schneller zu als die elastische Rckstellkraft fr ein
Ion im Kristall und fhrt dadurch zu einer asymmetrischen Verschie-
bung der Ionen.
Wie in Kapitel 1 gesehen gilt:
P= (r-1) 0 E (1.10)
P= E locNi i (1.14)
mit Eloc= E + P/30
Werden nur Materialien mit berwiegend Orientierungspolarisation

bercksichtigt, so gilt:
Ni i= N o (2.1)
Auflsen von Gleichung 1.14 nach P liefert:
E N 0
P= (2.2)
N 0
1
3 0
und gleichsetzen mit (1.10) liefert:
N 0
0
r 1 = (2.3)
N 0
1
3 0
hier ist ersichtlich dass fr
N 0
1 (2.4)
3 0
(r-1) gegen unendlich geht und somit auch die Polaristion ( Polari-
sationskatastrophe). Hier ist die kritische Temperatur Tc erreicht.
Unterhalb dieser Temperatur tritt spontane Polarisation auf und alle

Elementardipole richten sich aus.
Oberhalb Tc, also im paraelektrischen Zustand, gilt in der Nhe der

Umwandlungstemperatur das Curie-Weiss-Gesetz:
C
r = (2.5)
T TC
mit C = Curiekonstante
Der Name wurde von der analogen Gleichung, die fr die ferromagne-
tischen Stoffe gltig ist, bernommen. Die Gligkeit des Gesetzes fr
ein bestimmtes Material wird durch eine Auftragung von 1/r als
Funktion von T berprft (oder umgekehrt).
Abb. 2.7
Die Dielektrizittskonstante auf-
getragen ber 1/(T-TC) im para-
elektrischen Zustand
Abb. 2.7
2.3 Mischkristalle
Die Stoffe mit Perowskitstruktur bilden untereinander oft Substitu-

tionsmischkristalle, d.h. die vorhandenen Metallionen knnen durch
Ionen hnlicher Grsse ersetzt werden, ohne dass sich dabei die Struk-
tur grundstzlich verndert. Durch Mischkristallbildung lsst sich da-
bei die Lage der Umwandlungspunkte weitgehend verschieben (Abb.
2.8 bis Abb. 2.10).
Als Beispiel dienen das System PbZrO3-PbTiO3 (Abb. 2.9) und Ba-
TiO3-PbTiO3 (Abb. 2.10).
In Tabelle 2.1 sind einige Ferroelektrika mit ihren Curie-Temperaturen

und Polarisationen, gemessen bei jeweils einer Temperatur T, aufge-
reiht.
kub.
Abb. 2.8
tetr. Durch Mischkristallbildung unter
den Perowskiten knnen die ver-
schiedenen Umwandlungs-
BaTiO3 PbTiO3 temperaturen ber grosse Bereiche
verschoben werden (BaTiO3-
Abb. 2.8 PbTiO3).
Abb. 2.9
Mischkristallbildung im System
PbZrO3-PbTiO3. Morphotrope
kub. Phasengrenze (fast unabhngig
tetr. von T) bei 45% PbTiO3.
orth.
morphotrophe
Phasengrenze
Abb. 2.9
Wie wir spter sehen werden, ist dies eine wichtige Methode, um Tc
fr bestimmte Anwendungen genau einstellen zu knnen!
Abb. 2.10
Vernderung der Umwandlungs-
temperaturen von BaTiO3 durch
Substitutionsmischkristallbildung.
Abb. 2.10
Formel Tc [C] Ps [C/cm2] bei T [C]
LiNbO3 1210 71 23
Tabelle 2.1 NaNbO3 -200 12 -200
Weitere ferroelektrische Oxide. KNbO3 435 30.3 250
Pb(0.5Sc0.5Nb)O3 90 3.6 18
Pb(0.33Mg0.67Nb)O3 -8 24 -170
Pb(0.33Zn0.67Nb)O3 140 24 125
LiTaO3 665 50 25
PbTa2O6 260 10 25
Pb(0.5Fe0.5Ta)O3 -40 28 170
SrBi2Ta2O9 335 5.8 25
Sm(MoO4)3 197 0.24 50
Eu2(MoO4)3 180 0.14 25
Pb5GeO11 178 4.6 25
SrTeO3 485 3.7 312
Als wichtige Gruppen seien hier die PZT- (Blei-Zirkonat-Titanat) und

PLZT- (Blei-Lanthan-Zirkonat-Titanat) Keramiken erwhnt, die in
Anwendungen weit verbreitet sind.
2.4 Einfluss eines usseren elektrischen Feldes
Oberhalb Tc erlaubt die offene Oktaederlcke im BaTiO3 eine grosse

Auslenkung fr das Ti4+-Ion, wenn ein usseres elektrisches Feld an-
gelegt wird. Der Kristall wird polarisiert. Beim Abschalten dieses Fel-
des springt das Ti4+-Ion wieder in seine zentrosymmetrische Lage, die
Polarisation verschwindet, d.h. fr verschwindendes elektrisches Feld
bleibt keine Nettopolarisation brig. Solch ein Verhalten nennt man
paraelektrisch (Abb. 2.12e).
Unterhalb Tc gibt es eine spontane Ausrichtung der Dipolmomente.

Ein usseres Feld kann die statistisch orientierten Domnen durch
Verschieben der Domnenwnde ausrichten (Abb. 2.11).
In der tetragonalen Phase ist die Umpolarisation von 90- und 180-
Domnen mglich. Im Falle des Umklappens einer 180-Domne
braucht das Ti4+-Ion nur von der einen stabilen Lage in die andere zu
springen. Die Elementarzelle verndert sich nicht. Das Ausrichten von
90-Domnen bedingt aber auch eine Umorientierung der tetragonalen
Einheitszelle um 90, d.h. die ursprngliche c-Achse wird zur a-Achse
gestaucht, whrend eine a-Achse auf die Lnge der c-Achse gestreckt
werden muss. Da die Krner in der polykristallinen Keramik regellos
verteilt vorliegen und der Kornverbund erhalten bleiben soll, hat diese
Umorientierung grssere innere Spannungen zur Folge. Beim
Abschalten des elektrischen Feldes bewirken diese, dass nur die ur-
sprnglichen 90-Domnen zurckklappen und die 180-Domnen
erhalten bleiben. Es bleibt somit eine Nettopolarisation zurck (rema-
nente Polarisation). Erst beim Anlegen eines entgegengesetzten Feldes
verschwindet die Polarisation (Koerzitivfeldstrke), bevor bei noch
strkerem Feld eine vollstndige Umpolarisation des Kristalls stattfin-
det. Dies fhrt zu einem nichtlinearen Verhalten der Polarisation
(Hysterese) in einem usseren Feld wie schematisch in Abb. 2.11 ge-
zeigt ist.
Abb. 2.11
Ausrichten der Dipole und Dom-
nen bei Ferroelektrika in einem
usseren -Feld.
Abb. 2.11
Materialien, die solch eine Hysterese der Polarisation gegenber der

Feldstrke zeigen, nennt man Ferroelektrika.
Die Curie-Temperatur lsst sich jetzt folgendermassen definieren:
Curie-Temperatur:
bergang vom ferroelektrischen in den paraelektrischen Zustand.
Ein Ferroelektrika ist oberhalb Tc ein lineares und unterhalb Tc ein

nicht lineares Dielektrikum.
In Abb. 2.12 sind die Hysteresen (P = f(E)) fr verschiedene Tempe-

raturen und der Potentialtopf fr das Ti4+-Ion gezeigt.
Abb. 2.12
Vergleich der Polarisierbarkeit im
elektrischen Feld unterhalb und
oberhalb von Tc.
Dazu die Lage des Ti-Ions in der
Elementarzelle.
Abb. 2.12
Bei Antiferroelektrika, z.B. PbZrO3, sind benachbarte Ketten von

Elementarzellen antiparallel zueinander orientiert. Es bestehen zwei
antiparallel polarisierte Untergitter und die makroskopisch gemessene
Polarisation ist Null. Bei einer kritischen Feldstrke Ek werden jedoch
die antiparallel zum angelegten elektrischen Feld polarisierten Ketten
in die energetisch gnstigere Richtung umklappen. Der Kristall geht in
einen induzierten ferroelektrischen Zustand ber (Abb. 2.13).
Abb. 2.13
Doppelte Hystereseschleife der
E Antiferroelektrika
Abb. 2.13
2.5 Ferroelektrische Keramik
Aufgrund der Umpolarisierbarkeit der Domnen sind die makroskopi-

schen Eigenschaften auch in polykristallinen Materialien einstellbar.
Somit lassen sich allgemeine keramische Herstellungsverfahren zur
Herstellung dieser Werkstoffe verwenden.
Die quasi-isotrope ferroelektrische Keramik besteht aus einer Vielzahl

statistisch orientierter Kristallkrner mit unterschiedlichen kristal-
lographischen Orientierungen. Ihre Anfangspolarisation ist Null. Da
jedoch die spontane Polarisation der Ferroelektrika durch Anlegen
eines elektrischen Feldes umorientiert werden kann, wird ferroelektri-
sche Keramik durch die Ausrichtung der elektrischen Dipole eine Po-
larisation aufweisen.
Aufgrund der statistischen Orientierung der Krner gelingt es im Ge-

gensatz zu Einkristallen nicht, die spontane Polarisation beim Anlegen
eines hinreichend grossen elektrischen Feldes in allen Domnen paral-
lel auszurichten. Die Polarisation in den einzelnen Domnen kann nur
in die zum Feld nchstgelegenen kristallographisch erlaubten Richtun-
gen umorientiert werden. Am Beispiel BaTiO3 betrgt die theoretisch
maximal erreichbare Polarisation in der tetragonalen Struktur 83.1%
des Wertes der einzelnen Domne, bei orthorhombischem 92.1% und
bei rhomboedrischem Gitter 86.6%.
Polarisationnderungen ber 90-Prozesse im tetragonalen Bereich

verursachen im Gegensatz zu den 180-Umkehrungen Gestalts-
nderungen des Kristalls und sind daher mit betrchtlichen mechani-
schen Spannungen verbunden. Diese Deformation behindert das Um-
klappen der 90-Domnen und bewirkt, dass beim Abschalten des
Feldes ein Teil der Polarisation ber spannungsabbauende 90-
Prozesse wieder zurckklappt. Obwohl tetragonale Materialien hhere
Werte der spontanen Polarisation besitzen, ist ihr Domnen-
ausrichtungsgrad schlechter als bei der rhomboedrischen Symmetrie.
Abb. 2.14
Im Vergleich zur Keramik (b), bei
der eine statistische Verteilung der
Krner vorliegt, lsst sich der
Einkristall (a) vollstndig in der
Richtung des usseren Feldes
polarisieren. Dies erlaubt eine
strkere Polarisation des
Einkristalles.
a) b)
Abb. 2.14
In folgender Tabelle sind die Werte fr spontane Polarisation einiger

ferroelektrischer Einkristalle und Keramiken zusammengestellt:
Einkristall BaTiO3 PbTiO3 KNbO3 LiTaO3 Pb2FeNbO6

Ps 27 75 30 50 16 Tabelle 2.2
Spontane Polarisation von Pe-
[C/cm2] rowskiten
Keramik BaTiO3 PZT56 PZT93 PLZT
Ps 8 47 35 45
[C/cm2]
Eine Steigerung der Polarisation lsst sich z.B. durch Parallelrichten

polarer Achsen (Textur) der einzelnen Kristallite erreichen (Heisspres-
sen).
2.6 Einfluss der Korngrsse
Die fr die Domnenbildung verantwortliche Verzerrungsenergie ist

proportional zu D3 (Teilchendurchmesser3 = Volumenenergie), die
Grenzflchenenergie der Domnen ist proportional zu D2 (Abb. 2.15).
In groben Krnern entstehen energetisch gnstigere Zwillinge mit 90-
Domnen. Bei Korngrssen von 1m oder weniger sind die Krner
verzwillingt, eindomnig und neigen zunehmend zur kubischen Sym-
metrie (paraelektrisch, vgl. TZP, Skript II), d.h. die Phasenumwand-
lung kubisch-tetragonal wird unterdrckt.
Infolge des verspannten, kristallographisch unvollkommenen Zustan-
des und der hohen Oberflchenenergie verschiebt sich die Phasenum-
wandlung mit abnehmender Kristallitgrsse zu tieferen Temperaturen.
Unterhalb einer Grsse von ca. 1m werden die ferroelektrischen A-
nomalien fast vllig unterdrckt.
Mit steigender Korngrsse wird andererseits das Gefge zu starr; beim
Polarisieren entstehen Spannungen, und die Domnen gehen nach Ab-
Abb. 2.15
Einfluss der Korngrsse
schalten des Feldes teilweise in ihre Ausgangslagen zurck. Kerami-
ken mit grossen Krnern lassen sich daher schwerer polarisieren.
Wie man im weiteren Verlauf sehen wird, haben ferroelektrische ke-

ramische Werkstoffe eine Reihe ntzlicher Eigenschaften:
1. Hohe Dielektrizittskonstante
2. Relativ geringe dielektrische Verluste
3. Hohe Piezoelektrizittskonstante
4. Hoher elektrischer Widerstand
5. Feuchtigkeitsempfindlichkeit
6. Elektro-magnetische Kopplung
7. Hohe pyroelektrische Koeffizienten
8. Teilweise optische Transparenz
9. Hohe elektrooptische Koeffizienten
Zusammenfassung
1. Bariumtitanat und viele andere Perowskite zeigen eine spontane

Polarisation unterhalb der Curie-Temperatur Tc.
2. Perowskite bilden untereinander hufig Mischkristalle. Dadurch

lsst sich die Lage der Curie-Temperatur ber einen grossen Tem-
peraturbereich einstellen.
3. Oberhalb Tc liegt die kubische paraelektrische Phase vor. Durch

ein usseres E-Feld lsst sich das Material polarisieren. Beim Ab-
schalten des Feldes verschwindet die Polarisation wieder. Es sind
keine Dipole vorhanden. Die Dielektrizittszahl wird durch das
Curie-Weiss-Gesetz beschreiben.
4. Unterhalb Tc findet eine spontane Verschiebung der Ladungs-

schwerpunkte entlang bestimmter kristallographischer Achsen
statt. Es bilden sich Dipole. Die Polarisationrichtungen der einzel-
nen Domnen sind statistisch verteilt. In der tetragonalen Phase
sind nur 90- und 180-Domnen mglich. Makroskopisch ist kei-
ne Polarisation festzustellen. Durch ein usseres E-Feld werden
die Domnen ausgerichtet. Es bleibt eine Nettopolarisation nach
Abschalten des Feldes erhalten. Das Material ist ferroelektrisch.
Umpolarisierung von 90-Domnen fhrt zu inneren Spannungen
im polykristallinen Werkstoff.
5. In polykristallinen Werkstoffen (Keramiken) wird die maximale

Polarisation des Einkristalls aufgrund der statistischen Ausrichtung
der Krner nur teilweise erreicht.
6. Bei feinkrnigen Keramiken werden die Krner eindomnig und

die Phasenumwandlung kubisch-tetragonal wird zunehmend unter-
drckt. Die ferroelektrischen Anomalien werden fast vollstndig
unterbunden.
Lernkontrolle
1. Was passiert bei Tc in der Elementarzelle von BaTiO3?
2. Zeichne das P-E-Diagramm fr einen ferroelektrischen Einkristall

oberhalb und unterhalb Tc. Wo liegt der Unterschied zum polykri-
stallinem Material?
3. Wie lsst sich die Lage von Tc beeinflussen?

3.Kap
Kondensatorwerkstoffe
In diesem Kapitel beschftigen wir uns mit keramischen Werkstoffen,
die in Kondensatoren Verwendung finden. Kondensatoren sind
elektrische Bauelemente, die zur Speicherung von elektrischer Ladung
und Energie dienen. Die Ladung befindet sich auf zwei einander
gegenberliegenden leitfhigen Platten, die voneinander isoliert sind.
Die Speicherkapazitt von Kondensatoren lsst sich durch isolierende
Materialien (Dielektrika) zwischen den ladungstragenden Flchen um
Zehnerpotenzen erhhen.
Es gibt zahllose Anwendungen fr Kondensatoren. In Elektronen-
blitzgerte beispielsweise speichert ein Kondensator elektrische
Energie, die zur Zndung der Blitzrhre verwendet wird. Ein anderes
Beispiel ist die Verwendung als Bauelement zur Glttung von
gleichgerichtetem Wechselstrom in Netzgerten und Netzteilen, die
aus Wechselstrom Gleichstrom erzeugen. Der grsste Absatz von
Kondensatoren liegt in der Elektronik.
3.1 Keramische Dielektrika
Keramische Isolatoren und Dielektrika decken einen grossen Bereich

von Eigenschaften ab. Es beginnt beim Steatit mit einer
Dielektrizittszahl von 6 und endet bei komplexen ferroelektrischen
Verbindungen mit einer Dielektrizittszahl von ber 100'000. In der
folgenden Diskussion werden keramische Isolatoren gleich wie die
Dielektrika mit tiefem r behandelt, obwohl ihre dielektrischen
Verluste fr einen Einsatz als Kondensatorwerkstoffe eventuell zu
hoch sind.
Dielektrika vom Typ I sind normalerweise Keramiken mit tiefer

oder mittlerer Dielektrizittszahl und einem Verlustfaktor tan, der
kleiner als 0.003 ist. Der Bereich von r liegt zwischen 15 und 500,
der Temperaturkoeffizient zwischen 10-4 und -210-3 K-1.
Typ II Dielektrika sind Ferroelektrika mit grosser

Dielektrizittszahl. Die Werte von r betragen 2000 bis 20'000. Die
Eigenschaften hngen strker von Temperatur, Feldstrke und
Frequenz ab als bei den Typ I Dielektrika. Der Verlustfaktor liegt
normalerweise unter 0.03, kann diesen Wert aber bei bestimmten
Temperaturen oder starken Wechselspannungen bersteigen.
Typ III Dielektrika beinhalten eine leitfhige Phase, welche die

Dicke des Dielektrikums im Kondensator um eine Grssenordnung
verringern kann. Die Eigenschaften sind hnlich wie beim Typ II,
der Arbeitsbereich liegt aber bei nur 2 - 25 V. Wird diese Spannung
berschritten, kann ein grosser Abfall des Widerstandes auftreten,
es kommt zum sogenannten Durchschlag. Ihr Vorteil liegt darin,
dass sehr einfache Strukturen wie dnne Scheiben oder Rohre hohe
Kapazitten von ber 1 F ergeben knnen.
Als grobe Regel gilt, dass die Durchschlagfestigkeit (das Feld bei dem
das Dielektrikum leitfhig wird) von Typ I ber II zu Typ III abnimmt.
3.1.1 Typ I
Werkstoffe vom Typ I (niedrige Dielektrizittszahl <500) haben als
Basis Titandioxid TiO2 in der stabilen Modifikation Rutil (Rutil-
Keramik), Steatit und Magnesiumtitanat. Auch Porzellan, Glimmer
Al2O3 und Glas bzw. SiO2 werden verwendet.
Abb. 3.1
Temperaturabhnigkeit der Di-
elektrizittszahl einiger Kera-
miken und Glser vom Typ I.
Abb. 3.1
3.1.2 Typ II
Grsste Bedeutung als technischer Werkstoff fr Kondensatoren des
Typs II hat das BaTiO3. Wie in Kapitel 2 gesehen, ist dieses Material
im E-Feld sehr gut polarisierbar. Es zeigt sich, dass Ferroelektrika
gerade um die Curie-Temperatur hohe Dielektrizittszahlen aufweisen
(Abb. 3.2). Aber auch bei den restlichen Phasenumwandlungen
durchluft r jeweils ein Maximum.
r ist somit stark temperaturabhngig. Mit steigender Temperatur wirkt
die thermische Bewegung der Ausrichtung des Ti4+-Ions entgegen,
was eine Abnahme von r bewirkt.
Abb. 3.2
Phasenumwandlungen vom
BaTiO3: r durchluft bei den
Phasenumwandlungen ein
Maximum. Bei Tc ist dieser Effekt
am strksten ausgeprgt.
Beispiel eines TypII-Dielektrikums
Abb. 3.2
Wenn sehr hohe Kapazittswerte erforderlich sind, ist es

zweckmssig, den Curie-Punkt in die Mitte des Einsatzbereichs zu
legen. Eine Verschiebung von Tc erreicht man durch Beimischung
kristallchemisch verwandter Verbindungen, sogenante Shifter.
Dabei sollte die Zusammensetzung so gewhlt werden, dass die
Temperaturgangskurve stark verbreitert wird. Dabei arbeitet man oft
in ternren Systemen.
Abb. 3.3
Durch Verschiebung des
Curiepunkts in Mischkristall-
reihen lsst sich die hchste r in
den Temperatureinsatzbereich
verschieben
Abb. 3.3
Abb. 3.4
Das ternre System BaTiO3-
SrTiO3-CaZrO3 mit Werkstoffen (1,
2, 3) um die morphotrope Pha-
sengrenze kubisch/tetragonal mit
hohen Dielektrizittskonstanten.
Abb. 3.4
Hufig reicht der diffuse Charakter des Phasenbergangs, d.h. die

Verbreiterung des Curie-Maximum nicht aus, um die gewnschte
Spezifikation zu erreichen, so dass zustzliche Massnahmen zur
Verbreiterung des Maximums getroffen werden mssen. Hierbei
bedient man sich gewhnlich der Korngrssenabhngigkeit von r max.
Wie Abb. 3.5 zeigt, bewirkt schon eine geringe Verminderung der
mittleren Korngrsse von 40 auf 15m eine erhebliche Verbreiterung
des dielektrischen Maximums. Dies fhrt jedoch zwangslufig zu
einer Reduzierung des dielektrischen Maximums bei einer
allgemeinen Anhebung von r bis zu einer kritischen Korngrsse
(Abb. 3.6). Unterhalb einer kritische Grsse fllt r wieder steil ab und
nhert sich wieder sehr kleinen Werten. In derart feinkrnigen
Keramiken aus BaTiO3 (d< 0.4 m) findet man keine ferroelektrischen
Domnen mehr.
Abb. 3.5
r besitzt ein temperatur-
abhngiges Maximum, welches mit
abnehmender Korngrsse abflacht.
Abb. 3.6
Die Verringerung der Korngrsse
fhrt ber ein Maximum von r bis
die Ferroelektrizitt verschwindet.
Abb. 3.5 Abb. 3.6
Das Kornwachstum whrend der Sinterung wird durch Zusatz

bestimmter Oxide (0.1 - 2 Mol%) unterdrckt, z. B. durch Fe2O3 in
Mengen um 1 Mol%. Dieses wird bei Temperaturen unter 1300C nur
in kleinen Mengen im BaTiO3-Gitter eingebaut. Bei der primren
Kristallisation bilden sich eisenarme Keime. Beim Kristallwachstum
reichert sich das Eisen vor der wachsenden Kornoberflche an und
wird zwangslufig mit steigender Konzentration ins Gitter eingebaut.
Dadurch wird das Gitter so stark gestrt, dass das Wachstum zum
Stillstand kommt. Man erhlt eine extrem feinkrnige Keramik. Diese
weist im Bereich von 20C bis 100C eine fast temperaturunabhngige
Dielektrizittszahl (etwa 1500) und geringe Verluste auf. Sie ist
eigentlich nicht mehr ferroelektrisch und zeigt praktisch keine
Hysterese (siehe Kap. 2.5). Bei schrferem Brennen ber 1350C
rekristallisiert dieses feinkrnige Material in krzester Zeit zu gut
hundertfachem Kristallitdurchmesser; es nimmt dann die
Eigenschaften von normalem, grobkristallinem BaTiO3 an, ein
schnes Beispiel fr die Wichtigkeit der Beherrschung keramischer
Prozesse.
In groben Krnern entstehen energetisch gnstigere Zwillinge auf 90-

Domnen.
Abb. 3.7
90-Domnen in grobkrnigem
(Ba0.8Ca0.2) TiO3 (getzter Schliff
im Auflicht). Durch dreifach
gestaffelte Lamellen wird eine
optimale Ausmittelung der
spontanen Verzerrung erreicht.
Abb. 3.7
Bei Korngrssen von 1 m oder weniger sind die Krner

unverzwillingt, eindomnig und neigen zur kubischen Symmetrie
(paraelektrisch, siehe Kap. 2.5). r betrgt ca. 2000 verglichen mit
1400 bei grberem Korn. Die Maxima bei Phasenumwandlungen
werden ausgeglichen.
Besondere Effekte neben der Kornwachstumshemmung sind dann zu

erwarten, wenn sich in ferroelektrischen Materialen Verunreinigungen
an den Korngrenzen anreichern, welche ihrerseits auch Wechselwir-
kungen mit der spontanen Polarisation ausben, indem sie elektrische
Ladungen speichern. Atome, die in unterschiedlichen
Valenzzustnden auftreten (vor allem die bergangsmetalle),
bewirken diese Stabilisation der Polarisation durch Raumladungen
an inneren Grenzflchen. In der Regel wird sich die spontane
Polarisation so verteilen, dass sie sich an Korngrenzen mglichst
kompensiert (Abb. 3.8 links).
Bei jeder nderung der Konfiguration, z.B. einer Umorientierung oder
einem Phasenbergang, stellt sich schnell ein neuer kompensierter
Zustand ein. Befindet sich jedoch zwischen den Krnern eine dnne
Schicht mit tiefliegenden Ladungstrger-Traps, so erfolgt die
Kompensation durch fixierte Ladungstrger, die einer nderung der
Polarisationsverteilung nicht zu folgen vermgen und jeder Strung
durch Gegenfelder entgegenwirken (Abb. 3.8 rechts). Diese Ferro-
elektrika sind steifer, sie struben sich gegen eine Umordnung.
Abb. 3.8
Schema der Wechselwirkung der
Polarisation ber Korngrenzen
(links) und der Abschirmung in
stabilisierten Keramik durch
gefangene Ladungen (Traps) an
Korngrenzschichten (rechts).
Abb. 3.8
Durch gezielte Ausnutzung dieses Effekts knnen strende

Phasenumwandlungen verzgert oder unterdrckt werden. Durch die
Hemmung von Umklappvorgngen werden die Hystereseverluste
verringert und die eingeprgte Polung der Keramik gefestigt.
Die verschiedenen Zustze beeinflussen zudem stark die spezifische

elektrische Leitfhigkeit und die Durchschlagsfestigkeit der
Werkstoffe. Daher ist die Wahl der richtigen Zustze fr die
Kondensatoreneigenschaften ausschlaggebend.
Grob lassen sich die Zusatzstoffe nach ihrer Wirkung in drei Gruppen
unterteilen:
Zustze, die die Temperaturabhngigkeit der r ausgleichen und

das Kornwachstum hemmen: Fe2O3, Ni2O3, MgO, CeO2, La2O3.
Zustze, die den spezifischen Widerstand erhhen (MgO, Ni2O3).
Zustze, die die Durchschlagfestigkeit erhhen (ZnO, Sb2O3).

3.1.3 Typ III

In Typ III-Kondensatoren macht man sich die Raumladungs-
polarisation zu Nutze. Sie bestehen aus BaTiO3 oder SrTiO3 mit
Sperrschichten. Man unterscheidet zwischen externen und internen
Sperrschichten (Oberflchen- und Korngrenzsperrschichten).
Abb. 3.9
Sperrschichtkondensatoren
a) Oberflchensperrschichten
b) Korngrenzsperrschichten (a) (b)
Abb. 3.9
Bei den externen Oberflchensperrschichten wird dotiertes BaTiO3

bzw. SrTiO3 zunchst in reduzierender Atmosphre gebrannt (Ti4+
Ti3+). Es entsteht eine dunkle, gut leitende Keramik. An ihrer Ober-
flche wird durch einen zweiten Brand in oxidierender Atmosphre
oder durch eine Reaktion mit Glasfritte eine hochohmige, dnne
Sperrschicht erzeugt.
Abb. 3.10
Die Korngrenzsperrschichten entstehen dadurch, dass die Kristallite

der Keramik innerhalb des Korns durch Einbau kleiner Mengen von
Donoren wie seltene Erdoxide (Dy2O3, Nb2O5, Ta2O5 und Sb2O5) oder
durch eine Reduktion leitfhig gemacht werden. Zugleich werden an
den Korngrenzen Akzeptoren wie CuO eingebaut. Es entstehen Netz-
werke hochohmiger p-n-bergnge und sehr hoher effektiver
Dielektrizittszahlen bis zu 100'000, die wegen der Leitfhigkeit im
Korn nur aus den ca. 0,5 m dnnen Korngrenzschichten bestehen
(GBBL - Grain boundary barrier layer).
Die Sperrschichtkondensatoren lassen sich nur fr relativ kleine

Spannungen verwenden. Probleme verursachen grobe Krner und
hohe Alterungsraten.
3.2 Qualittskriterien
Die Parameter, deren Werte zusammen die Leistung von

Kondensatoren beschreiben, sind die folgenden:
1. Die Kapazitt und deren Abhngigkeit von Temperatur,

Spannung und Frequenz.
2. Der Verlustfaktor und dessen Abhngigkeit von
Temperatur, Spannung und Frequenz.
3. Der Isolationswiderstand und dessen Kurzzeitabhngigkeit
von Temperatur und Spannung.
4. Die Antwort des Isolationswiderstandes auf Langzeittests
unter Wechselspannung und erhhter Temperatur.
5. Die Durchschlagsspannung.
6. Das Alterungsverhalten der Dielektrizittszahl, unbelastet
(in Abwesenheit eines elektrischen Feldes).
3.2.1 Die Alterung

Die Dielektrizittskonstante der Typ-II-Keramik zeigt nicht nur eine
starke Temperaturabhngigkeit, sondern auch eine Zeitabhngigkeit,
die als Alterung bezeichnet wird. Diese verursacht eine Abnahme der
r in Funktion der Zeit, die nach folgendem logarithmischen Gesetz
verluft:
r (t) = r (1h) . (1 - k . log(t)/100) (3.1)
r (1h) ist der Wert, den die Dielektrizittskonstante eine Stunde nach
dem Abkhlen von einer Temperatur oberhalb der Curietemperatur
zeigt; k ist die sogenannte Alterungskonstante in Prozent, t die Zeit in
Stunden. Typische Werte fr k sind etwa 3 bis 5. Das bedeutet, dass
die Kapazitt eines Kondensators, die er 24 h nach seiner Herstellung
aufweist, in 10 Jahren um ca. 10% bis 18% abnehmen wird, sofern er
in diesem Zeitraum nicht mehr erwrmt wrde. Das Erwrmen auf
eine Temperatur oberhalb der Curietemperatur (dies ist z.B. beim
Lten der Fall) wird die Keramik entaltern. Der ursprngliche Wert
der r wird dabei wieder angenommen und der Vorgang der Alterung
fngt von neuem an.
Abb. 3.11
Abnahme der Kapazitt in
Prozenten in Abhngigkeit der
Betriebsdauer. Abb. 3.11
Das logarithmische Gesetz wurde aus der Annahme abgeleitet, dass

die Bewegung der Domnenwnde infolge thermischer Einwirkung
zur Verringerung der Dielektrizittskonstanten fhrt. Dabei nehmen
die Domnen immer stabilere Lagen ein, und der Zustand wird immer
weniger polarisierbar. Spter wurde festgestellt, dass das logt-Gesetz
nicht streng gilt. Das kann damit zusammenhngen, dass auch eine
Curiepunktverschiebung mit der Zeit nachgewiesen werden konnte.
12
10
8
C in nF
4
jung
2 gealtert
Abb. 3.12
Verschiebung des Umwandlungs-
0
punktes nach einem Jahr.
10
20
25
30
40
50
60
0
5
-40
-30
-20
-10
T in C
Abb. 3.12
Die Kondensatoren altern bei verschiedenen Umgebungseinflssen

oder in Betrieb anders als bei einfacher Lagerung. Die Alterung hngt
stark von der Temperatur und der elektrischen Belastung ab. Unter
Betriebsbedingungen ist die Alterungsrate bedeutend kleiner als bei
der Lagerung. Die Alterung hngt zudem von der Zusammensetzung
der Werkstoffe und ihrer Tc ab.
3.3 Bauformen von Keramikkondensatoren
Die klassischen Scheiben-Kondensatoren (Abb. 3.14) werden immer

hufiger durch die platzsparenden Vielschichtkondensatoren
(multilayer, MLC, Abb. 3.13) ersetzt.
Abb. 3.13
Vielschichtkondensator (MLC).
Abb. 3.13
Abb. 3.14:
Scheiben-Kondensator (Discs).
Abb. 3.14
In denUSA hat sich z.B. der Anteil an MLC von 1974 14 % auf 68 %
in 1984 erhht, mit Zuwachsraten von 20 %/Jahr. Heute werden
weltweit ber 60 Milliarden Stck/Jahr produziert. Moderne
keramische Technologie erlaubt die optimale Ausntzung hoher
Dielektrizittszahlen durch den Aufbau von Kondensatoren in
Vielschichttechnik.
Beim Aufbau von Kondensatoren in Vielschichttechnik werden

Keramikschichten von nur 30 m Strke und Elektrodenschichten aus
Edelmetall in einem einzigen Brennprozess zu einem festen Krper
gesintert.
Zur Herstellung kleiner Kondensatoren grosser Kapazitt steht diese
Technik in Konkurrenz zur Sperrschicht-Kondensatorentechnik.
Vermehrt werden auch Kondensatoren aus SiO, SrO2, Ta2O5, TiO2
und BaTiO3 eingesetzt, die mit der Dnnfilmtechnik (CVD, DVD)
oder Dickfilmtechnik (Siebdruck) hergestellt werden.
Zusammenfassung
1. Keramische Dielektrika vom Typ I haben niedrige

Dielektrizittszahlen von 15 bis 150. Sie weisen eine sehr gute
Temperaturkonstanz auf und zeigen kleine dielektrische Verluste.
2. Dielektrika vom Typ II sind ferroelektrische Keramiken mit hohen

Dielektrizittszahlen von 2000 bis 20'000. Sie haben eine
merkliche Temperaturabhngigkeit und hhere Verluste
aufzuweisen.
3. Typ III Kondensatoren beruhen auf dnnen

Korngrenzsperrschichten bei ferroelektrischen Keramiken. Die
Sperrschichten werden durch Dotierungen hergestellt.
Lernkontrolle
1. Ein keramischer Kondensator wird bei einer bestimmten

Anwendung strkeren Temperaturschwankungen ausgesetzt.
Worauf mssen Sie bei der Wahl des Dielektrikums achten und
welchen Werkstofftyp wrden Sie vorschlagen?
4.Kap
Pyroelektrika
In zahlreichen Anwendungen werden heute Wrmesensoren verwen-
det, so z. B. in Bewegungsmeldern. Diese Anwendungen verlangen
Sensoren, die sehr empfindlich auf Wrmestrahlung reagieren. Eine
Klasse von Werkstoffen, die diese Anforderung erfllen sind die Pyro-
elektrika (Pyro bedeutet im Griechischen Feuer.) Sie detektieren
Wrmestrahlung sehr empfindlich und wandeln diese in ein elektri-
sches Signal um. Auch hierfr lassen sich keramische Werkstoffe ein-
setzen. Ziel dieses Kapitels ist es, die pyroelektrischen Grundlagen zu
vermitteln und deren Anwendungen zu verstehen, z.B. in der Strah-
lungsmesstechnik, Spektroskopie, IR-Holographie und Prozessber-
wachung. Das grsste Anwendungsgebiet ist die Personendetektion,
insbesondere fr Einbruchalarmiergerte. Zu anderen Anwendungen
der Personendetektion gehren automatische Trffner, automatische
Lichtschalter in Treppenhusern, automatisches Einschalten von
Sprechanlagen, Computern, Fernsehern, Heizungen etc. Aufgrund des
geringen Einbauaufwandes und der geringen Stranflligkeit hat die
passive Infrarottechnik mit Pyrodetektoren gegenber aktiven Konzep-
ten, wie Lichtschranken oder Ultraschallmeldern, erhebliche Vorteile.
4.1 Grundlagen und Definition
Die Pyroelektrizitt beruht auf der Temperaturabhngigkeit der spon-

tanen Polarisation Ps. Weist ein Werkstck eine Nettopolarisation
auf, macht sich dies durch Ladungen auf der Oberflche bemerkbar.
Eine Vernderung der Polarisation fhrt damit zu einer nderung der
Oberflchenladung und somit zu einem messbaren Strom zwischen
den beiden Polen, wenn man diese elektrisch leitend verbindet. Wie
wir bereits gesehen haben zeigen Ferroelektrika eine starke Tempera-
turabhngigkeit der spontanen Polarisation. Knapp unterhalb der Cu-
rie-Temperatur Tc ist dieser Effekt am strksten (nichtlineare Pyroe-
lek-trika).
Abb. 4.1
Die Polarisation der Ferroelek-
trika als Funktion der Temperatur.
Fr pyroelektrische Messungen
wird die nderung der Gesam-
tpolarisation mit der Temperatur
gemessen (ps=Ptot/), was der
Steigung der Tangente an die
Kurve entspricht. In der Nhe der
Curie-Temperatur ist die nde-
rung der spontanen Polarisation
am grssten.
Abb. 4.1
Es gibt aber noch eine Reihe anderer Kristalle die spontane Polarisati-
on zeigen, diese lsst sich jedoch nicht durch ein usseres Feld aus-
richten. Das heisst, eine makroskopische Polarisation ist nur in einem
Einkristall messbar. Als Beispiel sei hier der Turmalin genannt.
Chemisch ist Turmalin ein Aluminium-Borosilikat. Die dreizhlige z-
Achse ist die polare Achse. Wird dieser Kristall erwrmt, dehnt er sich
in den verschiedenen Richtungen ungleichmssig aus und die La-
dungsschwerpunkte verschieben sich gegeneinander. Die spontane
Polarisation ist daher auch hier von der Temperatur abhngig (lineare
Pyroelektrika).
Die dielektrische Verschiebung ist gegeben durch
D = E + Ps (4.1)
Die nderung der dielektrischen Verschiebung mit der Temperatur

ist dann
D/ = Ps/ + E / (4.2)
= ps + E / = pg
fr E = konst.
ps = Ps/ (die nderung der spontanen Polarisation mit der Tempe-

ratur) ist der sekundre pyroelektrische Koeffizient. pg = D/ ist der
generelle pyroelektrische Koeffizient des Materials. Wenn / (die
nderung der Dielektrizittszahl mit der Temperatur) klein ist, dann
ist ps = pg.
Der gesamte pyroelektrische Effekt bei einer konstanten mechanischen

Spannung setzt sich aus zwei Effekten zusammen.
Der erste Effekt ist der primre (wahre) pyroelektrische Effekt. Er
gibt die Abhngigkeit der dielektrischen Verschiebung D von der
Temperatur an, unter der Voraussetzung, dass die Deformation kon-
stant bleibt und die Dimensionen der Kristallprobe sich durch thermi-
sche Ausdehnung nicht verndern. Man beschreibt ihn durch den
pyroelektrischen Koeffizienten pg.
Als sekundren pyroelektrischen Effekt bezeichnet man die nde-

rung der Polarisation verursacht durch die thermische Ausdehnung des
Kristalles. Diese Deformation bewirkt auch eine Vernderung der
spontanen Polarisation (Piezoeffekt, Kap. 5).
In der Anwendung finden beide Effekte statt und addieren sich. In

linearen Pyroelektrika (z.B. Turmalin) ist der primre pyroelektrische
Effekt bei Zimmertemperatur in der Regel klein und betrgt um 2-5%
des totalen Pyroeffektes. Dagegen berwiegt der primre Effekt bei
Ferroelektrika.
ps = Ps/ beinhaltet die nderung der Polarisation nach dem prim-

ren und dem sekundren pyroelektrischen Effekt.
Lineare Pyroelektrika Ferroelektrika Tabelle 4.1

Prim. Pyroel. Effekt 2 - 5% > 95% Vergleich der primren und se-
pg = D/ kundren pyroelektrischen Effekte
Sek. pyroel. Effekt < 95% > 2 - 5% bei linearen und nichtlinearen
ps = Ps/ Pyroelektrika.
4.2 Gtekriterium pyroelektrischer Werkstoffe
Um als Folge einer Temperaturnderung ein mglichst starkes pyroe-

lektrisches Signal zu bekommen, bentigt man ein Material mit einem
mglichst grossen Temperaturkoeffizienten der spontanen Polarisation
ps = P/d, mit mglichst kleiner Wrmekapazitt und bei Verstr-
kern hoher Impedanz auch mit kleiner Dielektrizittszahl r, da
U = Q/C. Das Material-Gtekriterium F (C.cmJ-1) fr die Empfind-
lichkeit pyroelektrischer Detektorwerkstoffe ergibt sich als Quotient
des pyroelektrischen Koeffizienten ps (mCm-2K-1) zum Produkt der
spezifischen Volumenwrme C (Jcm-3) und der relativen Dielektrizi-
ttszahl r (C = spez. Wrmekapazitt cp Dichte ):
ps ps
F= = (4.3)
C r cp r
Die Apparatur zur Messung des Gtefaktors besteht aus dem Pyroe-
lektrikum, dessen Enden ber Elektroden miteinander verbunden sind.
Dieser Aufbau ist vergleichbar mit demjenigen eines Kondensators.
Dabei ist bei der Bestimmung der Gtezahl die Kenntnis der massge-
benden physikalischen Parameter erforderlich. Gewnscht wird ps
gross, damit kleine ein grosses Q im Sensor verursacht.
C = cP sollte klein sein, damit eine kleine Wrmemenge reicht um
den Kristall aufzuwrmen. r sollte klein sein, damit die Spannung U
= Q/C zwischen den Elektroden gross wird, da diese gemessen wird.
Die Temperaturabhngigkeit der Permittivitt, der spontanen Polarisa-

tion und der Gtezahl von PbTiO3 -Einkristall ist in Abb. 4.2 darge-
stellt. Ein Maximum erreicht die Gtezahl unterhalb der Curie-
Temperatur. Einen hnlichen Verlauf zeigt auch die pyroelektrische
Na0.5Bi0.5TiO3-Keramik (Abb. 4.3).
Abb. 4.2 & Abb. 4.3

Die Temperaturabhngigkeit der
Permittivitt, der spontanen Pola-
ri-sation und der Gtezahl von
PbTiO3-Einkristall und
Na0.5Bi0.1TiO3-Keramik
Abb. 4.2
Abb. 4.3
4.2.1 Die spezifische Wrme

Bei der Optimierung pyroelektrischer Werkstoffe spielt ausser ps und
r auch die Dichte und spezifische Wrmekapazitt cp eine wichtige
Rolle: Die spezifische Wrme cp hngt von der chemischen
Zusammensetzung der Keramik ab.
Abb. 4.4
Abhngigkeit der Wrmekapazitt
von der Temperatur
Abb. 4.4
Nach dem Gesetz von Dulong und Petit (1819) liegen die molaren
Wrmekapazitten Cv fast aller anorganischen Festkrper im Bereich
der Zimmertemperatur in der Nhe von 3R oder 25 Jmol-1K-1 . Da die
Atome der Festkrper drei Freiheitsgrade besitzen und jedem Frei-
heitsgrad nach der kinetischen Wrmetheorie im Mittel der Betrag
kT an kinetischer und ein gleicher Betrag an potentieller Energie
zukommt, ergibt sich ein Gesamtenergieinhalt von 3kT

(k = Boltzmann-Konstante) pro Atom bzw. 3RT pro Mol und demnach
entspricht die molare Wrmekapazitt Cv dem Betrag von 3R. Dieser
Wert ist ein Grenzwert, der erst bei gengend hohen Temperaturen
erreicht wird. Bei tieferen Temperaturen nimmt die Wrmekapazitt
ab und geht gegen Null.
Die Abnahme der spezifischen Wrme bei tieferen Temperaturen hat
Einstein dadurch erklrt, dass er die Quantenstatistik auf die thermi-
schen Schwingungen der Gitterbausteine bertrug. Aus dem Einstein-
schen Modell ergeben sich Werte fr die thermische Energie eines
Oszillators; im Grenzfall hoher Temperaturen wird Cv zu 3R, dem
Dulong-Petitschen Wert. Diese Wrmekapazitt bleibt bei hohen
Temperaturen konstant.
Der Dulong-Petit-Regel gehorchen Elemente mit relativ tiefen Vibra-
tionsfrequenzen am besten. Bei Kristallen mit zwei Atomarten teilt
sich das Frequenzspektrum in zwei ste auf. Die Abweichung der
Wrmekapazitt vom Idealverhalten zeigt sich noch in viel strkerem
Masse als bei den Elementen (Metallen). Bei Zimmertemperatur wei-
chen insbesondere die Atome von C, H, B, Si, O, F, P und S stark vom
Idealverhalten ab.
Mit guter Nherung wird der Verlauf der spezifischen Wrme mit ab-
nehmender Temperatur durch die Debyesche Theorie beschrieben.
Die molare Wrmekapazitt von Festkrpern steigt zunchst mit der
dritten Potenz der absoluten Temperatur und nhert sich bei hheren
Temperaturen dem klassischen Wert 3R. Nach Debye wird eine cha-
rakteristische Temperatur TD (auch Debye-Temperatur) eingefhrt, die
eine Materialkonstante ist. Die charakteristische Temperatur hngt von
den elastischen Eigenschaften des Kristallgitters ab. Je hher TD im
Vergleich zur Zimmertemperatur liegt, um so kleiner wird die molare
Wrmekapazitt gegenber dem Wert von 3 R sein. In der Tabelle 4.2
sind die charakteristischen Temperaturen von einigen Stoffen zusam-
mengestellt.
TD [K] TD [K] TD [K] TD [K]
Na 150 K 100 Cu 315 Ag 215

Be 1000 Mg 290 Zn 250 Cr 485
Tabelle 4.2
Fe 420 Ni 375 Al 390 Ti 350
Die Debye-Temperatur einiger
Stoffe Pb 88 Sn 260 Bi 100 W 310
Pt 225 Sb 140 KCl 227 NaCl 281
KBr 177 AgCl 183 CaF2 474 FeS2 645
Fr die Beziehung zwischen cp und cv sind im festen Zustand die

Kompressibilitt und der Koeffizient der thermischen Ausdehnung des
Festkrpers massgebend. Bei Zimmertemperatur betrgt cp der meisten
Metalle etwa 6.2 cal.mol-1K-1. Dieser Wert erhht sich mit steigender
Temperatur und ist bei der ersten Phasenumwandlung (eine Struktur-
nderung oder das Schmelzen) bei allen Elementen etwa gleich, nm-
lich ca. 7 cal.mol-1K-1.
Nach der Koppschen Regel ist die molare Wrmekapazitt einer Ver-
bindung gleich der Summe der molaren Wrmekapazitten aller betei-
ligten Atome:
Cp = ini(Cp)i (4.4)
Zur Berechnung der Cp bei Zimmertemperatur wird der Wert von

6,2 cal.mol-1K-1in erster Nherung mit der Anzahl der Atome pro Mo-
lekl (Formeleinheit) multipliziert. Der Wert von Cp bei Zimmertem-
peratur ist jedoch bei den stark gebundenen Atomen, die noch nicht
vollstndig oszillieren, kleiner als der Dulong-Petitsche Wert von
6,2 cal.mol-1K-1. So betrgt z.B. die molare Wrmekapazitt Cp des
Berylliums bei 25C nur 4,13 cal.mol-1K-1.
Bei der Berechnung von Cp hochschmelzender Stoffe werden fr die

leichten Nichtmetallatome folgende Beitrge verwendet:
C = 1.8 H = 2.3 B = 2.7 Tabelle 4.3

Atomwrmenbeitrge einiger Stof-
Si = 3.8 O = 4.0 F = 5.0 fe fr die Berechnung von Cp
P = 5.4 S = 5.4 [cal.mol-1K-1]
Fr alle ABO3-Perowskite ergibt sich nach der Koppschen Regel ein

Wert von 24,4 cal.mol-1K-1 bzw. 102,1 Jmol-1K-1. Dieser Wert ist in
einer sehr guten bereinstimmung mit den experimentellen Daten.
Sawaguchi et al. haben fr reines PbZrO3 cp-Werte zwischen 22 und
26 cal.mol-1K-1 ermittelt; Shirane und Takea geben fr PZT 95/5 ein
Cp von 27,5 cal.mol-1K-1 und fr PZT 97,5/2,5 einen Wert von
25,0 cal.mol-1K-1 an. Schliesslich bestimmte Sawaguchi cp von PZT
93/7 als ca. 24 cal.mol-1K-1.
Durch Division der molaren Wrmekapazitt cp (Jmol-1K-1) durch die

molare Masse M (gmol-1) ergibt sich die spezifische Wrme Cp
(Jg-1K-1). Je kleiner die molare Masse, desto grsser ist die
spezifische Wrme eines Stoffes. Da wir kleine Cp wollen, mssen wir
also schwere Atome (Kationen) in das Gitter einbringen. Dotierung
mit Kationen in den ABO3 Perowskit erhht also das Gtekriterium.
4.3 Pyroelektrische Keramiken
Pyroelektrische Detektorwerkstoffe drfen bei der Einsatztemperatur

keine Depolarisationseffekte aufweisen und ihr pyroelektrischer Koef-
fizient muss auch bei Temperaturschwankungen konstant bleiben.
Zudem sollen sie gegenber Wasser und Feuchtigkeit unempfindlich
sein. Alle diese Anforderungen erfllen die Keramikwerkstoffe sehr
gut.
In Tabelle 4.4 sind die wichtigsten pyroelektrischen Werkstoffe und

ihre massgebenden Eigenschaften zusammengestellt. Die hchsten
Gtezahlen erreicht man mit LiTaO3-Einkristallen. Als Keramik ver-
wendet man modifizierte PZT-Werkstoffe (Blei-Zirkonat-Titanat).
Tc P C F 1010
MATERIAL: r
(C) (C/m2K) (J/cm3K) (C cm/J)
EINKRISTALLE
Tabelle 4.4 LiTaO3 618 170-230 43-54 3.1 - 3.2 1.2 - 1.4
Pyroelektrische Werkstoffe und LiNbO3 1210 60 - 83 28-30 2.9 0.4 - 0.8
ihre massgebenden Eigenschaften
(P=Pb, L=La, B=Bi, F=Fe, SbN 121 650 380 2.1 - 2.3 0.7 - 0.8
C=Ca,Co, Z=Zirkonat, T=Titanat,
W=Wolframat, N=Niobat). Pb3Ge3O11 177 110-160 45 2.0 - 2.5 0.6 - 1.2
PbTiO3 490 600 200 2.7 - 3.0 0.9 - 1.1
KERAMIK
PZT 220-350 200-500 250- 2.4 - 2.6 0.2 - 0.5
550
PLZT 115-230 350-1700 500- 2.6 0.2 - 0.3
3800
PBZT 250 310 235 2.5 0.54
PZFN 250 380 240 2.5 0.63
PCCWT 220 443 230 ca. 3.1 0.61
PCCNT 272 580 220 3.1 0.85
PZT-Polymer 60 30 2.4 0.83
4.3.1 Abhngigkeit der Eigenschaften von der Zu-

sammensetzung
Im Bleititanat-Bleizirkonat System (Abb. 4.5) existieren bei Raum-
temperatur drei ferroelektrische und eine antiferroelektrische Phase.
Die physikalischen Eigenschaften der sogenannten PZT-Keramik aus
diesem Mischkristallsystem hngen daher stark von ihrem Zr/Ti-
Verhltnis ab. Sowohl die Dielektrizittskonstante, wie auch der pie-
zo- und der pyroelektrische Koeffizient besitzen ein Maximum nahe
der Phasenumwandlung tetragonal-rhomboedrisch bei ca. 53 Mol%
PbZrO3 (Abb. 4.6).
PZT PbTiO3 PbZrO3 = PbZr1-xTixO3
PLZT = Pb1-yLayZr1-xTixO3-y/2
= (Pb,La)Zr1-xTixO3
Abb. 4.5
Phasendiagramm der festen L-
sung PbZrO3-PbTiO3. (PK parae-
lektrisch-kubische Phase, FRH
ferroelektrisch-rhomboed-rische
Hochtemperaturphase, FRN ferro-
elektrisch-rhomboedrische Nieder-
temperaturphase, FT ferro-
elektrisch-tetragonale Phase, AO
antiferroelektrisch-rhombische
(pseudo-tetragonale) Phase, AT
antiferroelektrisch-tetragonale
Phase).
Abb. 4.5
Abb. 4.6
Abhngigkeit des Pyrokoeffi-
zienten (1,2,3) und des Piezokoeffi-
zienten (1',2',3') von der Zusam-
mensetzung der PZT-Keramik.
Beide Kurvenscharen weisen Ma-
xima nahe der morphotropen Pha-
sengrenze FRH FT auf.
Abb. 4.6
Bei der Entwicklung neuer pyroelektrischer Werkstoffe kommt der

chemischen Zusammensetzung eine Schlsselrolle zu. Da bei der ho-
hen Sintertemperatur von 1250C das Bleioxid teilweise aus den PZT-
Proben verdampft, kann das stchiometrische Verhltnis leicht gestrt
werden. Es ist bekannt, dass PZT bei genau stchiometrischer Zu-
sammensetzung die besten piezoelektrischen Eigenschaften besitzt.
Zur Erhaltung der stchiometrischen Zusammensetzung mssen die

Proben in einer definierten Atmosphre gesintert werden. Diese Atmo-
sphre wird mit Pulver der gleichen Zusammensetzung erzeugt. Zur
Erzeugung der PbO-Atmosphre wird auch Bleizirkonat verwendet,
das einen hheren PbO-Dampfdruck als Bleititanat aufweist. Dann ist
es jedoch ntig, die Menge des Atmosphrenpulvers entsprechend der
Grsse des Brenngefsses genau einzustellen.
Abb. 4.7 zeigt die Eigenschaften der mangandotierten (0,5 Mol%

MnO2) PZT 90/10 Keramik. Bei einem PbO-Unterschuss von
0,8 Mol% sinkt die Dielektrizittszahl bis auf die Hlfte des Wertes
bei der stchiometrischen Zusammensetzung und gleichzeitig steigt
das pyroelektrische Signal merklich an.
Abb. 4.7
Physikalische Eigenschaften von
PZT 90/10 in Funktion des PbO
Gehaltes
1) Diel. Verluste
2) Dielektrizittskonstante
3) pyroel. EMK
Abb. 4.7
4.3.2 Dotierungen
Die physikalischen Eigenschaften der PZT-Keramik lassen sich mit Dotierung:
kleinen Mengen verschiedenster Zustze weitgehend verndern bzw.
anpassen. Undotierte PZT-Keramik ist ein p-Leiter; die p-Leitung ent- AB(4+)O3
steht wahrscheinlich aufgrund von Pb-Leerstellen. Durch Einbau von
Elementen mit unterschiedlichen Valenzen lassen sich die Leerstellen B13+ B25+
kompensieren bzw. Akzeptor- oder Donatorzustnde erzeugen. Durch
die Dotierung mit kleinen Oxidzustzen lassen sich die massgebenden
Materialeigenschaften, wie auch die Sinterbarkeit der PZT-Keramik
betrchtlich verbessern. Besonders wichtig sind Zustze zur Erniedri-
gung der Dielektrizittskonstante, wie z.B. U3O8.
Das vierwertige B-Atom der Perowskitstruktur (Ti, Zr, Sn) lsst sich
durch eine Kombination zweier Atome ersetzen, deren Ionenradien
sich nicht allzu sehr unterscheiden und bei denen der arithmetische
Durchschnitt ihrer Wertigkeiten 4 betrgt. Es kommen Kombinationen
von drei- und fnfwertigen Metallen (B1 = Fe, Sc; B2 = Nb, Ta;
x = y = 0,5), von zwei- und fnfwertigen Metallen (B1 =
Cu, Zn, Ni, Mg; B2 = Nb, Ta; x = 1/3; y = 2/3) sowie von zwei- und
sechswertigen Metallen (B1 = Co, Cd; B2 = W, Mo; x = y = 0,5) vor.
Die thermische Hysterese am Uebergang zwischen zwei rhomboedri-

schen ferroelektrischen Phasen lsst sich z.B. durch eine PZT-
Modifizierung mit Bleieisenniobat PbFe0.5Nb0.5O3 erniedrigen. Blei-
kobaltwolframat PbCo0.5W0.5O3 weist eine Curietemperatur von 32C
auf und eignet sich gut zur Erniedrigung der Curietemperatur der PZT-
Werkstoffe.
Dabei verbessert sich die Polarisierbarkeit des Materials. Ein Gtekri-

terium von 0.6110-10Ccm/J wurde bei Toshiba an einer mit Bleiko-
baltwolframat modifizierter PbTiO3-Keramik durch einen teilweisen
Ersatz von Pb mit Ca erzielt (Abb. 4.8).
Abb. 4.8
Modifizierte pyroelektrische Bleiti-
tanat-Keramik.
Abb. 4.8
Bei der gleichzeitigen Modifizierung des Bleititanats mit Calciumtita-

nat und Bleikupferniobat wurde neuerdings in PbCa(Co,Nb)TiO3-
Proben, die zustzlich mit NiSnO3 dotiert wurden, sogar ein Gtefak-
tor von 0.8510-10Ccm/J festgestellt.
4.4 Anwendungen
Pyroelektrische Sensoren sind Aufnehmer fr Wrmestrahlung, insbe-

sondere im tiefen Infrarot (l - 10 mm). Im Gegensatz zu Halbleiterde-
tektoren (HgCdTe, PbSnTe) bentigen sie keine Khlung. hnlich
den Piezosensoren sind Pyrosensoren nur zur Detektion von nderun-
gen der Wrmestrahlung geeignet. Fr statische Temperaturmessun-
gen wird ein optischer Zerhacker (Chopper) in den Strahlengang ge-
schaltet. Der Hauptvorteil des pyroelektrischen IR-Detektors gegen-
ber anderen thermischen Detektoren (z.B. Thermoelement) sind die
sehr kurzen Ansprechzeiten, die prinzipiell einen Betrieb bis ins kHz-
Gebiet ermglichen.
Die Umwandlung der Lichtstrahlung in eine Signalspannung geht in

folgenden Schritten vor sich:
Die Strahlung wird im Detektorwerkstoff absorbiert und in Wrme

verwandelt.
Die Erwrmung des Materials hat eine nderung der elektrischen
Polarisation zur Folge.
Sind die am Detektormaterial angebrachten Elektroden ber einen
Lastwiderstand miteinander verbunden, dann verursacht jede La-
dungsnderung einen Stromfluss durch den Widerstand.
Am Lastwiderstand fllt eine dem Strom proportionale Signalspan-
nung ab.
Abb. 4.9
Gespeicherte Wrmeleistung P1
und abgeleitete Wrmeleistung P2
in einem periodisch mit be-
strahlten Pyrosensor.
Abb. 4.9
Abb. 4.9 zeigt das Messprinzip eines pyroelektrischen Strahlungsemp-

fngers. P1 sei eine mit der Frequenz zwischen den Werten 0 und P1
modulierte Strahlungsleistung. Sie fhrt zu einer periodischen Erwr-
mung des Detektorvolumens V um T sowie zu einer in die Umge-
bung abfliessenden Leistung P2 = T / Rth. Rth bedeutet Wrmewider-
stand. Fr die Leistung Pth erhlt man: Pth = d/dt (VcpT) =
VcpT. Die pyroelektrische Leistung ergibt sich: Pel = .Pth =
k2pyro (t/2T0)Pth. Der pyroelektrische Kopplungsfaktor k2pyro gibt an,
um welchen Faktor der pyroelektrische Wandlungsgrad kleiner ist als
der Carnotsche Grenzwert.
Eine wichtige Kenngrsse fr die Klassifizierung eines pyroelektri-

schen Detektors ist seine Empfindlichkeit. Sie ist gegeben durch den
Quotienten des Detektorausgangssignals und der auf den Detektor
auftreffenden thermischen Strahlungsleistung (W). Die optische Band-
breite kennzeichnet den Bereich, in dem der Detektor empfindlich ist.
Ein Vergleich einiger kommerzieller Detektoren zeigt die Tabelle 4.5.
Typ RPY 97 IRA LHI 958 4192 KIR-0 PID-10

E002SX
4
Mullard Murata Heimann Eltec Kureka Siemens

Hersteller
PZT PZT Lithium Lithium PDVF PDVF
Material
Keramik Keramik Tantalat Tantalat Polymer Polymer
Kompen-
Eigen- Doppel- Doppel- Doppel- Doppel- Doppel-
sations-
schaft element element element element element
element
TO-5 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5
nicht
Gehuse
kompati-
bel
Tabelle 4.5
Vergleich einiger kommerzieller Optische 6.5 - 14 7 - 14 8 - 14 7.5 - 12 2 - 15 -
Detektoren. Bandbrei-
te [m]
Empfind- 720 V/W 1300 3500 2700 50 V/W 2200 V/W
lichkeit V/W V/W V/W
Der pyroelektrische Detektor ist im mittleren und fernen IR allen an-

deren Ausfhrungen berlegen. Pyrosensoren werden als Einzelele-
mente und Differentialelemente sowie Matrixanordnungen fr pyroe-
lektrische Wrmebildkameras verwendet.
Man versieht die Detektoren mit einem optischen System, das den
berwachungsraum in einzelne Segmente einteilt.
Zusammenfassung
1. Der pyroelektrische Effekt setzt sich zusammen aus dem primren

und dem sekundren Effekt. Der primre Effekt wird durch die
Temperaturabhngigkeit der dielektrischen Verschiebung D her-
vorgerufen. Den sekundren Effekt verursacht die thermische Aus-
dehnung.
2. Die Gte pyroelektrischer Werkstoffe ist direkt proportional zum

pyroelektrischen Koeffizienten ps und umgekehrt proportional zur
Dielektrizittszahl r und zur Volumenwrmekapazitt C.
3. Die molare Wrmekapazitt ist in erster Nherung gleich der Sum-

me der Atomwrmenbeitrge aller beteiligten Atome. Bei schwere-
ren Atomen wird der Wert von 6.2 cal/molK eingesetzt, bei leichte-
ren Nichtmetallatomen werden tiefere Werte zwischen 1.8
cal/molK bei Kohlenstoff und 5.4 cal/molK bei Phosphor und
Schwefel gebraucht.
4. Die wichtigsten pyroelektrischen Werkstoffe sind LiTaO3 und mo-

difizierte PZT-Keramiken.
Lernkontrolle
1. Erklren Sie die Bedeutung des Begriffes Pyroelektrizitt.
2. Wozu werden pyroelektrische Detektoren verwendet?
3. Welche Materialeigenschaften spielen bei der Optimierung pyroe-

lektrischer Werkstoffe eine wichtige Rolle?
5.Kap
Piezoelektrika
Mit Piezoelektrizitt (griechisch: Druckelektrizitt) wird die Eigen-
schaft eines Werkstoffs bezeichnet, welcher elektrische Ladung an
seiner Oberflche zeigt, wenn mechanische Spannung auf ihn einwirkt
oder umgekehrt ein Werkstoff (Werkstck) seine usseren Abmessun-
gen ndert, wenn an ihn ein elektrisches Feld angelegt wird.
In diesem Kapitel werden die kristallographisch notwendigen Bedin-
gungen gezeigt, die fr Piezoelektrizitt Voraussetzung sind. Ziel ist
es, die Anwendungen von Piezoelektrika in Gasanzndern, Lautspre-
chern, Transformatoren etc. zu verstehen.
5.1Grundbegriffe
Bei manchen Kristallen wie Quarz oder Turmalin treten Ladungen an

den Oberflchen auf, wenn Zug oder Druck auf die Stoffe einwirkt.
Daher kommt die Bezeichnung Piezoelektrizitt. Abb. 5.1 stellt dar,
wie dieser Effekt nachgewiesen wird.
An ein geeignet geschnittenes Stck eines pieoelektrischen Kristalles
werden isolierte Metallplttchen gelegt, die mit einem Elektrometer
verbunden sind. Wird die ganze Anordnung zusammengedrckt, so
ldt sich das Elektrometer auf.
Die geschilderten Erscheinungen knnen auch umgekehrt werden.
Wirkt ein elektrisches Feld auf das Kristallstck, so wird dieses ver-
formt, verlngert oder verkrzt, je nach Richtung des Feldes (E-
lektrostriktion). Man bezeichnet diesen Vorgang als reziproken pie-
zoelektrischen Effekt.
Der piezoelektrische Effekt kann grundstzlich nur in nichtzentro-
Abb. 5.1 symmetrischen Kristallklassen auftreten, da ein zentrosymmetrischer
Nachweis der Piezoelektrizitt. Kristall auch nach seiner Deformation zentrosymmetrisch bleibt und
Wird Druck auf die beiden Stirn- deshalb keine polare Richtung besitzen kann. Die Anionen- und Kati-
flchen ausgebt, verndert sich onen-Untergitter im Kristall werden gleichmssig deformiert, d.h. die
deren Oberflchenladung und das
Ladungsschwerpunkte in der Elementarzelle verschieben sich nicht
Elektrometer ldt sich auf.
gegeneinander.
In unpolaren Kristallen wie z.B. Zinksulfid tritt der Piezoeffekt auf-

grund der Deformation der nicht zentrosymmetrischen Elemetarzelle
auf. Die Ladungsschwerpunkte der Untergitter verschieben sich ge-
geneinander, was zu einer Polarisation der Elementarzelle fhrt.
Makroskopisch ist dieser Vorgang durch einen Strom, der zwischen
den Elektroden auf den Stirnflchen des Kristalls fliesst, messbar.
Dies ist nur in bestimmten kristallographischen Richtungen mglich
weshalb sich der Piezoeffekt nur in Einkristallen zeigt.
Abb. 5.2
Polarisation durch mechanische
Deformation eines Quarzkristalls.
Wird Druck auf den Kristall aus-
gebt, so werden die beiden Elekt-
roden elektrisch aufgeladen. Abb. 5.2
In spontan polarisierten Kristallen wie dem Turmalin zeigt sich der

Piezoeffekt als Folge einer durch mechanische Wirkung bedingten
n-derung der schon vorhandenen Polarisation, was zu einer nde-
rung der Oberflchenladung fhrt. In dieser Kristallklasse kann eine
nderung der spontanen Polarisation auch durch thermisch bedingte
Formnde-rung (Wrmeausdehnung) hervorgerufen werden. Dieser
Piezoeffekt ist gleichbedeutend mit dem sekundren Pyroeffekt (Kap.
4).
Jeder pyroelektrische Kristall ist somit auch piezoelektrisch!
Alle Ferroelektrika zeigen unterhalb Tc den Piezoeffekt, jedoch nur

solange sie eine Nettopolarisation aufweisen. Diese Werkstoffgruppe
findet die breiteste Anwendung, da Ferroelektrika aus den bekannten
Grnden als Keramik verarbeitbar sind (ferroelektrische Piezokera-
mik).
Der Piezoeffekt ist immer dann zu beobachten, wenn ein Werkstoff

durch Deformation polarisierbar ist bzw. sich die vorhandene Polarisa-
tion ndert. Alle Ferroelektrika zeigen den Pyroeffekt, alle Pyroe-
lektrika zeigen den Piezoeffekt.
Vom direkten piezoelektrischen Effekt spricht man, wenn eine me-

chanische Deformation eines piezoelektrischen Krpers von einer zu
ihr proportionalen nderung der elektrischen Polarisation begleitet
wird, d.h. eine lineare Wechselwirkung zwischen dem mechanischen
und elektrischen Zustand in Kristallen besteht. Dies beobachtet man
bei allen nicht ferroelektrischen Piezokristallen.
Der Effekt beruht auf der Verschiebung von Ionen, Ladungen und Di-
polen bei einseitigem Druck oder mechanischer Verzerrung.
Eine relative Deformation s = x/x erzeugt ein elektrisches Piezofeld
E das proportional zu dieser Deformation ist, d.h. eine Spannung U =
Ex zwischen den Stirnflchen, die proportional zu x ist:
E = dx/x oder U = dx (4.1)

Abb. 5.3
d ist der piezoelektrische Koeffizient. Die Elektrostriktion. Beim An-
legen einer Spannung dehnt sich
der Kristall aus.
Der reziproke piezoelektrische Effekt bedeutet das Auftreten innerer

mechanischer Spannungen, die zum usseren elektrischen Feld
proportional sind und eine Deformation des Festkrpers verursachen
(Abb. 5.3).
Einen nichtlinearen Effekt beobachtet man bei der ferroelektrischen

Piezokeramik (Ferroelektrika). Die Spannung beschreibt eine Hyste-
rese gegenber der Deformation.
Auch der reziproke piezoelektrische Effekt zeigt eine Hysterese der
Deformation gegenber dem angelegten Feld. Die Polarisation wird
durch das elektrische Feld ausgerichtet, so dass die Polarisation eine
Komponente in Feldrichtung aufweist.
Abb. 5.4
Dimensionsnderung der Piezo-
keramik beim Polarisieren:
a) vor dem Polarisieren
b) nach dem Polarisieren
c) Piezoelektrische Hystere-
seschleife, wobei V = el. Span-
nung, E = Polarisa-tionsfeld,
S3 = Dehnung
Abb. 5.4
Das Anlegen eines elektrischen Feldes fhrt zu einer Maximaldehnung

A in Polarisationsrichtung. Beim Ausschalten des elektrischen Feldes
bleibt eine Remanenzverlngerung C bestehen. Typische mechani-
sche Deformationen der gepolten piezoelektrischen Keramikplatten
sind in Abb. 5.5 dargestellt.
Abb. 5.5
Mechanische Deformation ge-
polter piezoelektrischer Platten
durch ein elektrisches Feld.
a) Dicke und Lnge
b) radial
c) Scherung
d) Biegung
Abb. 5.5
Schliesst man an die Endflchen einer piezoelektrischen Platte eine

Wechselstromquelle an, so wechseln entsprechend der Frequenz des
Stroms Dehnung und Kompression, d.h. die Platte schwingt. Damit
lassen sich elektrische Schwingungen in mechanische umwandeln und
umgekehrt.
Die Kenntnis der phnomenologischen Beschreibungsweise der Ver-

zerrungs- und Spannungszustnde sowie des elastischen Verhaltens
eines piezoelektrischen Kristalls ist die Voraussetzung fr die Formu-
lierung der Zustandsgleichungen, die den piezoelektrischen Effekt als
lineare Wechselwirkung zwischen dem mechanischen und dem elekt-
rischen Zustand des Kristalls beschreiben. Aufgrund der Gitteraniso-
tropie piezoelektrischer Materialien ist fr eine vollstndige Beschrei-
bung die Tensorform blich.
Je nach der Richtung, welche die piezoelektrische Polarisation in Be-
zug auf die Spannungskoordinate, die sie verursacht, besitzt, unter-
scheidet man vier Arten des piezoelektrischen Effektes. Sie sind sche-
matisch in Abb. 5.6 dargestellt.
Abb. 5.6
Beispiele von vier Arten des direkten
piezoelektrischen Effektes.
Abb. 5.6
Den Longitudinaleffekt (Lngseffekt) bezeichnen wir mit dem Sym-

bol L. Die Normalspannung verursacht dabei eine zu der Normalspan-
nung parallele Polarisation. Beim Transversaleffekt T (Quereffekt)
steht die durch eine Normalspannung verursachte Polarisation senk-
recht zu der Normalspannung, beim longitudinalen Schubeffekt SL
parallel zu der Schubspannungsachse, d.h. senkrecht zu der Richtung
der Schubspannung selbst. Die Polarisation des transversalen Schubef-
fekts ST steht parallel zur Schubebene, d.h. senkrecht zur Schubachse.
In der praktischen Anwendung ist man bestrebt, solche Richtungen

auszuwhlen, in denen maximale Effekte auftreten. Sensoranordnun-
gen werden so ausgelegt, dass im piezoelektrischen Material mechani-
sche Spannungen und elektrische Felder parallel oder senkrecht zur
Anisotropieachse (Achse 3) auftreten. Unter diesen Voraussetzungen
kann man nur drei Hauptlagen unterscheiden (Abb. 5.7). Die entspre-
chenden piezoelektischen Effekte werden als Lngs-, Quer- und
Schereffekt bezeichnet. Sie lassen sich jeweils durch drei skalare Pie-
zokoeffizienten, z.B. d33, d31 und d15 beschreiben.
Abb. 5.7:
Piezoeffekte mit ausgezeichneten
Wirkungsrichtungen
Abb. 5.7
Fr gepolte Ferroelektrika in keramischer Form bestehen als Symmet-

rieelemente eine Rotationsachse unendlicher Ordnung in Richtung der
Polarisation und eine unendliche Folge aller zu dieser Achse parallelen
Ebenen als Spiegelebenen. Diese polare Achse wird als z-Achse (Ach-
se 3) bezeichnet, jede dazu senkrechte Richtung kann als x-Achse
(Achse 1) gewhlt werden. Aus den Symmetriebeziehungen ergeben
sich nur die unabhngigen fnf elastischen, drei piezoelektrischen und
zwei dielektrischen Grundkonstanten, die nicht Null werden:
r11, r33, r55, r12, r13; d33, d31, d15; e11, e33.
Fr die piezoelektrischen, pyroelektrischen und thermoelastischen

Effekte kann man jeweils einen Wandlungsgrad bestimmen, der an-
gibt, welcher Anteil der insgesamt zugefhrten Energie in gewandelter
Form verfgbar ist. Die anteilsmssige Umwandlung von mechani-
scher in elektrische Energie kann anhand eines Kreisprozesses be-
stimmt werden. Dies ergibt:
k2 = umgewandelte Energie / Energieinput
Der Ausdruck k2 wird allgemein als piezoelektrischer Kopplungs-

faktor bezeichnet (k233 fr den Lngseffekt, k231 fr den Quereffekt,
k215 fr den Schereffekt). Er ist gleichbedeutend fr den Wandlungs-
grad eines piezoelektrischen Kreisprozesses (Abb. 5.8).
Abb. 5.8
Der piezoelektrische Kreisprozess
Kopplungsfaktoren bei piezoelekt-
rischen, pyroelektrischen und
thermoelastischen Effekten
Abb. 5.8
Die grssten piezoelektrischen Effekte findet man bei den piezokera-

mischen Werkstoffen (PZT). 50 % der mechanisch aufgewendeten
Energie lsst sich umwandeln; in mechanischer Resonanz sind Leis-
tungswirkungsgrade ber 95 % erzielbar. Die Effekte bei Einkristallen
wie LiNbO3 (3 - 40 %) oder Quarz (ca. 1 %) sowie bei Polymeren
(PVDF = Polyvinylidendifluorid) sind geringer (Abb. 5.8).
5.2 Die Werkstoffe
Ende der vierziger Jahre wurden die ersten Versuche mit piezoelektri-
schen Bariumtitanatkeramiken durchgefhrt. Ihr wesentlicher Nachteil
ist, dass sie nur in einem relativ schmalen Temperaturbereich anwend-
bar sind (Tc = 120C).
Am weitesten verbreitet sind heute ferroelektrische Keramiken, die

aus festen Lsungen von PbZrO3 und PbTiO3 bestehen (Bleizirkonat-
titanat-Mischkeramiken, PZT). Das Phasendiagramm dieses Systems
ist bereits in Abb. 4.5 (Kap. 4.3) wiedergegeben. Alle Materialien der
kontinuierlichen Mischungsreihe besitzen bei hohen Temperaturen das
kubische Perowskitgitter. Unterhalb der vom PbTiO3-Gehalt abhngi-
gen Curie-Temperatur tritt eine spontane Verzerrung der kubischen
Elementarzelle auf. PbTiO3-reiche Mischungen nehmen eine tetrago-
nale Kristallstruktur an (Verlngerung der Elementarzelle in Richtung
der c-Achse bei gleichzeitiger Kontraktion der senkrecht stehenden
Achse), whrend PbTiO3-arme Mischungen in eine rhomboedrische
Phase bergehen (Verzerrung lngs einer Flchendiagonale). In die-
sem System sind bei relativ kleinen Dielektrizittszahlen sehr hohe
Werte fr die remanente Polarisation von bis 50 mC/m2 erzielbar.
Bleititanatreiche Zusammensetzungen sind aufgrund der hohen tetra-
gonalen Gitterabweichung (c/a-Verhltnis von 1,064) nur schlecht sin-
terbar und zerfallen beim Phasenbergang kubisch-tetragonal. Zudem
sind sie nur schwer polarisierbar und besitzen eine hohe elektrische
Leitfhigkeit. Fr spezielle Anwendungen bei hohen Temperaturen
verwendet man PbTiO3 mit 1% MnO2 (Tc = 520C); die Anwendung
dieser Keramik wird jedoch durch einen starken Abfall des Isolations-
widerstandes mit steigender Temperatur beeintrchtigt. Eine Substitu-
tion von Titan durch Zirkon reduziert die tetragonale Verzerrung
(c/a = 1,02 bei 53 Mol% PbZrO3) und fhrt schliesslich zu der bereits
erwhnten rhomboedrischen, ferroelektrischen Phase. Die orthorhom-
bische PbZrO3-Phase bis ca. 6 Mol% PbTiO3 ist antiferro-elektrisch.
In der Nhe der temperaturunabhngigen, morphotropen Phasengrenze
tetragonal-rhomboedrisch (ca. 53 Mol% PbZrO3) ist die Dielektrizi-
ttskonstante am grssten (Abb. 0.9).
Abb. 0.9
Verlauf der Dielektrizittskon-
stante (r) und des planaren Kopp-
lungskoeffizienten (kp) im System
PbTiO3- PbZrO3
Abb. 0.9
Bei einer Zusammensetzung zwischen 52 Mol% PbZrO3 und

56 Mol% PbZrO3 knnen die beiden ferroelektrischen Phasen neben-
einander koexistieren. In diesem Bereich zeigen piezoelektrische Ko-
effizienten Extremwerte (Abb. 5.10).
Abb. 5.10:
Piezoelektrische Koeffizienten im
System PbTiO3-PbZrO3
Abb. 5.10
Durch Substitution und Dotierungen lassen sich die Eigenschaften

dieser Werkstoffe weiter anpassen.
Als dritte Komponente zum PbTiO3-PbZrO3-System werden heute
insbesondere komplexe Relaxor-Ferroelektrika mit Perowskitstruktur
des Types A2+(B2+1/3B5+2/3)O3 oder A2+(B3+1/2B5+1/2)O3, wo

B5+ = Nb5+,Ta5+, B2+= Mg,Fe,Co,Ni,Zn und B3+ = Cr,Fe,Ni verwen-
det. Bild 5.14 zeigt das System PbTiO3-PbZrO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3.
Durch Dotierungen mit Oxiden wie Cr2O3, CoO, NiO, Fe2O3 und
MnO2 bis zu 2% kann der Kopplungsfaktor noch erhht werden.
Abb. 5.11
Phasendiagramm des Systems
PbTiO3-PbZrO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3
Abb. 5.11
Versuche zur Systematisierung der Wirkung von Dotierungen haben

zu folgender Einteilung gefhrt:
1) Gruppe der Hrter: K+, Fe3+, Sc3+, Mg2+
Sie werden mit geringerer Wertigkeit als das entsprechende Gitter-

atom (Pb2+, Ti4+, Zr4+) eingebaut und wirken als Akzeptoren. Gegen-
ber der undotierten PZT-Keramik kommt es zu einer Verminderung
von Pb-Leerstellen, und die Werkstoffe zeigen eine schwerere Polari-
sierbarkeit und hhere Depolarisationsfeldstrke.
2) Gruppe der Weichmacher: La3+, Nd3+, Bi5+, Sb5+, Ta5+, Nb5+, W6+
Sie werden mit hherer Wertigkeit als das entsprechende Gitteratom

eingebaut und wirken als Elektronendonoren. Durch ihre Anwesenheit
kommt es zu einer Erhhung der Bleilckenkonzentration und dadurch
zu einer Erhhung der Sinterfhigkeit. Sie erhhen den elektrischen
Widerstand und machen die Keramik leichter polarisierbar.
3) Gruppe der Stabilisatoren: Mn4+, Cr3+, Ni3+, Co3+

Sie werden an den Korngrenzen abgeschieden und erhhen die Lang-

zeitstabilitt.
Neben den Perowskiten werden fr piezoelektrische Keramik auch

Bismuttitanat und seine Abkmmlinge verwendet.
Zu den Vorteilen des Bismuttitanates gehrt seine hohe Curie-
temperatur (675C) und seine stark anisotrope Schichtstruktur, die
eine Orientierung der Kristallite erlaubt. Dadurch verhlt sich die
Bi4Ti3O12-Keramik fast wie ein Einkristall, d.h. zeigt fast keine Hyste-
reseschleife. Plttchenfrmige Kristalle, die sich beim Foliengiessen
der Keramik gerichtet anordnen, lassen sich z.B. aus Salzschmelzen
nach einem speziellen Verfahren herstellen.
5.3 Besonderheiten der Technologie
Bleititanatzirkonat-Verbindungen weisen die Besonderheit auf, dass

sie bereits bei relativ niedrigen Temperaturen gemss der Gleichung
Pb(Zr,Ti)O3 > 900C PbO + ZrO2 + TiO2 zerfallen. Bei Temperaturen
ber 850C verdampft PbO aus den Proben. Beim Sintern ist deshalb
eine Regulierung des Bleihaushaltes unumgnglich. Entweder wird im
Pulverbett gesintert oder werden sogenannte "Atmosphrenscheiben"
(PbZrO3-Tabletten mit ca 4% PbO) zur Erzeugung einer entsprechen-
der Bleioxidatmosphre zugegeben.
Um einer ferroelektrischen Keramik piezoelektrische Eigenschaften
aufzuzwingen, muss man zur Erzeugung einer remanenten Polarisati-
on ein elektrisches Feld anlegen (vgl. Kap. 2). Die Hhe der remanen-
ten Polarisation bestimmt die Grsse des radialen Kopplungsfaktors.
Bei Einwirkung des Feldes bewegen sich sowohl 180o- als auch 90o-
Wnde derart, dass die Polarisation in Richtung des Feldes erhht
wird. Polarisationsnderungen ber 90-Prozesse im tetragonalen Be-
reich bzw. 71 und 109 im rhomboedrischen Material verursachen im
Gegensatz zu den 180-Umkehrungen Gestaltsnderungen des Kristal-
les und sind daher mit betrchtlichen mechanischen Spannungen ver-
bunden. Diese Deformation behindert das Umklappen der 90-
Domnen und bewirkt, dass bei Abschalten des Feldes ein Teil der
Polarisation ber spannungsabbauende 90-Prozesse wieder zurck-
klappt. Obwohl tetragonale Materialien hhere Werte der spontanen
Polarisation besitzen, ist ihr Domnenausrichtungsgrad schlechter als
bei der rhomboedrischen Kristallstruktur. In der tetragonalen Phase
lassen sich bei der PZT-Keramik maximal nur etwa 63% der Dipole
ausrichten, in der rhomboedrischen dagegen bis zu 74%.
PZT-Keramik wird bei 120oC mit einer Feldstrke von 2 - 4 kV/mm

mindestens 10 Min. polarisiert. Abb. 5.12 zeigt den Einfluss der Pola-
risationsdauer und -feldstrke auf den radialen Kopplungsfaktor. Sehr
hohe elektrische Felder lassen sich mit der "Corona Entladungs-
Technik" (Abb. 5.13) erreichen.
Abb. 5.12
Einfluss der Polarisationsdauer
auf den radialen Kopplungsfaktor
kr bei Piezolan S. Polarisierendes
Gleichfeld als Parameter.
Abb. 5.12
Abb. 5.13
"Corona Entladungs-Technik" Abb. 5.13
5.4 Alterung und Hysterese
Jede gepolte Keramik depolarisiert langsam im Verlauf der Zeit. Die-

ser Prozess der Alterung wird bei hheren Temperaturen und durch
mechanische Belastung betrchtlich beschleunigt.
Als Nherung wird die Alterung der Messgrsse Y mit der Beziehung:
[Y(t2) - Y(t1)]/Y(t1) = Alog10(t2/t1) (5.2)
wo A die Alterungsrate pro Zeitdekade ist, beschrieben. Die Alte-

rungsrate ist jedoch nicht absolut konstant, sondern sie verndert sich
leicht mit der Zeit. Sie bewegt sich bei blichen Keramiken zwischen
ca. 0,2% bis zu einigen Prozenten. Bei der mit 4,5% Pb(Mn1/3/Sb2/3)O3
modifizierten PZT-Werkstoffen betrug z.B. die Alterung des planaren
Kopplungsfaktors in 14 Jahren (Temperaturvariationen von -5C bis
38C) nur 0,5% des Wertes, der einen Monat nach der Herstellung
gemessen wurde (A = 0,22%).
Als Ursache fr die Alterung der Eigenschaften wird eine allmhliche

nderung der spontanen Polarisation angenommen. Die Werte der
spontanen Polarisation und die Koerzitivkraft der frischen Proben fal-
len mit der Zeit ab. Unmittelbar nach Abkhlung des Materiales be-
finden sich viele der 90-Wnde in einem quasistabilen Zustand, in
dem sie durch relativ kleine Felder bewegt werden knnen. Im Laufe
der Zeit wandeln sie sich in einen stabilen Zustand um und hren auf,
zur Polarisation des Materiales Beitrge zu leisten. Eine sehr langsame
Bewegung der Domnenwnde fhrt ber eine Energiebarriere zu ei-
nem Minimum der potentiellen Energie.
Die Alterung besteht aus mehreren Prozessen:
1. Reorientierung der Domnen

2. Diffusion der Zustze (Defekte) zu den Domnenwnden und
Korngrenzen
3. Feldausrichtung der Zustze und Defekte innerhalb der Dom-
nen
Die Alterungsrate ist um so grsser, je nher die Temperatur bei der

Curietemperatur liegt. Bestimmte Zustze knnen den Alterungs-
mechanismus schon in geringfgigen Mengen beeinflussen. Ein gepol-
tes Material altert in derselben Weise wie ein ungepoltes Material. Die
Alterung wird weitgehend durch die Bewegung von 90-Wnden ver-
ursacht.
Die in der Probe whrend ihrer Herstellung entstandenen inneren

Spannungen knnen in erheblichem Masse die piezoelektrischen
Eigenschaften polarisierter Proben beeinflussen. In der Keramik gibt
es Domnen, die nahe beim instabilen Zustand liegen und unter dem
Einfluss von Druck in einen neuen Zustand bergehen. Wirkt auf das
keramische Piezoelement ein hinreichend grosser Druck, dann ndert
sich die Verteilung der Domnen betrchtlich. Die mechanische Belas-
tung fhrt zu einem Abfall der remanenten Polarisation, und es kommt
zu einer nderung der Orientierung der polaren Achsen einiger Do-
mnen um 90. Bei kleinen Spannungen kehren nach der Entlastung
alle Domnen wieder in den Anfangszustand zurck; bei grossen us-
seren Spannungen treten jedoch bleibende Deformationen auf.
Die Ermdungserscheinungen der Piezokeramik unter Belastung ste-

hen im Kontrast zum konstanten Verhalten der nicht-ferro-
elektrischen Werkstoffe wie Quarz. Die piezoelektrische Konstante ist
bei der Keramik von der Grsse des wirkenden Druckes und der Vor-
geschichte der Probe abhngig. Die Kurve der elektrischen Ladung zur
mechanischen Belastung ist nichtlinear und zeigt stets eine Hysterese.
Abb. 5.14
Verhalten der Piezokeramik bei
mechanischer Belastung
Abb. 5.14
Ein typischer Verlauf des elektrischen Signals in Abhngigkeit von

der Belastung der Piezokeramik ist in Abb. 5.14 dargestellt. Bis zu
einem bestimmten Drucklimit Tm kann der Belastungs- und Entlas-
tungszyklus beliebig wiederholt werden. Ein grosser Teil des Aus-
gangssignals beruht auf reversiblen 90 (71, 109)-
Domnenwandbewegungen. Der Grad der Reversibilitt und die Grs-
se des Drucklimits hngt von der Geschwindigkeit und Wirkungszeit
der Belastung ab. Tm bewegt sich bei der Piezokeramik zwischen 30
und 130 MPa. Wenn die Belastung diese Grenze bersteigt, wird die
Keramik teilweise depolarisieren. Das Ausgangssignal bei folgenden
Zyklen wird dadurch stark reduziert. Als Grund fr die "Ermdung"
des Piezoelementes, d.h. Verringerung der piezoelektrischen Ladung
bei wiederholter Belastung, werden Wandverschiebungsprozesse an-
gesehen.
Werkstoffe auf Bismuttitanat-Basis zeigen sehr kleine Hysteresen.
5.5 Anwendungen der Piezoelektrika
Die Anwendungen der piezoelektrischen Werkstoffe erstrecken sich

von Sensoren zum Messen von Krften, Drcken und Beschleunigun-
gen bis zu Elementen fr Nachrichten- und Hochfrequenztechnik. Den
Anwendungsstammbaum von Piezomaterialien zeigt Tabelle 5.2.
Anwendungen des direkten piezoelektrischen Effektes

(Resonanzschwingungen der piezoelektrischen Elemente unerwnscht):
Piezoelektrische Messtechnik:
Kraft-, Druck- und Beschleunigungsaufnehmer
Anwendungen des reziproken piezoelektrischen Effektes

(Piezoelektrische Elemente schwingen meistens in ihrer Resonanzfrequenz):
Ultraschalltechnik (Erregung der energiereichen Ultraschallwellen):
Piezoelektrische elektromechanische Wandler
Nachrichtentechnik:
Frequenzstabilisierung:
Frequenznormale, Zeitnormale, Quarzuhren Tabelle 5.2
Frequenzfilter Anwendungsgebiete von Piezo-
materialien
Bei der piezoelektrischen Messtechnik bentzt man den direkten pie-
zoelektrischen Effekt, die Resonanzschwingungen sind unerwnscht.
Allen Anwendungen der Piezoelektrizitt in der Hoch-frequenz- und
Ultraschalltechnik ist gemeinsam, dass die piezoelektrischen Elemente
aufgrund des reziproken piezoelektrischen Effektes zu Resonanz-
schwingungen angeregt werden. Beispiele verschiedener Anwendun-
gen sind aus Tabelle 5.3 ersichtlich.
Hochspannungserzeugung Tabelle 5.3

Znder Anwendungen der Piezowerkstoffe
HL-Ultraschallwandler
Reinigungsbder
Schweissen von Kunststoffen und Metallen
Bohren
Zerstuben
Echo-Lot
Micromanipulatoren
zerstrungsfreie Prfung
med. Diagnose
Hydrophonie
Seismik
Zhlautomaten
berwachungsdedektoren
Biegeelemente
Tonabnehmer
Schrittmotoren
Bandpassfilter
Niveaumesser
Stimmgabelresonatoren
Abb. 5.15 zeigt die Ausntzung von PZT-Piezokeramik als Gas-

Znder. Beim Schlag entsteht eine Spannung von 10'000 V oder mehr.
Der Hochspannungsfunken entwickelt Temperaturen von einigen tau-
send Grad (Plasma). Eine Lebensdauer von 100'000-facher Bentzung
kann dabei garantiert werden. Dies bedeutet bei 30 Anwendungen pro
Tag mehr als 10 Jahre.
Abb. 5.15
Schematische Darstellung eines
piezoelektrischen Funkengenera-
tors.
Abb. 5.15
Aus Abb. 5.16 ersehen wir die Anwendungen als Klopfsensor und
Piezodrucktaste, aus Abb. 5.17 diejenige als Ultraschallwandler.
Abb. 5.16
a) Klopfsensor
b) Piezodrucktaste (Dehnungs-
messer)
Abb. 5.16
Abb. 5.17
Ultraschallwandler mit zwei-
stufiger Resonanztransformation:
Schnittbild und Richtcharakteristik
Abb. 5.17
Piezoelektrische Transformatoren (Abb. 5.18) bestehen aus einer pie-

zoelektrischen Platte, deren Abmessungen (2 l) die Resonanzfrequenz
bestimmen. Eine Hlfte der Platte ist senkrecht ber die Dicke polari-
siert, die andere Hlfte ist lngs polarisiert.
Abb. 5.18
Struktur eines piezoelektrischen
Transformators
Abb. 5.18
Eine angelegte Spannung V1 der Resonanzfrequenz l bzw. l/2 ver-

ursacht durch den reziproken Piezoeffekt mechanische Vibrationen
lngs der Platte, die ihrerseits durch den direkten Piezoeffekt eine
Hochspannung gleicher Frequenz erzeugen. Das Spannungsverhltnis

V1/V2 (Verstrkung) betrgt 200 bis 500. Es gilt:
V1/V2 = 4/2 Qm k31 k33 l/t (5.3)
Qm = mechanischer Qualittskoeffizient
k31, k33 = elektromechanische Kopplungskoeffizienten
l= halbe Plattenlnge
t= Plattendicke
Bei einer Plattenlnge 2 l von 56 mm betragen die Frequenzen 30 kHz

fr l/2-Mode und 60 kHz fr l-Mode.
Mit einer Last von 100 MW erhlt man eine Verstrkung von
250-300, ein Eingangssignal von 40 V ergibt ca. 10 kV. Piezoelek-
trische Transformer werden als Hochspannungsgeneratoren (z.B.
Fernsehgerte) verwendet. Wichtigste Werkstoffanforderungen sind
hohe mechanische Qualittskoeffizienten Qm von ca. 400 bis 1000 und
grosse elektromechanische Kopplungskoeffizienten k31und k33.
Sensoren knnen nach den Einsatzfrequenzbereichen in quasistatische,

dynamische und Ultraschallsensoren eingeteilt werden (Abb. 5.19).
Abb. 5.19
Beispiele fr piezoelektrische Sen-
soren und deren Frequenzbereich
Abb. 5.19
Zusammenfassung
1. Der piezoelektrische Effekt tritt in nichtzentrosymmetrischen Klas-

sen auf. Bei mechanischen Spannungen werden Ladungen an der
Oberflche der Kristalle erzeugt und umgekehrt, wenn ein elektri-
sches Feld angelegt wird, werden diese Kristalle deformiert.
2. Der piezoelektrische Kopplungsfaktor k2 gibt den Wandlungsgrad

(Verhltnis zwischen zugefhrter Energie und umgewandelter E-
nergie) bei einem piezoelektrischen Kreisprozess an.
3. Als keramische Piezowerkstoffe werden modifizierte PZT-

Keramiken eingesetzt. Durch Substitutionen und Dotierungen las-
sen sich ihre Eigenschaften optimieren. Man unterscheidet dabei
Hrter, die die Polarisierbarkeit erschweren, Weichmacher, welche
die Keramik leichter polarisierbar machen und Stabilisatoren, wel-
che die Langzeitstabilitt erhhen.
Lernkontrolle
1. Erklren Sie die Bedeutung des Begriffes Piezoelektrizitt.
2. Welche Prozesse verursachen die Alterung von Piezokeramiken?
3. Nennen Sie einige Anwendungen piezoelektrischer Werkstoffe.

6. Kap
Elektrooptische Keramik
Elektrische und magnetische Felder induzieren Vernderungen in den
optischen dielektrischen Koeffizienten ij und im Brechungsindex nij
eines Materials. Dadurch wird die Lichtausbreitung im Material beein-
flusst. Elektrooptische Werkstoffe sind geeignet, elektrische Informa-
tion in optische umzuwandeln.
Hufig sind diese Werkstoffe in der Form von Einkristallen im Ein-
satz, wie z. B. LiNbO3, LiTaO3 oder in Form von Flssigkristallen.
Keramische (polykristalline) Werkstoffe knnen ebenfalls fr elekt-
risch gesteuerte Blenden, Farbfilter oder Modulatoren verwendet wer-
den. Sie sind optisch transparent, haben einen elektrooptischen Koef-
fizienten, schnelle Ansprechzeit, geringen Stromverbrauch, Gedcht-
nis, und knnen in relativ grossen Bauteilen kostengnstig (gegenber
Einkristallen) hergestellt werden.
PLZT Werkstoffe wurden erstmals 1969 hergestellt. La3+-Dotierung in
konventionellen PZT hat sich als aussergewhnlich hilfreich erwiesen,
um Transparenz in Keramik zu erzielen. Um die elektrooptischen Ef-
fekte zu verstehen ist ein Blick auf die Einheitszelle des Perowskits
(ABO3) von Nutzen. Wegen der unterschiedlichen Wertigkeit von
Pb2+ zu La3+ bleiben im PLZT (ABO3) - Perowskit - einige A2+- und
B4+-Pltze leer. In der Mitte der Oktaederlcken sitzen die kleinen
Zr4+ und/oder Ti4+. Wird ein elektrisches Feld angelegt, werden die
Zr4+ und Ti4+ in Richtung des Feldes ausgelenkt und dadurch ndert
sich die Gestalt der Probe (Piezoeffekt). Wird nun weisses Licht
durchgeschickt, wird es im Ferroelektrikum polarisiert, und zwar in
zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen (Doppelbrechung).
6.1Grundlagen
Wenn Licht in ein dichteres Medium eindringt, werden die Strahlen

gebrochen. Der Brechungsindex n ist das Verhltnis der Lichtge-
schwindigkeit im Vakuum c zu der Geschwindigkeit im untersuchten
Material cM:
n = c / cM (6.1)
Der Brechungsindex n variiert je nach Medium von 1.0003 (Luft) bis

zu etwa 4 (PbS, Sb2S3). Er ist zudem von der Wellenlnge (Frequenz)
des Lichtes abhngig (Dispersion).
Abb. 6.1
Die Brechungsindizes einiger
Glassorten in Abhngigkeit der
Lichtwellenlnge (Dispersion).
Abb. 6.1
Optische Werkstoffe kann man in zwei Klassen einteilen:
1. Isotrope Medien: - Gase

- Flssigkeiten
- amorphe Feststoffe (Glas)
- kubische Kristalle
2. Anisotrope Medien:
- uniaxal: rhombische, hexagonale und

tetragonale Kristalle
- biaxial: orthorhombische, monokline

und trikline Kristalle
In isotropen Medien (Abb. 6.2a) wird das einfallende weisse Licht in

Abhngigkeit von der Wellenlnge mehr oder weniger gebrochen und
dabei in nur einer Richtung polarisiert. In anisotropen Medien
(Abb. 6.2b) wird der Lichtstrahl jeweils doppelt gebrochen in zwei
verschiedene polarisierte Strahlen, deren Schwingungsrichtungen
senkrecht aufeinander stehen. Es entsteht eine Doppelbrechung.
Abb. 6.2
Lichtbrechung im
a) isotropen Medium
b) anisotropen Medium
Abb. 6.2
Uniaxiale Kristalle zeigen keine Doppelbrechung in der Richtung der

sogenannten optischen Achse; sie sind in dieser Richtung isotrop. In
allen anderen Richtungen ist das Material anisotrop. Der ordentliche
Strahl schwingt senkrecht zur optischen Achse, der ausserordentliche
Strahl parallel zu der optischen Achse. Der Brechungsindex ist fr
beide Strahlen unterschiedlich (no, ne) und die Doppelbrechung n ist
die Differenz der beiden Brechungsindices n = ne - no und kann nega-
tive oder positive Werte annehmen.
Beispiel fr einen uniaxialen Kristall ist Kalzit CaCO3 (Abb. 6.3). In
Richtungen, die verschieden sind von der optischen Achse, entsteht
eine Doppelbrechung.
Abb. 6.3
Doppelbrechung im Calcit-Kristall
(CaCO3)
Abb. 6.3
Die biaxialen Kristalle besitzen drei verschiedene Brechungsindices

n, n und n. Beim Diochroismus (Beispiel: Turmalin) wird in einer
bestimmten Richtung nur eine polarisierte Lichtkomponente durchge-
lassen (Polarisationsfilter).
Fr lineare Dielektrika wurde ein linearer Zusammenhang zwischen

der Polarisation P und dem elektrischen Feld E angenommen, also
P = e 0 E (6.2)
mit e als Skalar der elektrischen Suszeptibilitt, womit dann die die-
lektrische Verschiebung D geschrieben wird als
D = 0 E + e 0 E = (1+e) 0 E = E (6.3)
(Di = ij Ej )
und = r 0 = (1+e) 0 ist. Weiterhin hatten wir gesehen, dass der

Brechungsindex n ber r =n2 mit r verbunden ist.
Der lineare Zusammenhang zwischen der Polarisation und dem Feld
ist eine erste Nherung fr lineare Dielektrika. Tatschlich gilt dies
nur fr kleine Feldnderungen.
D (oder )
Abb. 6.4
Nichtlinearer Zusammenhang
zwischen der dielektrischen Ver- Feldstrke einer
schiebung D und einem an ein optischen Welle
Dielektrikum angelegtem Feld E
E0 E
Vorpolarisation
Abb. 6.4
Die Permittivitt hngt tatschlich von einem an das Material angeleg-

ten Gleichfeld ab, wie Abb. 6.4 zeigt, und damit auch der Brechungs-
index.
n = n0 + a E0 + b E02 + ... (6.4)
Diese Abhngigkeit des Brechungsindexes n vom Feld ist der elektro-

optische Effekt, n0 ist der Brechungsindex ohne angelegtes Feld.
Im Fall eines zentrosymmetrischen Materials - oder gar regellos (wie

Glas) - wird das Umpolen von E0 keinen Einfluss auf n haben, dort ist
also a = 0 und nur die geraden Potenzglieder spielen eine Rolle (b
0).
n = n0 + b E02 + d E04 + ... (6.5)
Wenn das Material nicht zentrosymmetrisch ist, ist auch a 0.
n = n0 + a E0 + b E02 + c E03 + ... (6.6)
In elektrooptischen Materialien verndern sich die optischen Eigen-

schaften wie Brechungsindex, Doppelbrechung und Licht-streuung bei
angelegtem elektrischen Feld. Dadurch lsst sich eine elektrische In-
formation in eine optische Information transformieren oder eine opti-
sche Funktion mit elektrischen Signalen steuern. Die feldinduzierte
nderung des Brechungsindex lsst sich in den quadra-tischen Kerr-
Effekt und den linearen Pockels-Effekt einteilen.
6.1.1 Der Kerr-Effekt (n E2)

Flssigkeiten, Glser und isotrope Kristalle (kubisch) z.B. BaTiO3 bei
T > Tc (kubisch, m3m, n = 2.42) zeigen einen quadratischen elektro-
optischen Effekt, bei dem die Brechungsindexnderungen proportional
zum Quadrat des angelegten elektrischen Feldes sind. Hier ist keine
spontane Polarisation notwendig.
n = ne - no BE2 R. E2 (6.7)
n = Doppelbrechung
= Wellenlnge des Lichtes [m]
E = el. Feldstrke [V/m]
B = Kerr-Konstante [m/V2]
R=B=
. absolute Kerr-Konstante [m2/V2]
Ein Beispiel eines elektrooptischen Werkstoffes mit einem Kerr-

Effekt ist ferroelektrisches Kaliumniobattantalat KNb0.35Ta0.65O3
(KTN) mit einer Curietemperatur von 10C, n = 2,28, r (22oC) von
2,4.104 und R = 2.10-16 m2/V2. Ein Feld von 106 V/m (1 V pro 1mm)
erzeugt eine Doppelbrechung n = 10-3.
Die Ursache des quadratischen elektrooptischen Effektes, der 1875

von J.A. Kerr in Glsern und Flssigkeiten entdeckt wurde, ist ein
teilweises Ausrichten der anisotropen Molekle oder eine Defor-
mation der Molekle und der Elektronenhllen der Atome durch das
elektrische Feld. Das elektrische Feld induziert eine nderung der
Dielektrizittskonstante des Materiales und damit auch des Bre-
chungsindex. Die Permittivitt, welche die Polarisierbarkeit be-
schreibt, ist fr den Kerr-Koeffizient die bestimmende Material-
grsse. Fr grosse Kerr-Effekte verwendet man daher Ferroelektrika
oberhalb der Curietemperatur (isotrop). Die Hauptanwendung von
Kerr-Zellen sind Schalter fr kurze Lichtimpulse.
6.1.2 Der Pockels-Effekt (n E)

Der lineare elektrooptische Effekt wurde 1883 an Quarz- und Turma-
linkristallen entdeckt (W.C. Rntgen) und theoretisch von F. Pockels
erklrt. Er tritt nur in nicht zentrosymmetrischen, d.h. piezoelektri-
schen Kristallen auf und wird vom quadratischen Kerr-Effekt (RE2)
stets begleitet.
Die induzierte Doppelbrechung ist gegeben gemss
n = ne - no (rE + RE2 ) (6.8)
E= el. Feldstrke [V/m]

r= linearer elektrooptischer Koeffizient [m/V]
R= quadratischer elektrooptischer Koeffizient [m2/V2]
als die Summe von Pockels und Kerr Effekt.
Besonders hohe lineare elektrooptische Koeffizienten (Pockels), die

den Kerr-Effekt weit berwiegen, findet man in ferroelektrischen Pe-
rowskiten (BaTiO3, LiNbO3, KTN).
Heute lassen sich bereits sehr kleine Brechungsindexunterschiede von

n = 10-9 durch eine nderung des Polarisationszustandes einer linear
polarisierten Lichtwelle nach dem durchlaufen einer elektrooptischen
Zelle eindeutig bestimmen.
Ferroelektrische PLZT-Keramiken (PbZrO3/PbTiO3-Mischkristalle

dotiert mit 0 - 30 at% La) zeigen n-Werte von 0 bis 0.02. Dies ist
wenig im Vergleich mit einigen Werten (0.3) von natrlichen Einkris-
tallen. Da diese Verzerrung der Einheitszelle klein (<1%) ist, lsst sie
auch eine leichte Umorientierung der ferroelektrischen Domnen zu.
PLZT besitzt nach der Herstellung, vor der Polung, nur eine kleine
Doppelbrechung, die durch die statistische Anordnung der Krner nur
mikroskopisch effektiv ist. Nach der Polung ist das Material doppel-
brechend aufgrund der eingeprgten Polarisation. Der Unterschied im
Brechungsindex in verschiedenen Raumrichtungen (oder durch Polari-

sation eines Ferroelektrikums) ist eine wichtige Eigenschaft fr die
Phasenverschiebung des Lichtes. Je hher das n ist, desto grsser ist
die Phasenverschiebung.
Die Anordnung fr die Phasenverschiebung mit einer gepolten ferro-

elektrischen Keramik ist in Abb. 6.5 gezeigt. Linear polarisiertes, mo-
nochromatisches Licht tritt in die PLZT Keramik ein und wird doppelt
gebrochen, d.h. aufgespalten in zwei aufeinander senkrecht stehende
Komponenten C1 und C2. Die Schwingungsrichtungen der beiden
Komponenten sind durch die kristallographischen Achsen der Krner
gegeben, die als Ganzes agieren, ausgerichtet durch die Polarisierung
des elektrischen Feldes E. Aufgrund der unter-schiedlichen Bre-
chungsindizes ne und no (extraordinre Richtung und ordentliche Rich-
tung) breiten sich die Komponenten des Lichtes unterschiedlich
schnell in der Strahlrichtung aus (senkrecht zu x1 und x2). Wenn die
Strahlen das Material verlassen, hat der resultierende Strahl eine um
den Winkel 90 gedrehte Polarisation. Diese Richtungsnderung der
Polarisation kann mit dem Analysator (P2) gemessen werden.
Abb. 6.5
Phasenverzgerung in elektro-
optischer Keramik (offener Zu-
stand bei Halbwellenspannung)
Abb. 6.5
In ferroelektrischen Materialien kann man ausser den elektrooptischen

Effekten auch die Lichtstreuung durch die Domnen mit einem elekt-
rischen Feld verndern (Domnenorientierung) und ausntzen (Memo-
ry-Effekt).
Die oxidischen Ferroelektrika widerstehen auch sehr hohen Licht-

intensitten und sind daher insbesondere auch fr nichtlinear-optische
Effekte (z.B. Frequenzvervielfacher) interessant. Bei grossen Licht-
intensitten bewegen sich die Bindungselektronen anharmonisch im
elektrischen Feld des Lichtes, da diese Felder vergleichbar werden mit
den atomaren Coulomb-Bindungsfeldstrken. Dies fhrt zu einem

intensittsabhngigen Brechungsindex und weiteren Phnomenen.
Die Verzgerung ist gegeben durch den Unterschied der Brechungs-

indizes und der Lauflnge (t). Der Unterschied im Brechungsindex
(n) kann ber das angelegte elektrische Feld gendert werden, somit
auch die Verzgerung :
= n t (6.9)
Die resultierende Phasenverzgerung ist ein Produkt der elektrisch

gesteuerten Doppelbrechung n und der Materialdicke t. Bei gen-
gend hoher Spannung (Halbwellenpotential) wird eine Verzgerung
der einen Wellenkomponente relativ zu den anderen um eine halbe
Wellenlnge /2 erreicht. Dies resultiert in einer Drehung der Polari-
sationsebene um 90. Mit zwei gekreuzten Polarisatoren kann ein
Lichtschalter verwirklicht werden.
Abb. 6.6
Vektordiagramme der Lichtwellen:
a) geschlossener Zustand
b) offener Zustand
(P1 und P2 sind gekreuzte Polari-
satoren, C1 und C2 sind Polarisati-
onsrichtungen)
Abb. 6.6
Bei einer Verzgerung um n /2 bleibt eine lineare Polarisation des

Lichtes bestehen. Eine Verzgerung um n /4 produziert eine zirkula-
re (kreisfrmige) Polarisation, um n /8 eine eliptische Polarisation
(Abb. 6.7).
Abb. 6.7
Verschiedene Formen von polari-
siertem Licht:
(A) linear,
(B) zirkular,
(C) eliptisch
6.1.3 Wechselwirkung von PLZT mit polychro-

matischen Licht
Mit polychromatischem Licht ndert sich bei angelegter Spannung die
Durchlssigkeit fr verschiedene Farbkomponenten des Lichtes zwi-
schen gekreuzten Polarisatoren infolge der Frequenzabhngigkeit der
Brechungsindizes. Im isotropen Material (Ferroelektrikum in der kubi-
schen Phase oberhalb Tc) wird kein Licht durchgelassen. Bei Anlegen
einer Spannung wird die Ferroelektrizitt und Doppel-brechung (Ani-
sotropie) induziert. Die Farbe des austretenden Lichtes lsst sich mit
der Spannung verndern (Abb. 6.8).
Abb. 6.8
Die Kerr-Verzgerungstabelle
zeigt die Ordnung der Newton-
schen Farbabstufungen
Dies sind die untescheidbaren Farben, die durch einen Schalter mit
gekreuzten Poalrisatoren und einer PLZT-Keramik erhalten werden.
Werden die Polarisationsfilter parallel angeordnet, so ergeben sich die
Komplementrfarben.
Das Resultat sind elektronische Lichtfilter. Eine Verzgerung um n

/2 ergibt weisses Licht bei maximaler Durchlssigkeit fr die grne
Komponente, gelbes Licht entsteht bei der Elimination der blauen
Komponente, blaues Licht bei der Auslschung der roten Komponente
usw (Abb. 6.9).
Abb. 6.9
Optische Transmissionskurven
eines typischen Lichtfilters als
Funktion angelegter Spannung.
Die bei verschiedenen Spannungen
beobachtete Farben sind mit Drei-
ecken markiert
6.2 Werkstoffe
Als elektrooptische Werkstoffe werden meist Ferroelektrika auf der

Basis des Blei-Zirkonat-Titanates (PZT), insbesondere des Blei-
Lanthan-Zirkonat-Titanat (PLZT), verwendet (Tabelle 6.1). Die elekt-
rooptischen Koeffizienten einiger Werkstoffe sind in Tabelle 6.2 zu-
sammengestellt.
Composition Notation Reference Tabelle 6.1

(Pb, La) (Zr, Ti)O3 PLZT Haertling and Land (1971) Transparente elektrooptische Ke-
(Pb, La) (Hf, Ti)O3 PLHT Cutchen and Haertling (1973) ramikwerkstoffe
(Pb, Ba, Sr) (Zr, Ti)O3 PBSZT Miyauchi and Toda (1975)
(Pb, Sn) (In, Zr, Ti)O3 PSIZT Hayashi et al. (1976)
(Pb, Ba, La)Nb2O6 PBLN Yokosuka (1977)
(Pb, La) (Zn, Nb, Zr, Ti)O3 PBLNZT Nagata et al. (1977)
K(Ta, Nb)O3 KTN Debely et al. (1979)
Pb(Sc, Nb)O3 PSN Sternberg et al. (1981)
(Pb, La) (Mg, Nb, Zr, Ti)O3 PLMNZT Kawashima et al. (1982)
(Ba, La) (Ti, Nb)O30 BLTN Gutu-Nelle et al. (1983)
(Pb, La, Li) (Zr, Ti)O3 PLLZT Masuda (1985)
Composition R rc Tabelle 6.2

La/Zr/Ti (x 1016 m2/V2) 10
(x 10 m/V) Elektrooptische Koeffizienten aus-
8.5/65/35 38.60 - gewhlter Keramiken:
9/65/35 3.80 - R = Kerrkonstante
9.5/65/35 1.50 - rc = linearopt. Koeffizient.
10/65/35 0.80 -
11/65/35 0.32 -
12/65/35 0.16 -
8/40/60 - 1.0
12/40/60 - 1.2
KTN (65/35) 0.17 -
LiNbO3 - 0.17
KDP - 0.52
SBN - 2.10
LiTaO3 - 0.22
Das wichtigste Material ist Pb1-xLax(ZryTi1-y)O3 (Abb. 6.10). Die La3+

ersetzen die Pb2+ auf den A2+-Pltzen des ABO3-Perowskitgitters.
Die Elektroneutralitt wird entweder durch A2+- oder B4+-Leerstellen

erreicht (Abb. 6.11). Die Sinterung wird durch diese Leerstellen er-
leichtert, das dichte PLZT-Material ist transparent. Die wichtigsten
Zusammensetzungen sind dabei die tetragonalen oder rhombo-
edrischen Werkstoffe.
Abb. 6.10
Phasendiagramm PbTiO3 (PT) -
PbZrO3 (PZ) - La2O3
(FE = ferroelektrisch,
PE = paraelektrisch,
AFE = antiferroelektrisch)
Abb. 6.11
Elementarzelle von
65PbZrO3/35PbTiO3/8La2O3
Lanthan neigt zur Stabilisierung der paraelektrischen, kubischen wie

auch der antiferroelektrischen Phase des PZT-Systems. Die Curie-
Temperatur erniedrigt sich mit steigendem La-Gehalt. Dabei steigen
die Dielektrizittskonstante und der elektromechanische Kopplungs-
faktor, und die Koerzitivfeldstrke sinkt. Die verschiedenen Typen der
Hysteresekurven der PLZT-Werkstoffe zeigt Abb. 6.12.
Abb. 6.12
Verschiedene Typen der Hystere-
sekurven der PLZT-Werkstoffe.
Die besten Eigenschaften fr elektrooptische Werkstoffe findet man

an der Phasengrenze rhomboedrisch-tetragonal bei ca. 6 % La. Die
tetragonalen Keramiken sind "hart" (hohe Koerzitivfelder), die rhom-
boedrischen dagegen "weich" (tiefe Koerzitivfelder). Die ferroelektri-
sche PLZT-Keramik (n = 2.5, n = 0 bis 0.018) ist vor dem Polen i-
sotrop (n = 0) und zeigt sich erst nach dem Polen doppelbrechend
(n 0). Die isotrope, kubische Phase wird unter dem Einfluss elekt-
rischer Felder optisch doppelbrechend, beim Abschalten des Feldes
wieder iso-trop.
PLZT kann vom lichtdurchlssigen in einen lichtstreuenden, undurch-

sichtigen Zustand geschaltet werden, da in der kubischen Phase Do-
mnen durch ein E-Feld erzeugt werden. Transparente PLZT-Keramik
mit extrem kleiner Lichtstreuung wird durch Heisspressen
(1000 - 1300C, 200 - 600 bar) bzw. HIPen, aber auch durch Sinterung
in PbO-Atmosphre und mehrstufige Sinterung hergestellt (Abb. 6.13
und 6.14).
Abb. 6.13
Transparente PLZT-Keramik
Abb. 6.14
Gefge transparenter PLZT-
Keramik
6.3 Elektrooptische Anwendungen
Je nach Zusammensetzung der PLZT-Kerammik knnen drei haupt-

schliche Effekte ausgentzt werden: der quadratische, der lineare und
der Gedchtnis Effekt
6.3.1 Der quadratische Effekt

Hier benutzt man Zusammensetzungen nahe der ferroelektrischen
rhomboedrisch-tetragonalen Phasengrenze (z.B. 9/65/35). Bei Raum-
temperatur ist das Material fast kubisch, unter einem E-Feld wird aber
der bergang zur romboedrischen oder tetragonalen Symmetrie indu-
ziert und die optische Anisotropie ist proportional zu E2. Aufgrund der
verschwindend kleinen Remanenz werden sie auch Schlanke-
Hysterese-Werkstoffe genannt.
Abb. 6.15
Der quadratische Effekt
6.3.2 Der lineare Effekt

Dies sind Zusammensetzungen, welche den Pockels-Effekt zeigen
(PbTiO3-reiche Werkstoffe der SS im Ft-Gebiet, nicht im C-Gebiet).
Hohe Gehalte an PbTiO3 sorgen fr tetragonale Symmetrie mit hoher
Koerzitivfeldstrke:
Abb. 6.16
Der lineare Effekt
Zuerst wird die Keramik gepolt bis zur Sttigungspolarisation PR (mit

etwa doppelt so hohem E-Feld als die Koerzitivfeldstrke), dann wird
n gemessen.
6.3.3 Der Gedchtnis-Effekt

Hier werden typischerweise Zusammensetzungen verwendet wie
8/65/35 mit ca. 2 m Korngrsse und es wird eine hohe remanente
Polarisation angestrebt.
PR
Abb. 6.17
Der Gedchtnis-Effekt
Es wird mit ca. 3 Ec gepolt und das Feld abgeschaltet. Die Polarisation
realxiert zum Zustand PR. Zwischenzustnde PR1 knnen eingestellt
werden, wenn das Material in den Zustand C gebracht wird und dann
das Feld abgeschaltet wird. Wird dann fr eine bestimmt Zeit das Feld PR
wieder angelegt und die Ladungsverschiebung durch einen Widerstand
kontrolliert, kann der Zustand C fast wieder eingestellt werden. Dies

PR1
kann auch so gefahren werden, dass der Punkt PR1 im Nullpunkt liegt. C
Dieser Effekt wird benutzt, um in Bildplatten Bilder zu speichern.
Licht wird an den Domnen im Material gestreut. Der Domnenzu-
stand wird durch das elektrische Feld E gendert, wenn das Feld 0 ist,
bleibt eine remanente Polarisation. Das Bild kann durch einen Licht-
blitz gelscht werden wenn ein Feld in der positiven Polarisationsrich-
tung angelegt wird.
Einige typische Beispiele fr quadratische und lineare elektrooptische
Anwendungen sowie fr den Memory-Effekt (Lichtstreuung durch
Domnenorientierung) sind in Abb. 6.18 zusammengestellt.
Abb. 6.18
Anwendungsmglichkeiten elekt-
rooptischer PLZT-Keramik
a) quadratisch (z.B. kub. Phase)
b) linear
c) Memory-Effekt
Abb. 6.19 und 6.20 zeigen schnelle PLZT-Lichtschalter als Blen-

dungs-schutz, zudem kommt PLZT als Display-Material zur Anwen-
dung. Ausser der beschriebenen elektrooptischen Effekte werden wei-
tere optische Spezialeffekte technisch ausgentzt.
Abb. 6.19
PLZT-Lichtschalter als Blendungs-
schutz
Abb. 6.20
Blendungsschutz U.S. Air Force
(flash protective goggles)
Lichtsensoren detektieren hohe einfallende Lichtintensitten. Durch

sie wird die Spannung, die an die elektrooptische Komponente gelegt
wird, so gesteuert, dass kein Licht mehr den zweiten Polarisationsfilter
passieren kann.
In Fericon zum Beispiel fhrt die Orientierung der Domnen im elekt-

rischen Feld zur Oberflchendeformation von PLZT (Abb. 6.21).
Abb. 6.21
Fericon
(A) Aufbau des Displays
(B) Oberflchendeformation
PLZT ist photoferroelektrisch, d.h. zugleich ferroelektrisch und licht-

empfindlich (Photohalbleiter). Das elektrische Feld in einer PLZT-
Platte lsst sich daher mit UV-Licht rumlich modulieren. Die entste-
henden Bilder lassen sich elektrisch oder thermal (Heizen ber Tc)
wieder lschen.
Der photorefraktive Effekt bedeutet eine nderung des Brechungsin-
dexes und der Doppelbrechung des Materiales durch Lichteinwirkung.
Auch dieser Effekt kann zur Informationsspeicherung ausgentzt wer-
den. Fe-dotierte PLZT-Keramik ist photochrom. Sie wird an belichte-
ten Stellen dunkler, durch Erwrmen wieder gleichmssig hell.
Zahlreiche elektrooptische Anwendungen lassen sich als Bauelemente
der integrierten Optik in Planartechnik herstellen. Durch Dotierung
(Ionenaustausch, Ionenimplantation etc.) werden in optisch aktiven
Materialien Wellenleiter erzeugt, d.h. in bestimmten Gebieten wird
der Brechungsindex gegenber dem Substrat erhht.
Durch ein elektrisches Feld lsst sich eine Phasenverschiebung des
Lichtstrahles im Wellenleiter einfach durchfhren (Abb. 6.22a). Ein
optisch aktiver Wellenleiter wird in ein Substrat eingebaut. Elektroden
auf dem Substrat ermglichen das Anlegen eines Feldes. Wird nun
Licht in den Wellenleiter eingespeist und ein Feld angelegt, wird eine
Phasenverschiebung durch das Feld erreicht.
Wird eine Spannung V0 = 5V zwischen den Elektroden angelegt, ent-
steht ein Feld V0/d (d = Dicke des Wellenleiters = 5mm) und = 2
L n / L. Das erzeugte Feld betrgt fr dieses Beispiel 106 V/m, dar-
aus resultiert ein n von 1.85 10-4. Fr eine Phasenverschiebung um
einer Welle mit = 1.5 mm bentigt man also eine Elektrodenlnge L
von 4 mm.
Abb. 6.22b zeigt einen interferometrischen Modulator. Der Lichtstrahl
wird im Wellenleiter in zwei ste geteilt. An einem Teil wird durch
das elektrische Feld eine Phasenverschiebung erzeugt. Dann werden
die beiden Wellen wieder gemischt. Dabei interferieren sie zum modu-
lierten Strahl. Beim Anlegen einer Spannung ber die Elektroden
zweier nebeneinander verlaufenden Wellenleiter wird Energie (z.B.
zeitlich moduliert) von einem Wellenleiterkanal zum anderen einge-
koppelt (Abb. 6.22c).
Im Braggschen Diffraktionsschalter (Abb. 6.22d) ntzt man die
Braggsche Diffraktion in Gebieten mit periodisch wechselndem Bre-
chungsindex zur Ablenkung des Strahles aus. Das Beugungsgitter wird
durch die Elektroden erzeugt.
a)
Abb. 6.22 b)
a) Optische Phasenverschiebung
b) Optischer Modulator
c) Optisch gekoppelter Schalter
d) Optischer Bragg-Schalter
c) d)
Die Verwendung von elektrooptisch aktivem Material erlaubt den

Aufbau von Schaltelementen analog der integrierten Elektronik.
Zusammenfassung
1. Bei hheren Feldern knnen die Glieder hherer Ordnung des Bre-
chungsindex nicht mehr vernachlssigt werden.
2. Es existieren in Festkrpern zwei elektrooptische Effekte: der quad-

ratische Kerr-Effekt, bei dem die Brechungsindexnderung propor-
tional zum Quadrat des angelegten elektrischen Feldes ist, und der
lineare Pockels-Effekt, der nur in piezoelektrischen Kristallen auf-
tritt.
3. Der Prototyp fr Doppelbrechung ist der Kalzit (CaCO3).
4. Als keramischer elektrooptischer Werkstoff wird insbesondere das

Blei-Lanthan-Zirkonat-Titanat (PLZT) verwendet.
5. Voraussetzung fr die Verwendung von polykristallinen, ferro-

elektrischen, keramischen Werkstoffen als optische Elemente ist ih-
re Transparenz (Processing!).
6. Die Brechung des Lichts in PLZT ist abhngig vom angelegten

Feld, aber auch von der Wellenlnge (Farbe) des Lichtes. Daher
lassen sich Farbfilter konstruieren.
7. Lichtstreuung wird eingefhrt durch Anlegen eines Feldes an kubi-

sches PLZT, in welchem dann Domnen (Polarisation) erzeugt wer-
den (Lichtschalter, quadratischer Effekt).
8. Aus PLZT-Keramiken knnen modulierte Wellenleiter, Farbfilter,

Lichtschalter und Bildspeicher hergestellt werden.
Lernkontrolle
1. Beschreiben Sie die beiden elektrooptischen Effekte in Festkrpern.
2. Geben Sie einige Beispiele elektrooptischer Anwendungen kerami-

scher Werkstoffe an.
3. Wie hngt der Brechungsindex allgemein vom Feld ab, das an ein
Material angelegt wird?
4. In welchen Materialien wird der lineare (der quadratische) optische

Effekt gefunden?
5. Was ist Doppelbrechung?
6. Wie sehen die Hysteresen der drei wichtigsten PLZT-Werkstoffe

aus? Wie hngen deren Brechungsindizes vom angelegten Feld ab?
7. Mit welchem Material lassen sich

a) Lichtschalter
b) Phasenschieber
c) Memories
bauen und wie funktionieren sie?
Anhang A
Beziehungen zwischen
den nichtlinearen Di-
elektrika
In den vorhergehenden Kapiteln wurden die Ferro-, Pyro- und die Pie-
zoelektrizitt und deren Anwendungen vorgestellt. Es wurde verein-
zelt darauf hingewiesen, dass diese Effekte sehr stark miteinander ge-
koppelt sind und oft gemeinsam auftreten.
In diesem Kapitel sollen die Zusammenhnge der einzelnen Effekte
sowie deren kristallographischer Hintergrund aufgezeigt werden.
A.1 Kristallographische Betrachtungen
Von den 32 Kristallklassen sind 11 zentrosymmetrisch und daher

nichtpolar. Bei ihnen resultiert eine angelegte mechanische Spannung
in einer symmetrischen Verschiebung der Ionen, so dass keine nde-
rung im Dipolmoment auftritt. Die anderen Kristallklassen sind nicht
zentro-symmetrisch. Ausser bei den kubischen Systemen (kubisch
432), tritt bei 20 nichtzentrosymmetrischen Kristallklassen die Piezo-
elektrizitt auf. Hiervon besitzen 10 eine spontane und 10 keine
spontane Polarisation. Letztere sind die Klassen 222, 4, 422, 42m,
32, 6, 622, 62, 23, 43m.
Ohne spontane Polarisation

Diese Werkstoffe zeigen mehrere gleichwertige polare Achsen, die
Summe polarer Sektoren ist aber gleich null. Die zu solchen Kristall-
klassen gehrenden Kristalle werden als polar-neutrale Kristalle
bezeichnet. Ein typisches Beispiel ist -Quarz. Er gehrt zur trigonal-
trapezoedrischen Symmetrieklasse 32 des trigonalen Kristallsystems.
Die dreizhlige Symmetrieachse in der Richtung der Raumdiagonalen
wird als optische kristallographische c-Achse bezeichnet. Senkrecht zu
ihr stehen die drei polaren, gleichwertigen, zweizhligen, kristal-
lographischen a-Achsen, die man als elektrische Achsen bezeichnet.
Die piezoelektrischen Kristalle der polar-neutralen Kristallklassen
besitzen keine pyroelektrischen Eigenschaften.
Mit spontaner Polarisation (Pyroelektrika)

Von den 20 piezoelektrischen Kristallklassen haben 10 Klassen (1, 2,
3, 4, 6, m, mm2, 3m, 4mm, 6mm) eine ausgezeichnete polare Achse.
Die zehn Klassen besitzen singulre polare Richtungen, und die
Kristalle, die zu diesen Kristallklassen gehren, nennt man polare
Kristalle (z.B. Turmalin). Die spontane Polarisation ist normalerweise
durch ussere oder interne Leitfhigkeit oder Zwillingsbildung (Bil-
dung von Domnen) kompensiert. Die Grsse der spontanen Polarisa-
tion hngt von der Temperatur ab. Die spontan polarisierten Kristalle
zeigen nicht nur Piezoelektrizitt, sondern sind zudem auch pyroe-
lektrisch.
Sind die elektrischen Dipole im Quarz so orientiert, dass sie sich im
Raum gegenseitig aufheben, so ist dies im pyroelektrischen Turmalin
nun nicht mehr der Fall. Mit der Existenz des pyroelektrischen Effek-
tes hngt daher eine besondere piezoelektrische Eigenschaft zusam-
men: polare Kristalle kann man auch durch einen allseitigen, hydro-
statischen Druck polarisieren.
Eine besonders wichtige Untergruppe der pyroelektrischen Kristalle
bilden Ferroelektrika. Es handelt sich um pyroelektrische Kristalle,
deren spontane Polarisation durch ein usseres elektrisches Feld in
eine andere stabile Lage ausgelenkt oder umgepolt werden kann. Ein
ferroelektrischer Kristall ist also ein pyroelektrischer Kristall mit um-
klappbarer Polarisation.
Die Ferroelektrika sind eine wichtige Klasse der anorganischen, kri-
stallinen, nichtmetallischen Werkstoffe. Sie besitzen sehr hohe die-
lektrische Konstanten, welche von der spontanen Ausrichtung (Polari-
sation) von elektrischen Dipolen herrhren.
Abb. A.1
Gruppen und Untergruppen der 32
Punktgruppen
Abb. A.1
Piezoelektrika
(10 Klassen ohne spontane Polarisation und
10 Klassen mit spontaner Polarisation)
Pyroelektrika
(10 Klassen mit spontaner Polarisation)
Ferroelektrika
(Polarisation im E-Feld ausrichtbar
und reversibel)
Abb. A.2
Merksatz: Jeder Ferro ist ein Pyro und jeder Pyro ist
ein Piezo, aber nicht umgekehrt.
Abb. A.3
Einteilung der ferroelektrischen
Funktionswerkstoffe
Abb. A.3
A.2 Thermodynamische Zusammenhnge
Die Beschreibung eines bestimmten Effektes in einem Kristall ge-

schieht durch eine Zustandsgleichung in Form einer Potenzreihe. Die
Koeffi-zienten in der Potenzreihe nennt man Materialkonstanten. Sie
beschrei-ben das Verhalten des Kristalls unter der gegebenen Einwir-
kung bezglich der untersuchten Zustandsnderung.
Aufbauend auf den linearisierten Zustandsgleichungen und den Max-
well Relationen hat Heckmann 1925 ein Diagramm aufgestellt, das die
Beziehungen zwischen Materialkonstanten anschaulich darstellt.
Das Heckmann-Diagramm
Im Heckmann-Diagramm stehen die intensiven Zustandsgrssen
Temperatur, Spannung und Feldstrke in den Ecken des usseren
Dreiecks, die extensiven Zustandsgrssen Entropie, Deformation
und Flussdichte (= elektrische Verschiebung) in den Ecken des inne-
ren Dreiecks.
Die intensiven Eigenschaften eines Systems sind Eigenschaften, die
unabhngig von der Menge der Phase sind, z.B. Temperatur, Druck,
Dichte, Dielektrizittskonstante u.a.. Dagegen bezeichnet man die Ei-
genschaften, deren Zahlenwert von der Menge einer Phase ab-
hngt, als extensive Eigenschaften (Masse, Volumen, innere Energie,
Entropie usw.). Bei den sog. idealen Mischphasen (Gase oder Flssig-
keiten) verhalten sich die meisten extensiven Eigenschaften der Kom-
ponenten additiv.
Die Pfeile geben die Richtung von der unabhngigen zu der abhngi-
gen Zustandsgrsse an. Die beim Pfeil notierte Materialkonstante ist
eine partielle Ableitung der Zustandsgrsse, zu welcher der Pfeil hin-
zeigt, nach der Zustandsgrsse, von welcher der Pfeil wegzeigt.
Die kurzen Verbindungslinien der gleichgelegenen Ecken des inneren
und usseren Dreiecks stellen die thermischen, dielektrischen und e-
lastischen Haupteffekte dar. Es handelt sich dabei um Tensoren, die
konjugierte Variablenpaare miteinander verknpfen.
Die dnnen Verbindunglinien stellen gekoppelte Effekte dar. Der Zu-
sammenhang zwischen den thermischen elastischen Zustandsgrssen
wird als thermoelastischer, derjenige zwischen den elastischen und
elektrischen Zustandsgrssen als piezoelektrischer und der zwischen
den thermischen und elektrischen Zustandsgrssen als pyroelektrischer
Effekt bezeichnet.
Die Materialtensoren sind in Pfeilrichtung definiert. Gegen die Pfeil-
richtung kommen die inversen Tensoren zur Anwendung.
Abb. A.4
Das Heckmann-Diagramm
Abb. A.4
Beispiele:
Di
- piezoelektrischer Koeffizient: d i =
T
D
- pyroelektrische Koeffizienten: pi = i =
Ei
E
k = k =
Dk
T
- elastische Eigenschaften: C = = S -1 ( E - Modul)
S
T = C S
( Hook' sches Gesetz)
Grundstzlich ist der Zustand eines Kristalls in Bezug auf seine ther-
mischen, elastischen und elektrischen Eigenschaften durch die Angabe
je einer thermischen, elektrischen und elastischen Zustandsgrsse be-
stimmt. Die thermische Grsse ist ein Skalar, die elektrische Grsse
ein Vektor und die elastische Grsse ein symmetrischer Tensor zwei-
ter Stufe.
Zur eindeutigen Bestimmung des Zustandes sind zehn unabhngige
Variablen (eine skalare thermische Grsse, drei Vektorkoor-
dinaten einer elektrischen Grsse und sechs Tensorkoordinaten
einer elastischen Grsse) erforderlich.
Die Matrixdarstellung des Spannungstensors enthlt sechs voneinan-
der unabhngige Tensorkoordinaten (Tij = Tji). In der Diagonalen ste-
hen die Normalspannungen T11, T22 und T33, symmetrisch zu ihr die
Schubspannungen T23, T31, T12. Das Hooksche Gesetz schreibt man
Tij = cijkl . Skl, die die Materialeigenschaften beschreibenden Koeffi-
zienten cijkl heissen Elastizittsmodul.
Da drei- und vierstufige Tensoren nicht sehr anschaulich sind, werden
sie wenn immer mglich auf die Form von Matrizen reduziert. Auf-
grund der Symmetrie des Spannungs- und Deformationstensors hat
sich die Anwendung der krzeren Matrixindizes durchgesetzt. Bei
mechanischen Zustandsgrssen und mit ihnen zusammenhngenden
Materialkonstanten ersetzen wir die symmetrischen Tensordoppelindi-
zes mit Matrixeinzelindizes mit den Werten 1 bis 6.
Tabelle A.1
Zuordnung der Matrixeinze-
lindizes zu den Tensordoppel-
indizes
Die Matrixschreibweise ermglicht es uns, den sechs unabhngigen

Tensorspannungskoordinaten gerade sechs unterschiedliche Symbole
zuzuordnen. Die Scherungen S4, S5, S6 bezeichnen die doppelten
Werte der entsprechenden Deformationskoordinaten.
Das Hooksche Gesetz ist dann: T = C . S.
Die Matrixschreibweise bringt die effektive Anzahl der unabhngigen

Tensorkoordinaten, die sich aus der Tensorsymmetrie ergibt, deutlich
zum Ausdruck. Sie ist bersichtlicher und wird in der technischen
Literatur bevorzugt.
Beispiel: Der Piezoeffekt

Der piezoelektrische Effekt wird durch vier unterschiedliche Material-
konstanten d, g, e und h beschrieben. Die Zusammenhnge, die diese
piezoelektrischen Konstanten ausdrcken, sind durch Pfeile darge-
stellt, die je eine mechanische und elektrische Zustandsgrsse mitein-
ander verbinden. Die Pfeile sind von der unabhngigen zu der abhn-
gigen Zustandsgrsse gerichtet. Dementsprechend stellen die Pfeile,
die von einer mechanischen zu einer elektrischen Zustands-grsse
gerichtet sind, den direkten, diejenigen, welche von einer elektrischen
zu einer mechanischen Zustandsgrsse gerichtet sind, den reziproken
piezoelektrischen Effekt dar.
Wenn das piezoelektrische Element mechanisch und elektrisch frei ist,

so sind die unabhngigen Variablen EK und T, und man beschreibt
den piezoelektrischen Effekt durch die piezoelektrischen Koeffizien-
ten di. Wenn die elektrische Feldstrke E konstant gehalten wird und
schliesst man die pyroelektrischen Anteile aus (T = O), so erhlt man
beim direkten Piezoeffekt fr die Verschiebungsdichte D als Folge
einer mechanischen Spannung T
Di = di . T.
Jeder einzelne piezoelektrische Koeffizient di bestimmt den Zusam-

menhang einer bestimmten Spannungstensorkoordinate T mit einer
bestimmten Vektorkoordinate der elektrischen Flussdichte Di.
Zusammenfassung
1. Von den 32 Kristallklassen tritt bei zwanzig nicht-

zentrosymmetrischen Klassen die Piezoelektrizitt auf. Zehn von
diesen Klassen sind spontan polarisiert und pyroelektrisch. Eine
Untergruppe der pyroelektrischen Kristalle bilden die Ferro-
elektrika, bei welchen durch ein usseres elektrisches Feld deren
spontane Polarisation in eine andere Richtung umklappen kann.
2. Die Beziehungen zwischen intensiven und extensiven Zustands-

grssen werden im Heckmann-Diagramm dargestellt. Aus diesem
Diagramm sind die Materialkonstanten der thermoelastischen, pie-
zoelektrischen und pyroelektrischen Effekte ersichtlich.
Lernkontrolle
1. Welche Voraussetzungen mssen die Kristallstrukturen erfllen,

damit die Ferroelektrizitt mglich wird?
2. Zeichnen Sie das Heckmann-Diagramm auf und geben Sie ein Bei-
spiel fr die Verknpfung zweier Zustandsgrssen.
3. Was sind intensive und extensive Zustandsgrssen? Geben Sie Bei-

spiele an.
4. Durch welche Zustandsgrssen werden die thermischen, elastischen

und elektrischen Eigenschaften eines Werkstoffes bestimmt?
7. Kap
Elektrisch leitfhige
keramische Werkstoffe
Das Spektrum der elektrischen Leitfhigkeit keramischer Werkstoffe
ist sehr weit. Es reicht von perfekten Isolatoren bis zu Supraleitern.
Die transportierten Spezies sind dabei entweder Elektronen respektive
Lcher oder Ionen, wobei es allerdings auch eine weite Klasse von
Mischleitern gibt, die beides transportieren.
Grundstzlich gibt es zwei Gruppen von Phnomenen der elektrischer
Leitfhigkeit, die wir beobachten. Die einen sind auf das Material
selbst zurckzufhren (Bulk), die anderen beruhen auf Grenzflchen
zwischen unterschiedlichen Materialien (Interface). Die Leitfhigkeit
im Volumen ist in der Regel durch das ohmsche Gesetz bestimmt.
Elektrische Phnomene an den Grenzflchen zeigen hufig nichtlinea-
re Strom-Spannungs-Kennlinien.
Das Kapitel 7 ist gegliedert in eine generelle Einleitung zur elektri-
schen Leitfhigkeit im Volumen, sowie der zugehrigen Anwendun-
gen. In einem zweiten Teil folgen Anwendungen, die sich Grenzfl-
cheneffekte zu nutze machen, wie der p-n bergang in Halbleitern
oder die Schottky-Barriere bei Varistoren.
7.1. bersicht
Die spezifische elektrische Leitfhigkeit keramischer Werkstoffe, ,

wird ausgedrckt in Einheiten von Siemens pro Meter [S/m]. Legen
wir an einen elektrischen Leiter ein elektrisches Feld E an, so
beobachten wir eine Stromdichte j durch diesen Leiter. Sind Strom
und Spannung ber einen weiten Bereich proportional, so sprechen
wir von ohmschem Verhalten.
Abb. 7. 1
Elektrischer Leiter, dem ohmschen
Gesetz folgend (links), nichtohm- j [A/m2]
scher Leiter (rechts). =j/E
E-Feld: E=U/l = j/E
Lnge: l
Stromdichte: j=I/A
Querschnitt: A= b.h E[V/m]
Breite: b
Hhe: h
Die Leitfhigkeit von Materialien, die nichtlineares Verhalten zeigen
ist gegeben durch die Ableitung der Strom-Spannungs Kurve, j/E.
Im folgenden gehen wir auf die wesentlichen Arten elektrisch leiten-

der Werkstoffe ein, die im weiteren Verlauf von Kapitel 7 beschrieben
werden.
Metallische Leiter
In metallischen Leitern sind freie Elektronen (>1028m-3) vorhanden.
j [A/m2]
Ihre Konzentration ist temperaturunabhngig. Metallische Leiter zei-

gen eine Abnahme der Leitfhigkeit mit zunehmender Temperatur,
NL was auf die zunehmende Wechselwirkung der Leitungselektronen mit
SL den Atomrmpfen zurckzufhren ist. Die Beweglichkeit der La-
E [V/m]
dungstrger nimmt dabei oberhalb der Debye-Temperatur mit 1/T ab.
Voraussetzung fr das Auftreten metallischer Leitung ist das Vorhan-
densein von entweder nicht ganz gefllten Leitungsbndern (Fermie-
nergie muss kleiner sein als maximale Energie des Leitungsbands)
oder von Bandberlappung.
Metallische Leitfhigkeit finden wir bei keramischen Werkstoffen
eher selten, Beispiele dafr sind Rutheniumoxid (RuO2) und bestimm-
te Perowskite (z.B. (La,Sr)CoO3).
Metallisch leitende Keramiken kommen zum Einsatz in Systemen, bei
denen aufgrund von Umgebungsbedingungen (Temperatur, Medien)
keine Metalle verwendet werden knnen. Ein Beispiel ist die Hoch-
temperatur-Brennstoffzelle, bei der metallisch leitende Oxide unter
hohen Temperaturen in Sauerstoff-Atmosphre verwendet werden.
Halbleiter/Isolatoren
Halbleiter sind Materialien mit einer Ladungstrgerkonzentration von
1019 bis 1023 m-3. Ihre elektronische Leitfhigkeit kommt aufgrund
thermischer Anregung von Ladungstrgern (Elektronen oder Lcher)
zustande (intrinsisch) oder wird durch Dotierung hervorgerufen
(extrinsisch). Bei extrinsischen Halbleitern werden durch die Dotie-
rung Energieniveaus innerhalb der Bandlcke besetzt. Hat ein Material
eine Bandlcke von >2.5 eV, so sprechen wir in der Regel von einem
Isolator.
Halbleiter spielen eine grosse Rolle in der Elektronik, zudem finden
sie Verwendung als selbstregulierende Heizelemente oder als Tempe-
ratursensoren.
Metalle
8
Abb. 7. 2
4 Grssenordnungen der elektri-
Halbleiter schen Leitfhigkeit von Metallen,
0 Halbleitern und Isolatoren als
Funktion der Temperatur.
-4
Isolatoren
-8
-12
-16
500 1000
Metalle Halbleiter Isolatoren

Bandlcke Abb. 7. 3
0 1 2 3 4 5
E [eV] Grssenordnungen der Bandlcke
von Metallen, Halbleitern und
Isolatoren.
TiO NaCl
Ge Si GaAs CdS ZnS C (Diamant)
VO SiO2
grau farbig weiss
schwarz
(farbloss) Metall
Halbleiter:
intrinsischer
Ionenleiter/Mischleiter exstrinsischer
Log
Ionenleitung im Festkrper beruht auf der gerichteten Bewegung von

Ionen im Festkrper aufgrund eines chemischen oder elektrischen Po-
tentialgradienten. Die bewegten Ionen sind meist Gitterbausteine des Isolator
Festkrpers, in selteneren Fllen aber auch Zwischengitterionen (z.B. 1/T
bei der Protonenleitung in Oxiden). Aufgrund von Grsse und Masse
T
der Ionen sind fr ihre Fortbewegung in der Regel Gitter-Leerstellen Abb. 7. 4
erforderlich. Wir werden deshalb vor der Behandlung dieser Leiter Abhngigkeit der elektrischen
eingehender auf ihre Defektchemie eingehen. Leitfhigkeit von der Temperatur.
Neben den reinen Ionenleitern gibt es auch eine grosse Klasse von
Materialien, die nicht den reinen Halbleitern oder den reinen Ionenlei-
tern zugeordnet werden knnen. Sie weisen eine Mischung von Ionen-
leitung und Elektronenleitung auf und werden deshalb als Mischleiter
bezeichnet.
Ionenleiter und Mischleiter werden fr elektrochemische Systeme wie
potentiometrische Sensoren, Batterien oder Brennstoffzellen verwen-
det.
Grssenordnungen der elektrischen Leitfhigkeit
Die spezifische elektrische Leitfhigkeit wird in Einheiten von S/m

(Siemens pro Meter, -1m-1) ausgedrckt. Eine grobe Klassierung der
elektrischen Leiter bezglich ihrer Leitfhigkeit zeigt Abb. 7.2 und
7.3. Die elektrische Leitfhigkeit metallischer Leiter sinkt bei zuneh-
mender Temperatur, whrend die Leitfhigkeit von Isolatoren, Halb-
leitern und Ionenleitern steigt. Die Leitfhigkeit von Ionenleitern liegt
im Bereich derer der Halbleiter.
Grenzflchenphnomene
Eine wichtige Klasse keramischer Werkstoffe mit elektrischer Leitf-
higkeit sind Materialien, deren Eigenschaften auf der Existenz von
Grenzflchen mit spezifischen Eigenschaften beruhen. Beispiele hier-
fr sind Varistoren, Bauteile deren Widerstand beim Anlegen einer
bestimmten Spannung pltzlich abnimmt. Auch der p-n-bergang in
Halbleitern, auf dem die moderne Mikroelektronik beruht, gehrt zu
diesen Effekten. Um Grenzflchenphnomene zu verstehen, mssen
wir uns wiederum mit der Defektchemie auseinandersetzen.
Herstellung
Die Herstellung elektrisch leitender Werkstoffe erfordert spezielle
Vorkehrungen bezglich der chemischen Reinheit der verwendeten
Ausgangsstoffe, da jede Kontamination und sei sie auch nur im ppm-
Bereich die Eigenschaften eines Materials grundlegend verndern
kann.
Lernkontrolle
1. Worin unterscheidet sich die elektrische Leitfhigkeit von Isolato-

ren, Halbleiter und Metalle?
2. In welchen Grssenordnungen sind die Leitfhigkeiten von

a.) Metallen, b.) Halbleiter und Ionenleiter und c.) Isolatoren?
3. Wie verhlt sich die Leitfhigkeit von Metallen in Abhngigkeit

von der Temperatur?
4. Wie verhalten sich die Leitfhigkeiten von Halbleiter, Ionenleiter

und Isolatoren in Abhngigkeit der Temperatur?
5. Ein Halbleiter soll, um die Sintertemperatur zu senken, durch Fls-

sigphasensintern unter Zusatz von SiO2 hergestellt werden. Was
gilt es dabei zu beachten?
6. Was ist extrinsische, was intrinsische Halbleitung?
7. Wie gross ist die Bandlcke eines Isolators?
8. Wie verluft der spez. Widerstand eines verunreinigten Metalls bei

tiefen Temperatures (T 0), wie der von reinen Metallen?
9. Wie unterscheidet sich der spez. Widerstand eines Supraleiters von

dem eines Metalls bei tiefen Temperaturen?
10. Zeichnen Sie die Strom / Spannungskennlinie eines a) linearen, b)

nichtlinearen Leiters.
7.2. Grundlagen der elektrischen Leitfhigkeit
7.2.1. Transportgleichungen
Grad des elektrochemischen Ein Werkstoff enthalte eine Dichte n an Ladungstrgern mit der La-
Potentials =treibende dung Q und der Beweglichkeit . Wird dieser einem elektrochemi-
Kraft schen Potentialgradienten ausgesetzt, so erfahren die Ladungs-
= Beweglichkeit trger eine Kraft, durch welche sie beschleunigt werden. Wegen ihrer
v = Driftgeschiwindigkeit Wechselwirkung mit thermisch angeregten Gitterbausteinen werden
sie aber nicht unendlich schnell. Die Kraft, mit der sie am Gitter rei-
ben, ist proportional zu ihrer Geschwindigkeit. Sie driften deshalb
mit einer Driftgeschwindigkeit v, die durch die Wechselwirkung mit
dem Gitter bestimmt wird. Die Teilchenstromdichte jT im betrachte-
ten Werkstoff ist somit gegeben als
jT = n Q [ ]
j = s 1 m 2 C . (7.1)
Ist die Driftgeschwindigkeit v proportional zum Potentialgradienten

so gilt mit Q = zq, wobei q die Elementarladung und z die Anzahl
Ladungen pro Ladungstrger bedeuten
v = ~ / Q . (7.2)
Fr die elektrische Stromdichte j knnen wir mit Hilfe von Gl. (7.1)
und (7.2) schreiben
j = n Q ~ / Q = n ~ (7.3)
j
=
E E = v

v
=
E
Somit kann die elektrische Leitfhigkeit ausgedrckt werden als
n z qv
= = nzq (7.4)
v

Die Leitfhigkeit ist in aller Regel ein Tensor ij, d.h. der Strom
muss nicht notwendigerweise parallel zum Potentialgradienten sein. In
polykristallinen und nicht texturierten Gefgen kann man jedoch als
skalare Grsse betrachten. In der Folge verwenden wir diese Vereinfa-
chung.
7.2.2. Treibende Krfte

In vielen Anwendungen sind die elektrische Ladungstrger zwei unter-
schiedlichen Krften ausgeliefert. Als chemische Spezies werden sie
durch Konzentrationsgradienten c, als elektrisch geladene Teilchen
durch Gradienten des elektrischen Potentials (d.h. durch das lokale
elektrische Feld) bewegt.
Die Konzentration ist hierbei mit dem chemischen Potential wie
folgt verbunden
= k T ln(c) (7.5)
wobei k die Boltzmannkonstante und T die absolute Temperatur be-

zeichnen. Wir verwenden im Folgenden stets die Boltzmannkonstante
k und nicht die universelle Gaskonstante R .
Die Summe beider Potentiale (chemisches plus elektrisches) wird als
elektrochemisches Potential bezeichnet.
= + z q (7.6)
Vergleichen wir Gl. (7.3) unter Bentzung von Gl. (7.5) und (7.6), so
stellen wir eine Analogie zum Fickschen Gesetz fest
j = D c , (7.7)
d.h. die Stromdichte ist das Produkt von Diffusionskoeffizient und

Konzentrationsgradient.
Betrachten wir einen reinen Konzentrationsgradienten c , (=0)
und multiplizieren wir den Selbstdiffusionskoeffizienten D in Gl. (7.7)
mit der Anzahl der tatschlich beweglichen Ladungstrger n, um den
Teilchendiffusionskoeffizienten zu erhalten. Wir erhalten so eine Be-
ziehung zwischen der Beweglichkeit der Ladungstrger und dem
Teilchendiffusionskoeffizienten DT.
zq
= DT (7.8)
k T
Gl. (7.8) wird als Nernst-Einsteinsche Gleichung bezeichnet.
Lernkontrolle
1. Berechnen Sie die spezifische elektrische Leitfhigkeit eines Halb-

leiters mit einer Ladungstrgerkonzentration von 1016 cm-3 Elek-
tronen, und einer Elektronenbeweglichkeit von 4.5.10-5 cm2V-1s-1
bei 923 K!
2. Wie gross ist der elektrische Widerstand eines Balkens aus diesem
Material in Lngsrichtung, der eine Breite von 2 mm, eine Hhe
von 7 mm und eine Lnge von 3 cm hat?
7.3. Metallische Leiter
7.3.1. Bndermodell
Um die unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften elektronischer
Leiter zu verstehen, betrachten wir zunchst das Bndermodell der
Festkrper. Bei diesen spalten sich die Energieniveaus der Elektronen
gemss der Quantenmechanik in Bnder auf. Diese bestehen aus sehr
vielen einander naheliegenden Energieniv,eaus von denen jedes nach
dem Pauli-Prinzip durch zwei Elektronen besetzt werden kann. Elekt-
ronen knnen im Prinzip nur Energieniveaus innerhalb der Bnder
besetzen. Bereiche zwischen den Bndern werden als Energielcken
bezeichnet. Sie enthalten keine Elektronen.
Am absoluten Nullpunkt (T = 0 K) nehmen die Elektronen die tiefsten
Energiewerte ein. Die Grenzenergie zwischen den am absoluten Null-
punkt besetzten und nicht besetzten Zustnden wird als Fermi-
Energie, f , bezeichnet. Sie ist eine Materialkonstante und betrgt ei-
nige Elektronenvolt. Die Lage des Ferminiveaus bezglich der Va-
lenz- bzw. Leitungsbandkante bestimmt nun, ob es sich bei einem Ma-
terial um einen metallischen Leiter, einen Halbleiter oder um einen
Isolator handelt.
Bei Metallen ist das Leitungsband noch nicht voll mit Elektronen be-
setzt. Die Fermi-Energie liegt mitten in einem Band oder zumindest
dort, wo zwei Bnder sich berlappen.
Liegt die Fermi-Energie in einer verbotenen Zone, so ist das Material
zunchst ein Isolator. Jedes Niveau des Valenzbandes ist voll besetzt,
im Leitungsband gibt es entweder keine Elektronen, oder es ist eben-
falls voll besetzt.
Bei kleinen Werten fr die verbotene Zone (Energielcke), EG , bis ca.
2.5 eV kann durch die Wrmeenergie bereits bei Raumtemperatur der
notwendige Energiebetrag aufgebracht werden, um Elektronen ber
die Energielcke aus dem Valenzband in das Leitungsband zu heben.
Dadurch wird elektrische Leitung mglich. Diese Stoffe werden als
Halbleiter bezeichnet.
Abb. 7. 5
f LB Relative Anordnung von Leitungs-
und Valenzband (LB, VB), sowie
Ef LB
VB VB Fermienergie und Fermi-
Verteilungsfunktion fr:
a) b)
f() a) Ein Metall mit unvollstndig
f()
besetztem LB.
b) Ein Metall mit Bandberlap-
LB pung.
LB c) Einen Isolator (EG > 2.5 eV).
Ef
Ef d) Einen Halbleiter bei kT>> EG
VB VB und kT~ EG (gestrichelte Linie
fr f()).
c) d)

Die relative Anordnung von Valenzband (VB) und Leitungsband (LB)

von Metallen, Isolatoren und Halbleitern ist in Abb.7.5 wiedergege-
ben. Zustzlich eingezeichnet ist die Fermienergie, Ef, sowie die Fer-
mi-Verteilungsfunktion, f(), fr Zustnde bei denen kT < EG gilt. Bei
hheren Temperaturen (kT ~ EG) gelangen in Halbleitern (Abb. 7.5d)
Elektronen ins Leitungsband (gestrichelte Linie fr f()).
7.3.2. Transportgleichung fr metallische Leiter

Betrachten wir ein Material mit metallischer elektrischer Leitfhigkeit,
bei dem die Konzentration von Ladungstrgern gleichmssig ber das
Materialvolumen verteilt ist. Die allgemeine Transportgleichung (Gl.
7.3) vereinfacht sich in diesem Fall mit Hilfe von Gl. 7.4 auf
j = , (7.9)
da fr die Berechnung des elektrochemischen Potentialgradienten nur

noch der elektrische Potentialgradient bercksichtigt werden muss. Ist
das betrachtete Material homogen und isotrop, so kann der elektrische
Potentialgradient ausgedrckt werden als
E
= , (7.10)
l
wobei E die elektrische Potentialdifferenz zwischen den Elektroden
und l die Lnge der Probe ist. Wie man leicht erkennt ist Gl. (7.9) mit
Gl. (7.10) ein Ausdruck fr das ohmsche Gesetz.
7.3.3. Beispiele von metallisch leitenden Keramiken

Metallische Leitfhigkeit tritt in relativ wenigen keramischen Materia-
lien auf. Die meisten Anwendungsbeispiele finden wir im Bereich der
Hochtemperatur-Elektrochemie, wo man metallische Leiter verwen-
det, die extremen Bedingungen in Bezug auf p(O2) und Temperatur
widerstehen knnen.
Tabelle 7.1
Keramische Materialien mit metal- Material Anwendung
lischer elektrischer Leitfhigkeit.
BaPb1-xBixO3 Supraleiter
RuO2 Dickschicht-Elektroden
TiO extrem nichtstchiometrische

Verbindung
LaNiO3 Brennstoffzellen-Elektroden
und Interconnectoren
La1-xSrxCoO3
La1-xSrxCrO3
SnO2-In2O3 transparente Elektroden
Ein weiteres Beispiel sind transparente Elektrodenmaterialien fr

elektrochrome Apparaturen, sowie Oxide mit extremer Sauerstoff-
Nichtstchiometrie. Bei den in Tabelle 7.1 vorgestellten Materialien
liegt die elektrische Leitfhigkeit im Bereich von 108 S/m (BaPb1-
2
xBixO3) bis 10 S/m (SnO2-In2O3).
Lernkontrolle
1. In welcher Grssenordnung ist a) die Bandlcke in Isolatoren, b)

die Bandlcke in intrinsischen Halbleitern?
2. Welche Potentialunterschiede fhren in einem Ionenleiter zum

Fluss eines Stromes?
7.4. Defektchemie
7.4.1. Einleitung
Punktdefekte, d.h. Gitterfehlstellen in Festkrpern haben einen gros-
sen Einfluss auf ihre Eigenschaften. Ihre Bildung ist ein reversibler
Vorgang im Sinne des thermodynamischen Gleichgewichts.
7.4.2. Fehlordnungsarten
Betrachten wir zunchst eine reine binre ionische Verbindung. Ist sie
stchiometrisch, so sind vier Grundtypen von Fehlordnungen mglich:
a) Frenkel-Typ . Kationen befinden sich auf Zwischengitterpltzen
und werden durch Leerstellen im Kationengitter kompensiert. Das
Anionengitter bleibt ungestrt (z.B. AgBr).
b) Schottky-Typ. Gleichzeitig Leerstellen im Kationen- und Anio-

nengitter (z.B. NaCl).
c) Anti-Frenkel-Typ. Anionen auf Zwischengitterpltzen und Leer-

stellen im Anionenteilgitter. Das Kationengitter bleibt ungestrt
(z.B. CaF2).
d) Anti-Schottky-Typ. Kationen auf Zwischengitterpltzen und Ani-

onen auf Zwischengitterpltzen. Fr dieses Fehlordnungsmodell
fehlen bisher experimentelle Belege.
+ - + - + - -
+
+ - - + + -
a b
+ - + - + - + -
-
Abb. 7. 6
+ - + + - + -
a) Frenkel-Fehlordnung
b) Schottky-Fehlordnung
c)Anti-Frenkel-Fehlordnung
d)Anti-Schottky-Fehlordnung
Wie wir unschwer erkennen, spielt bei Fehlordnungen in Festkrpern

der Grundsatz der Erhaltung der Elektroneutralitt eine wichtige Rol-
le. Fehlstellen auf dem Anionen- resp. Kationengitter werden immer
durch Defekte im jeweilig anderen Gitter kompensiert (Schottky/Anti-
Schottky) oder beeinflussen die Elektroneutralitt nicht (Frenkel/Anti-
Frenkel).
Hufig treten Abweichungen von der stchiometrischen Zusammen-

setzung auf, die durch den Einbau von berschssigem Metall oder
Nichtmetall, bzw. durch die Erzeugung eines Unterschusses an Metall
oder Nichtmetall hervorgerufen werden. Die Grundtypen der Ionen
und Elektronenfehlordnung in nichtstchiometrischen Verbindungen
zeigt Abb.7.6 und 7.7. Diese Fehlstellen mssen wieder zur Wah-
rung der Elektroneutralitt kompensiert werden. Diese Kompensation
geschieht in reinen binren Verbindungen meist durch eine hhere
oder tiefere Oxidationsstufe der Kationen.
+ - + - + - + -
Abb. 7. 7
a) Kationendefizit
b) Anionendefizit
+ - ++ - + - c) Kationenberschuss
d) Anionenberschuss
a b
+ - + - + - + -
++
+
+ - - + - + -
-
7.4.3. Krger-Vink Notation

Zur Beschreibung von Punktdefekten in Kristallen wird in der Regel
die von F.A. Krger und H.J. Vink eingefhrte Notation verwendet. Es
gilt dabei zu beachten, dass die Gitterbausteine in (perfekten) Io-
nenkristallen eine dem Element und der Kristallstruktur entsprechende
Ladung besitzen. In der Krger-Vink-Notation wird deshalb bei De-
fekten die jeweilige Ladungsdifferenz zum ideal besetzten Gitterplatz
betrachtet.
Hat z.B. in Zirkonoxid das Zirkon-Kation den idealen Ionisierungs- Zr4+ O2- Y3+
grad 4+ (Zr4+), so bedeutet dies in dieser Notation, dass es die Diffe- Zr| 4+ |O2- (Y
| 3+)1-
renz Null zum Gitterplatz besitzt. Wird es jedoch durch Y3+ ersetzt, so O|2- | O
Zr 4+
|
2-
hat dieses die Ladung 1- verglichen zum ideal besetzten Gitterplatz. In O|2- |Zr4+ |O2-
der folgenden Tabelle 7.2 wird ein berblick ber die verwendeten | | |
Symbole gegeben.
Beispiele fr nichtstchiometrische binre Verbindungen sind Nickel-
oxid (Ni1-xO) mit Kationendefizit oder Zinkoxid (Zn1+xO) mit Katio-
nenberschuss.
.
Unter Anwendung der Krger-Vink-Notation knnen wir nun fr
smtliche mglichen Defektreaktionen Reaktionsgleichungen aufstel-
len.
Die wichtigsten Grundstze fr deren Formulierung sind
1. Elektroneutralitt. Der gesamte Krper muss elektrisch neutral

bleiben.
2. Massenerhaltung. Die gesamte Masse der an der Reaktion betei-
ligten Atome/Ionen bleibt konstant.
3. Platzverhltnis. Die Anzahl an Kationenpltzen (K) einer Verbin-

dung KxAy muss immer im richtigen Verhltnis zur Anzahl der
Anionenpltze (A) stehen. Beispiel: MgO x/y = 1:1, PuO2 x/y
= 1:2.
Tabelle 7.2 Symbol Bedeutung

x x
Symbole der Krger-Vink-Nota- KK , AA Kation (K) oder Anion (A) auf eigenem Gitterplatz, d.h.
tion. gegenber dem idealen Gitter neutral (x)
''
VK Kationenleerstelle mit der gegenber dem idealen Gitter
effektiven Ladung 2- ('').

VA
.
Anionenleerstelle mit der gegenber dem idealen Gitter
effektiven Ladung 1+ ( ).
Ki

Interstitielles Kation, effektive Ladung 4+ ( ....).
''
Ai Interstitielles Anion, effektive Ladung 2- ('').
'
YZr Substituiertes Yttrium-Kation (3+) auf Zirkonplatz (4+)
mit der effektiven Ladung 1- (').
S xO Schwefel-Anion (2-) auf Sauerstoffplatz (2-) mit der

effektiven Ladung 0 (x).
(Ce VO )
'
Ce Assoziierter Defekt (einfach reduziertes Cer-Kation (3+)
auf Ce4+ Platz assoziiert mit einer Sauerstoffleerstelle
(VO ) auf O2- Platz). Der gesamte Defekt hat die Ladung
.
1+ ( ).
e' Elektron
h. Loch
In der Krger-Vink Notation werden Gitterdefekte gleich behandelt

wie chemische Spezies (Atome und Ionen). Wir knnen daher
thermodynamische Begriffe wie Aktivitt usw. auf die
Defekt(-Reaktions)gleichungen anwenden. Bei der Betrachtung von
Defekten im thermodynamischen Gleichgewicht kann auf die Defekt-
reaktion das Massenwirkungsgesetz chemischer Reaktionen angewen-
det werden: K = (Produkt der Aktivitten der Produkte) / (Produkt der
Aktivitten der Edukte).
7.4.4. Defektgleichungen
In diesem Kapitel wird gezeigt, wie Gitterdefekte mit demselben For-
malismus behandelt werden knnen wie chemische Produkte und
Edukte. Ziel dieser bung ist es, die Ladungstrgerdichte (und somit
die Leitungsfhigkeit) eines Materials in Abhngigkeit der Dotierung,

der Temperatur und des Sauerstoffpartialdruckes zu beschreiben.
Lsen wir fremde Kationen oder Anionen im Gitter einer bestimmten
Substanz, so werden diese entsprechend ihrer Grsse und chemischen
hnlichkeit auf entsprechenden Pltze des Wirtsgitters eingebaut. Wo
der Einbau auf Gitterpltzen oder interstitiell stattfindet kann an-
hand einfacher Faustregeln beurteilt werden, solange sich die Kristall-
struktur durch die Zugabe von anderen Ionen nicht verndert.
Allgemeine Regeln zur Beurteilung sind:
1. Ionenradien. Einbau auf Gitterpltzen im Wirtsgitter, wenn der Io-

nenradius des Substituenten sich um weniger als 15% vom ursprngli-
chen Ion unterscheidet. Bei kleineren oder grsseren Ionen ist die Ls-
lichkeit gering. Sehr kleine Ionen werden interstitiell eingebaut (ab-
hngig von der Grsse der Lcken im Wirtsgitter).
2. Ionisierungsgrad. Viele Atome knnen verschiedene Wertigkeiten

und somit sehr unterschiedliche Ionenradien besitzen. Ihre Wertigkeit
hngt vom chemischen Potential des jeweiligen Kations, der Tempera-
tur und von der Kristallstruktur des Wirtsgitters ab.
3. Chemische hnlichkeit. Weist der Substituent chemische Verwandt-

schaft zum zu ersetzenden Ion auf, ist die Lslichkeit eher hoch. Sel-
tene Erden untereinander bilden z.B. fast alle vollstndige Mischkris-
tall-reihen.
Viele der elektrischen Eigenschaften keramischer Werkstoffe werden

durch massive Zugabe von Ionen anderer Wertigkeit gezielt verndert.
Wir beschftigen uns im folgenden mit der Formulierung von Defekt-
reaktionen, um die Zusammenhnge zwischen chemischen Potentialen
und gewissen Werkstoffeigenschaften etwas besser zu durchschauen.
Die Behandlung der Defektgleichungen erfolgt dabei anhand realer
Beispiele.
Einbau von CaCl2 in KCl

Fr diese Reaktion gibt es prinzipiell zwei Mglichkeiten.
a) Ca2+ (97 pm) geht auf K+-Pltze (133 pm).
b) Ca2+ geht auf Zwischengitterpltze.
Welche Reaktion kann Aufgrund

a) CaCl 2
Ca + V + 2Cl
KCl
K
'
K
x
Cl (7.11) der Differenz der Ionenradien
beider Substanzen als wahrschein-
licher angenommen werden?
b) CaCl 2 Ca
KCl
i + 2Vk + 2Cl Cl
' x
(7.12)
Experimentell kann der vorliegende Mechanismus nur durch Bestim-

mung der Gitterkonstanten (Rntgenmethoden) und Messung der ef-
fektiven Dichte durch Pyknometrie bestimmt werden.
Einbau von Y2O3 in ZrO2

Yttrium-stabilisiertes Zirkonoxid findet breite Verwendung als Elekt-
rolyt in Sauerstoffsensoren und Festelektrolyt-Brennstoffzellen. We-
gen der chemischen hnlichkeit von Yttrium und Zirkon und aufgrund
der Ionenradien (Y3+, 101.9 pm; Zr4+, 84 pm), findet folgende Reakti-
on statt (Abb.7.8)
Y2 O 3 2YZr
ZrO 2 '
+ 3O xO + VO (7.13)
+ Y2O3
Abb. 7. 8
Einbau von Y2O3 in ZrO2
Die im Vergleich zum Gitterplatz zu niedrige Wertigkeit des Yttriu-

mions wird dabei durch eine Sauerstoffleerstelle pro zwei Yttriumio-
nen kompensiert, das Material wird durch die entstehenden Sauerstoff-
leerstellen zum Sauerstoffionenleiter bei hheren Temperaturen
(extrinsische Leitfhigkeit).
2[VO ]= [YZr ] .
'
(7.14)
Partielle Reduktion von Ceroxid

Interessante Defektreaktionen sind auch solche, bei denen ein Material
im Gleichgewicht mit einem umgebenden Gas steht. Ein Beispiel fr
eine solche Reaktion ist die partielle Reduktion von Ceroxid bei tiefen
Sauerstoffpartialdrcken (Abb.7.9).
x
2Ce Ce + OOx 2Ce 'Ce + VO + 12 O 2

CeO2
(7.15)
Abb. 7. 9
Partielle Reduktion von CeO2
+1/2O2
Wir erkennen, dass die Sauerstoffleerstellenkonzentration wiederum

halb so hoch ist wie die Konzentration von Ce3+ auf Ce4+-Pltzen.
2[VO ]= [Ce Ce ]
'
(7.16)
Wenden wir nun auf diese Reaktion das Massenwirkungsgesetz an, so

erhalten wir: Die Aktivitt a Konzen-
(a ) a
2 tration [] bei verdnnten
'
Ce Ce VO
aO 2 Systemen
K= (7.17)
(a ) a
2
CexCe OxO
K ist dabei die Gleichgewichtskonstante der beschriebenen Reaktion.

Bei hohen Temperaturen knnen wir annehmen, dass sich Sauerstoff
wie ein ideales Gas verhlt. Ferner nehmen wir an, dass die Konzent-
ration von Ce3+ und Sauerstoffleerstellen klein sei. Wir knnen dann
die Aktivitten durch die Konzentrationen oder Partialdrcke der ein-
zelnen Komponenten ersetzen. Ferner ist dann auch die Konzentration
von CeCeX und OOX hoch und ungefhr konstant. Wir erhalten dann
fr Gl. (7-17)
K = [Ce 'Ce ] [VO ] p(O 2 ) 0.5

2
(7.18)
Mit Gl. (7-16) knnen wir somit schreiben
K= 1
2
[Ce ] p(O
'
Ce
3
2 ) 0.5 oder K = 4 VO p (O 2 ) 0.5 [ ] 3
(7.19)
Wie wir leicht erkennen knnen, ist die Konzentration von reduzier-
tem Cer proportional zu p(O2)-1/6 und die Konzentration der
Sauerstoffleerstellen proportional zu p(O2)-1/6 (Abb. 7.10).
Konzentration [mol/mol]
o
1E-4
150 C
'
[Ce Ce]
1E-5 Abb. 7. 10
.. Konzentration von Sauerstoffleer-
[V O] stellen und CeCe' in reduzierten
CeO2
1E-6
1E-6 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10 100
Sauerstoffpartialdruck [atm]
Das zustzliche Elektron des reduzierten Ce3+ ist nur leicht gebunden
und daher sehr beweglich im Gitter. Aufgrund der doppelt so hohen
Konzentration an diesen quasifreien Elektronen verglichen mit Sauer-
stoffleerstellen und der grossen Massendifferenz ist es plausibel, dass
die elektronische Leitfhigkeit dieses Materials um Grssenordnungen
ber der ionischen Leitfhigkeit liegen muss. Wir knnen daher einen
resistiven Sauerstoffsensor konstruieren, bei dem die elektrische Leit-
fhigkeit proportional zu p(O2)-1/6 ist. Allerdings tritt dabei ein Prob-
lem auf: Da die Konzentration von CeCe' sehr klein ist (x in CeO2-x ist x
< 10-3), mssen wir auch Verunreinigungen des Ceroxids bercksich-
tigen. Diese bestehen v.a. aus CaO und sind in der Regel in der Grs-
senordnung von 50 bis 100 ppm vorhanden, d.h. signifikant.
Verunreinigung (oder Dotierung) von CeO2 mit CaO
CaO Ca 'Ce
CeO 2 '
+ OOx + VO (7.20)
Bei der Betrachtung des Massenwirkungsgesetzes fr diese Gleichung

mssen wir nun beachten, dass die Konzentration der Sauerstoffleer-
stellen in CaO-dotiertem Ceroxid, das zudem teilweise reduziert ist,
(s.o.) gegeben ist als Summe der Sauerstoffleerstellen gebildet durch
teilweise Reduktion plus der Leerstellen gebildet durch Verunreini-
gung (Dotierung) mit CaO:
[V ]= [Ca ]+ [Ce ] .

O
''
Ce
1
2
'
Ce (7.21)
Solange gilt
[Ca ]>> [Ce ] ,
''
Ce
'
Ce (7.22)
(d.h. die Konzentration an Ca Verunreinigung >> als Konzentration

In reinem CeO2 ist die
Leitfhigkeit ~pO2-1/6,
[ ]
der reduzierten Ce 'Ce ) stellen wir fest, dass die Sauerstoffleerstellen-
konzentration in Gl. (7.18) proportional zur CaO-Konzentration ist
und in Ca verun-
(folgt aus Gl. 7.21 und 7.22). Die elektronische Leitfhigkeit ist aus
reinigtem CeO2 ist sie
diesem Grund proportional zu p(O2)-1/4 (Abb. 7.11).
~pO2-1/4.
Konzentration [mol/mol]
o
150 C 100 ppm Ca
[CaCe]; [VO]
1E-4
Abb. 7. 11 Rein CeO2

1E-5
Konzentration von Sauerstoffleer- [CeCe]
stellen und CeCe' in dotiertem
(100 ppm Ca) CeO2.
100 ppm Ca
1E-6
1E-6 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10 100
[CeCe]
Sauerstoffpartialdruck [atm]
Fe1-xO, p-Typ Halbleiter. Eisenoxid ist ein elektronischer nichtst-

chiometrischer p-Typ Halbleiter (sog. Akzeptortyp). Die Eisen-
nichtstchiometrie kann z.B. durch Aufoxidieren von stchiometri-
schem FeO erreicht werden:
Leiten Sie die Kon-
zentration der Ladungs-
x
2Fe Fe 2Fe Fe + O Ox + VFe'' .
+ 12 O 2 FeO
(7.23) trger als Funktion des
pO2 her fr diesen Fall.
Im Bndermodell liegt Fe Fe knapp ber dem Valenzband und stellt
somit einen Akzeptor fr Elektronen aus dem Valenzband dar. Ein
solches Ion kann Elektronen aus dem Valenzband einfangen, worauf
in diesem ein Loch zurckbleibt.
Abb. 7. 12
Akzeptor-Typ Halbleiter.
Die Energieverteilungsfunktion
LB
wird bei erhhten Temperaturen
Akzeptorniveau unschrfer (gestrichelte Linie fr
f
f()).
VB
Wie verhalten sich die Konzen-
trationen von Lchern (in FeO)
und Elektronen (in TiO2) als Funk-
tion des p(O2)? Wie hngen sie
von der Temperatur ab?
TiO2-x, n-Typ Halbleiter. Titanoxid ist (wie brigens auch CeO2-x)
ein n-Typ Halbleiter, d.h. ein sog. Donatortyp. Das Donatorenniveau
liegt dabei knapp unter dem Leitungsbandniveau.
x
2Ti Ti + OxO 2Ti'Ti + VO + 12 O 2 .
TiO 2
(7.24)
Das Donatorion (Ti3+) kann Elektronen an das Leitungsband abgeben.
Abb. 7. 13
Donator-Typ Halbleiter
LB
f Donatorniveau
VB
Patterson Diagramm. Zur Darstellung der Leitfhigkeit oxidischer

Halbleiter als Funktion des Sauerstoffpartialdruckes wird das Patter-
son Diagramm benutzt. Wie wir gesehen haben, beeinflusst der Sauer-
stoffpartialdruck in oxidischen Halbleitern den Halbleitertyp (Dona-
tor- od. Akzeptortyp). Es gibt auch Oxide, die beide Effekte zeigen.
Wir behandeln in Zusammenhang das Beispiel Zirkonoxid.
Beispiel: Yttrium dotiertes ZrO2. Wie wir oben gesehen haben, wird
Zirkonoxid durch dotieren mit Yttriumoxid zu einem Sauerstoffionen-
leiter (Gl. (7.13) und (7.14)).
Y2 O 3 2YZr
ZrO 2 '
+ 3O xO + VO (7.13)
(fr eine Sauerstoffleerstelle mssen folglich zwei Zr-Atome durch
zwei Y-Atome substituiert werden. Deshalb ist die Konzentration der
Y-Atome auf Zr-Pltzen doppelt so hoch wie Konzentration der Sauer-
stoffleerstellen)
2[VO ]= [YZr ] .
'
(7.14)
Uns interessiert nun das Verhalten von diesem Material bei verschie-
denen Sauerstoffpartialdrcken.
Fall 1: Tiefe Sauerstoffpartialdrcke (p(O2)): hier wird ein Teil von
Zr4+ zu Zr3+ reduziert und das Material zeigt n-Typ Halbleitung
(Gl. (7.25)).
2 VO + 3OOX + 2ZrZr' + 12 O 2
2ZrZrx + 4O Ox ZrO

(Reduktion)(7.25)
2 VO + 2 ZrZr' + 12 O2
2 ZrZrX + OOX ZrO

[ ] [ ]
2 VO = ZrZr' . (7.26)
Fr die Gleichgewichtskonstante KReduktion ergibt sich:
=
[Zr ] [V ] p
' 2
Zr O
0.5
O2
[Zr ] [O ]
K Re duktion . (7.27)
x 2 x
Zr O
[ ] [ ]
Was sich unter der Annahme, dass ZrZrx , O Ox in erster Nherung
konstant bleibt und der Gl. 7.26, vereinfachen lsst zu:
[ ]
K Re duktion = 0.5 ZrZr' pO0.25 .
3
(7.28)
Nachdem fr die Konzentration der Elektronen gilt: [e']=[ZrZr' ] ergibt

sich fr die p(O2) Abhngigkeit der Leitfhigkeit folgende Beziehung:
[e ] ~ p(O )
'
2
-1/6
(7.29)
Fall 2: Hohe Sauerstoffpartialdrcke (p(O2)): Hier werden durch

Dotierung mit Y3+ entstandene Sauerstoffleerstellen teilweise wieder
mit Sauerstoff aufgefllt. Man erhlt:
VO + 12 O 2 O Ox + 2h (Oxidation)
ZrO 2
(7.30)
damit ergibt sich fr die Gleichgewichtskonstante:
[ ] [ ]
K Ox = h VO
2 1
pO12/ 2 . (7.31)
Fr die Konzentration der Lcher ergibt sich fr die p(O2) Abhngig-

keit folgende Beziehung:
[h ] = ( K [V ])

Ox

O
1/ 2
pO1/24 (7.32)
Im Patterson-Diagramm ist dieses Verhalten schematisch dargestellt

(Abb.7.14). Es zeigt die Abhngigkeit der Defekte im Festkrper als
Funktion eines Komponentenpotentials (z.B. des p(O2)). Das Patter-
son-Diagramm kann je nach der Defektchemie eines Materials sehr
komplex werden.
Abb. 7. 14
Patterson-Diagramm
Die totale elektrische Leitfhigkeit eines solchen Leiters ist die Sum-
me aller Teil-Leitfhigkeiten. Als Beispiel dient CeO2 mit 20 mol%
SmO1.5 ( Abb. 7.15) und BaTiO3 (Abb.7.16).
Abb. 7. 15
Elektrische Leitfhigkeit von
Ce0.8Sm0.2O1.9-x als funktion des pO2
bei verschiedenen Temperaturen.
10
1073 K
tot [S/m]
973 K
-1/6 873 K
1
28 24 20 16 12 8 4 0
-log (pO /atm)
2
Abb. 7. 16
Elektrische Leitfhigkeit von Ba-
TiO3 als funktion des pO2 bei ver-
schiedenen Temperaturen.
7.5. Ionische Leiter und Mischleiter
Keramische Ionen- und Mischleiter werden vor allem in der Hochtem-

peratur-Elektrochemie eingesetzt. Ihr Anwendungsbereich reicht dabei
von Elektrolyten fr Brennstoffzellen oder Batterien ber Membranen
zur Trennung von Stickstoff und Sauerstoff in medizinischen Anwen-
dungen bis zur Petrochemie, wo sie zur selektiven Oxidation bestimm-
ter Kohlenwasserstoffe eingesetzt werden knnen.
Abb. 7. 17
Keramische Leiter im Vergleich
7.5.1. Ionenleitende Werkstoffe

Eine allgemeine bersicht ionenleitender keramischer Werkstoffe ist
in Tabelle 7.3 wiedergegeben.
Tabelle 3
bersicht ber eine Auswahl typi-
Verbindung bewegliche Ionen scher keramischer Ionenleiter.
AgCl Ag+
AgBr Ag+
AgI Ag+
CuCl Cu+
CuBr Cu+
NaCl Na+
-Na2O.11Al2O3 Na+
BaCl2 Cl-
Y2O3-ZrO2 O2-
CaF2 F-
BaCeO3 H+, O2-
Abb.7.18 zeigt die Leitfhigkeit verschiedener ionenleitender Kerami-

ken als Funktion der Temperatur.
Abb. 7. 18
berblick ber die Leitfhigkeit
ionischer Leiter als Funktion der
Temperatur.
H.L. Tuller in Ceramic Materials

for Electronics, R.C. Buchanan,
Editor, M. Dekker Inc., NY, USA
(1991) p. 426.
Wir knnen prinzipiell drei Arten von Ionenleitern unterscheiden:
1. Intrinsische
2. Extrinsische
3. Intrinsische superionische
7.5.2. Intrinsische Ionenleiter

Zu dieser relativ kleinen Gruppe gehren Silberhalogenide, Alkaliha-
logenide und Halogenide mit Fluoritstruktur z.B. PbF2 und BaF2.
In Alkalihalogeniden besteht eine Schottky-Fehlordung (Abb.7.19): Cl Na Cl Na Cl Na

Na Na Cl Na Cl
Na x
+ Cl x
= nil ' + V
VNa
NaCl
(7.33) Cl Na Cl Na Cl Na
Na Cl Cl
Na Cl Na Cl Na Cl
Bei NaCl betrgt die Bildungsenergie dieser Defekte EB = 2,45 eV und Cl Na Cl Cl Na
ihre Konzentration ist nahe des Schmelzpunktes von 801C nur Na Cl Na Cl Na Cl
0,02%. Auch die Aktivierungsenergie der Beweglichkeit liegt mit
Abb. 7. 19
0,65 eV relativ hoch. Die Leitfhigkeit betrgt daher bei dieser Tem-
Schottky-Fehlordung in NaCl.
peratur bloss 0.1 S/m. Gleichzeitig gibt es Leerstellen im
Kationen- wie im Anionengitter.
a b c
0.95 Na Cl
1.85 Cl Na 0.59
0.45
Cl Na Na Abb. 7. 20
Cl
Mglicher Mechanismus der Kati-
Na Cl Cl Cl Cl Cl onenbewegung im NaCl-Gitter.
A/2=2.82
Um die Aktievierungsenergie der Wanderung der Kationen zu verste-

hen, betrachten wir die mglichen Wege, die ein Na+- Kation beim
Srung von seinem Gitterplatz zu einer benachbarten Leerstelle zurck-
legt (Abb. 7.20). Der direkte Sprung ber die Wrfelflche ist nicht
mglich, da sich die Cl- Ionen annherd berhren, ein Na+-Ion knnte
sich zwischen ihnen nicht bewegen. Der indirekte Weg ist in der Abb.
7.20 mit einem Pfeil gezeigt. Das Na+-Ion muss erst durch ein drei-
eckiges Fenster hindurch (Abb. 7.20b), dann durch ein viereckiges
(Abb. 7.20c) und wieder einmal ber ein dreieckiges um schliesslich
die Leerstelle zu erreichen. Die dreieckige Lcke hat den Radius von
0.45, die viereckige 0.59. beide viel kleiner als der Ionenradius
des Na+-Ions. Wir sehen, dass der Sprung eines Na+-Ions in NaCl ein
schwieriger und komlizierter Prozess ist, der mit einer betrchtlichen
Aktivierungsenergie verknpft werden muss.
In Silberhalogeniden dominiert die Frenkel-Fehlordnung, die einem

Platzwechsel des Ag+-Ions aus einem normalem Gitterplatz AgAgX in
eine tetraedrische Gitterlcke Agi. entspricht:
Ag xAg ' + Ag
VAg
AgI
i (7.34)
In AgBr z.B. betrgt die Bildungsenergie der Ladungstrger

Abb. 7. 21
EB=1,2 eV. Dies bedeutet, dass sich durch thermische Aktivierung Frenkel-Fehlordung in AgCl.
nahe des Schmelzpunktes von 432C ca. 1% der Kationen in Zwi-
schengitterpltzen befinden. Die sehr hohe Beweglichkeit der Agi.-

Teilchen mit Aktivierungsenergie EA = 0,1 eV fhrt zu einer Ionenleit-
fhigkeit von i = 30 S/m.
Anionen auf Zwischen- Bei Erdalkalifluoriden finden wir eine Anti-Frenkel-Fehlordnung:

gitterplatz, Kationengitter
normal x
Ca Ca 2 Fi' + VF + Ca Ca
+ FFx SrF
x
(7.35)
Die Bildungsenthalpie EB liegt bei 2,3 eV im Falle von SrF2 und

1,8 eV bei BaF2. Die Aktivierungsenergie fr Platzwechsel EA betrgt
bei beiden Verbindungen 0,8 eV.
7.5.3. Extrinsische Ionenleiter

Die Erhhung der Defektkonzentration geschieht bei extrinsischen
Ionenleitern durch Zustze von anderswertigen Fremdstoffen. Die
wichtigsten Beispiele sind Oxide mit Fluoritstruktur (ZrO2, ThO2,
CeO2), dotiert mit Oxiden tieferer Wertigkeit wie CaO, MgO, Y2O3
oder Sc2O3 oder anderen seltenen Erden. Ein Beispiel ist die Dotie-
rung von Ceroxid mit Gadoliniumoxid
Gd 2 O 3 2Gd'Ce + 3O xO + VO
CeO2
(7.36)
In diesem Fall sind Sauerstoffleerstellen die Defekte, die einen Platz-

wechsel von Sauerstoffionen erlauben und somit die Ionenleitung er-
mglichen. Die Dotierungen liegen im Bereich von 10 mol%.
Die fr diese Festelektrolyte charakteristische kubische Fluoritstruktur
(CaF2-Gitter) ist dadurch gekennzeichnet, dass die Metallkationen ein
kubisch-flchenzentriertes Teilgitter bilden, whrend die Sauerstoff-
ionen in den Tetraederlcken dieses kfz-Gitters liegen.
Einen grossen Teil der Gitterenergie bernehmen im CaF2-Gitter die
Kationen, d.h. dieses Teilgitter ist sehr stabil. Die Migrationsenthalpie
fr ein Anion betrgt nur etwa 1/4 derjenigen des Kations. Dies ist ein
Grund fr die hohe Beweglichkeit der Anionen, die verhltnismssig
leicht in benachbarte Anionenleerstellen gelangen knnen.
Die Aktivierungsenergie der ionischen Leitfhigkeit der extrinsischen
Sauerstoffionenleiter betrgt ca. 1 eV. Sie entspricht der Aktivierungs-
energie EA, die zur Bewegung der Ladungstrger ntig ist.
Abb. 7. 22
Einheitszelle von kubischem Cero-
xid (Fluorit-Struktur).
dunkel: Sauerstoffion
hell: Cerkation
Die hchsten Leitfhigkeiten liegen bei 1000C im Bereich von

i = 10 bis 20 S/m (d.h. 0.1 bis 0.2 S/cm) fr Dotierungsgehalte, die
zu ca. 5% Sauerstoffleerstellen fhren. Bei hherer Dotierung nimmt
die Leitfhigkeit aufgrund der Wechselwirkung der Sauerstoffleerstel-
len untereinander wieder ab, dabei steigt auch die Aktivierungsenergie
fr die ionische Leitfhigkeit.
Abb. 7. 23
Ionische Leitfhigkeit verschiede-
ner Oxide mit Fluorit-Struktur als
Funktion der Sauerstoff-
leerstellenkonzentration.
H.L. Tuller in Ceramic Materials

for Electronics, R.C. Buchanan,
Editor, M. Dekker Inc., NY, USA
(1991) p. 427.
7.5.4. Superionische Leiter

Die superionischen Leiter sind ein Extremfall der intrinsischen Lei-
tung, da keine Fremdatome ntig sind. Bekannte Beispiele von Ionen-
leitern dieser Art sind die kubische Hochtemperaturphase von Silber-
jodid, -AgI und der Natriumionenleiter -Al2O3.
Die kubische -AgI-Form ist bei Temperaturen ber 146C stabil. In
dieser Struktur bleiben die I--Ionen in einer raumzentrierten Gitteran-
ordnung, whrend die Ag+-Ionen vllig frei beweglich sind. Das Silbe-
rionenteilgitter geht bei der Umwandlung von -AgI zu -AgI in einen
quasi-geschmolzenen Zustand ber, whrend das Iodidionengitter erst
beim eigentlichen Schmelzpunkt flssig wird. Der Diffusionskoeffi-
zient von Ag+ in diesem Gitter (10-5 cm2s-1) ist in der Grssenord-
nung des Diffusionskoeffizienten von Ionen in Wasser, was den Beg-

riff quasi-geschmolzen rechtfertigt.
973 773 573 373 [K]

1
-AgI
0
log [ cm ]
-1
-1
AgBr
Abb. 7. 24 -2
-1
berblick ber die Leitfhigkeit -3
AgX Leiter und NaCl als Funktion AgCl
-4 -AgI
der Temperatur NaCl
-5
-6
-7
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
-1
1000/T [K ]
Zur gleichen Familie der Superionischen Leiter gehren Ag2S,

Ag2HgI4 und RbAg4I5.
-Aluminiumoxid. Die Struktur von - Al2O3 besteht aus zweidi-

mensionalen spinellhnlichen Blcken von Al3+ und O2--Ionen. Diese
Blcke werden in Abstand von 11.27 durch Na-O-Schichten von-
einander getrennt. Die Na+-Ionen sind innerhalb diesen Schichten frei
beweglich (Abb.7.25 und 7.26). Bei der Keramik resultiert eine drei-
dimensionale Leitfhigkeit von ca. 25 S/m bei 500C, was einem
Drittel der zweidimensionalen Leitfhigkeit von Einkristallen ent-
spricht.
Al
O
Na
Abb. 7. 25
-Aluminiumoxid
Die chemische Zusammensetzung von - Al2O3 entspricht der Formel

Na2O.11 Al2O3. Die Na+-Ionen knnen gegen K+- oder Li+-Ionen aus-
getauscht werden. Dabei erniedrigt sich jedoch die Leitfhigkeit, da
K+-Ionen bereits zu gross und daher weniger beweglich sind, kleine
Li+-Ionen werden dagegen an Zwischengitterpltzen festgehalten
(Abb.7.27).
0.1
Widerstand [ cm ]
0.01
-1
-1
1E-3
1E-4
1E-5 Na K
Ag
1E-6
Tl
1E-7
173 373573
Temperatur [K]
Abb. 7. 27
Grundflche der hexagonalen Elektrische Widerstand fr -Al2O3
Elementarzelle Keramiken (Einkristalle) dotiert mit
verschiedenen Metalloxyden
Abb. 7. 26
Mgliche Migrationswege des Na+-Iones
7.5.5. Anwendungsbeispiele von Ionenleitern

Elektrochemische Systeme mit keramischen Festelektrolyten, die bei
hohen Temperaturen eingesetzt werden knnen nehmen im Bereich
der Umwelttechnik und der umweltfreundlichen Energieumwandlung
eine immer wichtigere Stellung ein.
Keramische Sauerstoffsensoren zum Nachweis von Sauerstoff in Gas-
gemischen werden heute in grossem Umfang in der Automobiltechnik
(Lambda-Sonde) und der Prozessberwachung z.B. in Kehricht-
verbrennungsanlagen eingesetzt.
Kathode Anode
0.5O2 O2- O2- H2O

O2-
Abb. 7. 28
O2- O2- Funktionsprinzip der Festelektrolyt-
Brennstoff-zelle
2e-
2e- H2
U
Keramische Festelektrolyt-Brennstoffzellen (Solid Oxide Fuel Cells,

Ionenleiter
SOFC) sind Gerte, mit denen die chemische Energie eines Brennga-
Materialien ses (z.B. Erdgas oder Wasserstoff) direkt ber einen elektrochemi-
schen Prozess in elektrische Energie umgewandelt werden kann.
Y2O3-dotiertes ZrO2 als Sauer- SOFC arbeiten blicherweise in einem Temperaturbereich von 800 bis
stoffelektrolyt 1000C, durch Optimierung der Materialien und der Geometrie ist es
-Al2O3 als Natriumionenleiter
jedoch mglich auch bei Temperaturen von 600 bis 800C zu arbeiten.
Herstellung Die bei konventionellen thermischen Kraftwerken auftretende Limitie-
rung durch den Carnot-Zyklus kann bei Brennstoffzellen vermieden
Foliengiessen fr planare Elektro- werden, wodurch viel hhere Wirkungsgrade erreicht werden knnen.
lyten, Schlickerguss oder Trocken-
pressen fr tubulare Anordnungen;
Beide Systeme, sowohl der potentiometrische Sensor als auch die
Dnnfilmmethoden (PVD, CVD)
Brennstoffzelle sind relativ komplexe Materialsysteme, bestehend aus
einer Kathode, einem ionenleitenden Festelektrolyten und einer Ano-
Bauformen de. Zum Verstndnis ihrer Eigenschaften sind Kenntnisse bezglich
der elektrischen Eigenschaften der einzelnen Komponenten und ihrer
Rhren bis 200 cm Lnge und Grenzflchen zu den anderen Materialien und der umgebenden Atmo-
1.5 cm Durchmesser, Platten bis
20 cm Durchmesser und 150 m
sphre notwendig.
Wandstrke selbsttragend, 5 bis
150 m auf Substraten
7.5.5.1. Elektromotorische Kraft

Anwendungen
Wenn es mglich ist, eine chemische Reaktion in zwei rumlich ge-
Elektrochemische Analytik, Lamb- trennte Teilreaktionen zu trennen, von denen eine die Oxidation und
dasonden, Sauerstoffsensoren, die andere die Reduktion ist, knnen wir sie in Form einer elektro-
Brennstofzellen, Na-S-Batterien chemischen Reaktion in einer galvanischen Zelle durchfhren.
Die elektrische Spannung zwischen den beiden Elektroden einer gal-
vanischen Zelle (elektromotorische Kraft, EMK oder E) kann be-
schrieben werden mit
G = zFE . (7.37)
In Gl. (7.37) bedeuten G die Freie Enthalpie der betrachteten chemi-

schen Reaktion, z die Anzahl der transportierten elektrischen Ladun-
gen pro Formelumsatz, F die Faraday-Konstante und E die elektromo-
torische Kraft der Zelle bei offenem Stromkreis.
Betrachten wir z.B. die Umsetzung von Wasserstoff und Sauerstoff in
einer galvanischen Zelle nach der Gesamtreaktion
1/ 2O2 + H2 H 2 O , (7.38)
so erhalten wir fr die Freie Enthalpie G
a(H2 O)
G = G + RT ln
0
. (7.39)
a(H 2 ) a(O 2 )0.5
Hierbei bedeuten G0 die Freien Enthalpie im Standardzustand, R ist

die universelle Gaskonstante und T die Temperatur in Kelvin. Die
Aktivitten a(i) der Reaktanden und Produkte knnen fr Gase durch

die Partialdrcke p(i) ersetzt werden.
Fr die elektromotorische Kraft erhlt man mit Gl. (7.37) bis (7.39)
RT p ( H 2 O)
E = E0 ln , (7.40)
zF p(H 2 ) p(O 2 ) 0.5
mit E0, der Standard-EMK bezogen auf G0 der Reaktion.

In einer Konzentrationszelle, wie sie durch einen potentiometrischen
Sensor gebildet wird erhlt man fr die Differenz der Freien Enthalpie
zwischen beiden Seiten der Zelle
p( O 2 ) I
G = RT ln . (7.41)
p(O 2 ) II
Aus Gl. (7.39) ergibt sich die EMK einer Sauerstoffkonzentrationszel-

le einfach als
RT p(O2 ) II
E= ln I . (7.42)
4F p(O2 )
7.5.5.2. Festelektrolyt-Brennstoffzellen
Brennstoffzellen werden zur elektrochemischen Umsetzung der che-
mischen Energie eines Brenngases mit Luft in elektrische Energie und
Wrme verwendet.
Sie bestehen aus zwei gasdichten getrennten Halbrumen mit Luft
(O2) auf der einen, und dem Brenngas (z.B. H2) auf der anderen Seite.
Getrennt werden diese zwei Gaskammern durch einen Elektrolyten (E)
der z.B. fr Sauerstoffionen leitfhig ist. Elektroden, eine Kathode an
der Luftseite und eine Anode auf der Brennstoffseite, sorgen fr den
An- und Abtransport der elektrischen Ladungen. Wasserstoff will mit
dem Sauerstoff zu Wasser reagieren. Bei hheren Temperaturen (T >
800C) wird der Elektrolyt so gut leitend, dass die Reaktion O2 + H2
-> H2O durch Einschalten der (O2-) Sauerstoffionenleitfhigkeit im
Elektrolyten ermglicht wird. Auf die Kathode mssen Elektronen
hin, von der Anode diese abtransportiert werden. Durch einen usseren
Stromkreis wird dieser Elektronenfluss ermglicht. Er ist genauso
hoch wie mal der Sauerstoffionenfluss im Elektrolyten.
Brennstoffzellen weisen einen hheren Wirkungsgrad als konventio-
nelle Wrme-Kraft-Kopplungs Kraftwerke auf, da sie nicht an den
Carnot-Zyklus gebunden sind. Im Gegensatz zu diesem sind sie nicht
auf eine mglichst grosse Temperaturdifferenz zwischen der Betriebs-
temperatur des Kraftwerks mit der Umgebungsluft angewiesen. Ihr
Wirkungsgrad, , ist nur limitiert durch die Differenz der Enthalpie,
H, die den Energieinhalt der chemischen Reaktion bestimmt und die
Freie Enthalpie, G, die die maximal zu gewinnende elektrische Ener-

gie definiert:
G
= . (7.43)
H
Ein Vergleich des Verlaufs des Wirkungsgrades mit der Temperatur

wird in Abb. 7.29 wiedergegeben.
100
max. Wirkungsgrad [%]

SOFC
Abb. 7. 29 80
Theoretischer maximaler Wir-
kungsgrad fr eine Felstelektrolyt- 60
Brennstoffzelle bei der vollstndi- Carnot-Zyklus
gen Verbrennung von Methan zu 40 Tob-Tunt
Kohlendioxid und fr den Carnot- Tob
Zyklus mit einem unterem Tempe- 20
raturniveau von 300 K.
0
0 500 1000 1500
Temperatur [K]
Festelektrolyt-Brennstoffzellen sind aufgrund ihrer Flexibilitt in Be-

zug auf die Wahl der Brennstoffe universeller einsetzbar als die ande-
ren Typen von Brennstoffzellen wie z.B. Polymer- oder Phosphorsu-
re-Brennstoffzellen. Wegen des relativ hohen elektrischen Innenwi-
derstandes keramischer Festelektrolyte bei tiefen Temperaturen liegt
ihre Betriebstemperatur jedoch oberhalb 600C.
Wird eine H2-O2 Brennstoffzelle bei offenem usserem Stromkreis
betrieben, liegt ihre Zellspannung bei der EMK gegeben durch
Gl. (7.40). Schliesst man jedoch diesen Stromkreis (z.B. Glhbirne als
ussere Last), so fliesst im usseren Stromkreis ein Elektronenstrom
und durch den Festelektrolyten ein O2--Ionenstrom. Um die Strom-
Spannungs-Charakteristik einer Brennstoffzelle zu verstehen, ist es
ntig, zuerst die Triebkrfte fr die Bewegung von Elektronen und
Ionen im gesamten System zu betrachten.
7.5.5.3. Transport von Ionen und Elektronen

Betrachten wir zunchst die Bewegung von Sauerstoffionen im Fest-
elektrolyten. Aufgrund der Natur von Sauerstoffionen als chemische
Spezies und als Ladungstrger werden Sauerstoffionen sowohl durch
ein chemisches als auch durch ein elektrisches Feld getrieben. Wir
fhren daher den Begriff des elektrochemischen Potentials , , ein.
Das chemische Potential ist mit dem elektrochemischen Potential und
dem elektrischen Potential, , wie folgt verknpft:
(O ) = (O ) 2F
2 2
(7.44)
respektive (Siehe 7.6)
(O ) = (O ) 2F .
2 2
(7.45)
Der Gradient des elektrochemischen Potentials zwischen Anode und

Kathode ist die treibende Kraft fr den Transport des ionischen
Stroms:
i
ji = (O2 ) . (7.46) Siehe 7.3 & 7.4
2F
Aus Gl. (7.46) ist ersichtlich, dass der ionische Strom proportional zur
ionischen Leitfhigkeit ist und genau dann verschwindet, sobald die
Differenz des elektrochemischen Potential null ist und damit auch der
Gradient. Es gilt dann (Gl. (7.45)) dass (O2-) = 2F. Dies ist dann
der Fall, wenn kein Ionenstrom fliesst also nur eine elektr. Potential-
differenz durch das chemische Potential aufgebaut wird. In diesem
Fall spricht man von der OCV, der open circuit voltage.
7.5.5.4. Festelektrolyte
Sauerstoffsensoren und Festelektrolyt-Brennstoffzellen bentigen ke-
ramische Festelektrolyte mit mglichst hoher ionischer Leitfhigkeit.
Zustzlich mssen diese Materialien eine hohe Bestndigkeit sowohl
an Luft als auch unter stark reduzierenden Bedingungen aufweisen.
Abb. 7. 30
Es gibt nur wenige Materialien, die diese Bedingungen erfllen. Die Schematischer Aufbau einer Festelekt-
rolyt-Brennstoff-Zelle
am meisten eingesetzten sind tetragonal oder kubisch stabilisiertes
Zirkonoxid (3, resp. 8 mol% Y2O3 stabilisiertes ZrO2). Obwohl es
Materialien mit noch hherer Leitfhigkeit gibt, werden diese bisher
noch kaum eingesetzt, da ihre Stabilitt in reduzierender Umgebung so
gering ist, dass zustzlich zu ionischer auch elektronische Leitfhig-
keit entwickeln (z.B. dotiertes CeO2). Wir beschrnken uns daher im
folgenden auf Zirkonoxidelektrolyte.
Die Dicke des Elektrolyten betrgt bei Brennstoffzellen blicherweise
ca. 200 m, wobei auch Systeme mit Elektrolytdicken von 5 bis 30 Abb. 7. 31
Rasterelektronenmikroskopische Auf-
m in Entwicklung sind. Bei Sauerstoffsensoren betrgt die Dicke der nahme einer Einzelzelle
Elektrolytschicht meist 1 bis 2 mm, da im stromlosen Zustand gearbei-
ted wird und der Spannungsabfall am Elektrolyten die Ansprechzeit
des Sensors kaum beeinflusst.
Die elektrische Leitfhigkeit von kubischem ZrO2 als Funktion von
1/T ist in Abb.7.32 dargestellt.
T [C]
900 800 700 600 500 400
3
Abb. 7.32
Schematische Darstellung der 2
Bi
Sauerstoffionenleitfhigkeit ver- 2O
3 -b
1 ase
schiedener Elektrolyte die fr z.B. d GaO
3 -base
log( ) [S/m]
Brennstoffzellen und Sauerstoff- d
0
sensoren eingesetzt werden. CeO
t
2 -bas
-1
ed
ZrO
2 -b
-2
intermediate ase
temperature d
SOFC
-3
0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
103/T [K-1]
7.5.5.5. Die Kathode

Die Kathode ist in elektrochemischen Systemen diejenige Elektrode
an der die Reduktion der zu transportierenden Ionen stattfindet. Der
Begriff Anode oder Kathode hat also nichts mit der Polaritt der
Elektrode zu tun. Im Fall von p(O2)-Sensoren und SOFC ist die Elekt-
rode mit dem hheren Sauerstoffpartialdruck die Kathode.
Die Kathode muss eine hohe elektrische Leitfhigkeit bei hohen Tem-
peraturen und einen niedrigen Widerstand fr die Reduktion von Sau-
erstoff besitzen. Die kathodische Reaktion ist

1/2O 2 + 2e O
2
. (7.47)
Im allgemeinen besteht die Reaktion aus einer komplexen Abfolge

von Adsorptions-, Ladungstransfer- und Diffusionsschritten. Diese
hngen zudem vom verwendeten Kathodenmaterial und von p(O2),
Temperatur und vom Betriebspunkt der Zelle ab. Wir diskutieren sie
im Folgenden nicht eingehender. Der Spannungsverlust am Interface
zwischen Elektrolyt und Kathode wird als berspannung oder Polari-
sation bezeichnet. Die berspannung ist normalerweise kein ohmscher
Widerstand.
Materialien fr die Kathode sind gute elektronische Leiter, sie weisen
i.a. eine Porositt von 40 bis 60% auf, besitzen eine Korngrsse von
0.3 bis 2 m und eine Schichtdicke von 5 bis 50 m.
Die verwendeten Materialien hngen stark vom Einsatzzweck ab. Bei
Sauerstoffsensoren wird hufig Platin verwendet, da dieses Material
eine ausreichende elektrochemische Aktivitt besitzt und sowohl unter
stark oxidierende als auch unter stark reduzierenden Atmosphren
stabil ist. Fr Brennstoffzellen, deren Leistung stark von der Katho-
denberspannung abhngt, werden meist Perowskite (ABO3) verwen-
det, die allerdings nur unter oxidierenden Bedingungen stabil sind,
dafr aber eine hohe Aktivitt fr die Sauerstoffreduktion besitzen, Es
sind meist feste Lsungen mit einer Mischung von La3+ und Sr2+ auf
dem A- und einem bergangsmetall auf dem B-Platz des Gitters. Am
hufigsten verwendet man La1-xSrxMnO3 (sog. LSM), einen p-Typ

Halbleiter mit einer Leitfhigkeit von >104 S/m bei 800C.
Abb. 7.33
Mikrostruktur (REM) einer
La0.8Sr0.2MnO3-Kathode (links),
Platin-Elektrode (Kathode oder
Anode) rechts.
7.5.5.6. Die Anode

Die Anode ist die Elektrode an der das zu transportierende Ion (O2-)
oxidiert wird. Fr die Anode gelten hnliche Bedingungen wie fr die
Kathode. Sie muss eine hohe Aktivitt fr die elektrochemische Um-
setzung des Brenngases besitzen.
Der Reaktionsmechanismus an der Anode hngt zustzlich zu den
schon fr die Kathode geltenden Bedingungen, noch von der Natur des
Brenngases und vom Ab- resp. Weg-Transport von Reaktanden und
Produkten ab. Materialien, die als Anode verwendet werden, sind Pt
fr Sauerstoffsensoren (aufgrund der universellen Einsetzbarkeit) und
sogenannte Cermets, Mischungen aus Metallen und Oxiden, fr
SOFC-Anoden. Es sind dies meist Mischungen aus ca. 50% Ni und
50% Zirkonoxid.
Die elektrochemische Bruttoreaktion bei Brennstoffzellen, im Betrieb
mit Wasserstoff ist
O + H 2 H 2 O + 2e .
2- -
(7.48)
7.5.5.7. Kenndaten einer Brennstoffzelle
Bei Brennstoffzellen wird als wichtigste Kenngrsse die

Strom/Spannungskennlinie ermittelt. Ein typischer Verlauf ist in
Abb.7.34 gezeigt. Die Leerlaufspannung einer ZrO2 Zelle betrgt bei
900C mit Luft/H2 Betrieb.
Die Spannung nimmt aufgrund der inneren Verluste (Widerstnde) mit

steigendem Strom ab. Die wichtigsten Verluste sind:
Re : ohmscher Widerstand des Elektrolyten
RC,: ohmscher Widerstand in der Kathode (meist vernachlssig-
bar klein)
R,C: Polarisationswiderstand der Kathode
RA,: ohmscher Widerstand in der Anode (meist vernachlssigbar
klein)
R,A Polarisationswiderstand der Anode
0.5
1.0
Abb. 7.34 0.4
Strom/Spannungskennlinie (? ) 0.8
Zellspannung [V]
Leistung [W/cm ]
sowie Power-Output (o) einer 0.3
typischen Festelektrolytbrennstoff- 0.6
zelle.
0.2
0.4
2
0.2 0.1
900C
in Luft/Wasserstoff
0.0 0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
2
Stromdichte [A/cm ]
7.5.5.8. Potentiometrische Sauerstoffsensoren

Potentiometrische Sauerstoffsensoren werden zur Prozessberwa-
chung und zur Bestimmung von Sauerstoffpartialdrcken benutzt.
Hierzu wird auf der einen Seite des Sensors ein Referenzgas mit ei-
nem genau definierten p(O2) angelegt, auf der anderen Seite das zu
berwachende Gas mit unbekanntem p(O2).
Die fr die Gemischregelung in Verbrennungsmotoren benutzte -
Sonde funktioniert nach dem gleichen Prinzip. Man nutzt bei der Ge-
mischregelung den Effekt, dass sich der Sauerstoffpartialdruck im
Abgas in der stchiometrischen Luft/Kohlenwasserstoff-Mischung
(=1) um Grssenordnungen ndert. Diese ruft eine grosse nderung
in der EMK der - Sonde hervor und kann deshalb sehr gut zur Rege-
lung des Gemischs verwendet werden.
zugefhrte Luftmenge
=
theoretischer Luftbedarf
<1 Brennstoffberschuss
=1 stchiometrische Verbrennung
>1 Sauerstoffberschuss
Abb. 7.35
Abhngigkeit der Sondensignals von
dem -Wert
Abb. 7.36
Der Durschnitt einer - Sonde
Lernkontrolle
1. Berechnen Sie die Leistung einer Brennstoffzelle mit einer Flche

von 500 cm2 bei einer Stromdichte von 0.4 A/cm2 und einem
Spannungsabfall von 150 mV an der Kathode und 200 mV an der
Anode. Die Dicke des Zirkonoxidelektrolyten betrage 220 m.
-1
Der Sauerstoffpartialdruck an der Anode betrage 10 9 atm unter
den gewhlten Betriebsbedingungen. Der Kathode wird Luft zuge-
fhrt.
7.6. Halbleiter
Halbleiter spielen in der Elektrotechnik eine grosse Rolle, sei es als

Temperatur-Messfhler, als selbstregulierendes Heizelement oder als
elektronisches Bauteil. Sie lassen sich wiederum in zwei Gruppen ein-
teilen
1. Intrinsische Halbleiter
2. Extrinsische Halbleiter
3. Defekthalbleiter
Halbleiter:
intrinsischer
exstrinsischer Intrinsische Halbleiter. Intrinsische Halbleiter sind dadurch charakte-
Log
risiert, dass sie eine Energielcke zwischen Leitungs- und Valenzband

besitzen, die kleiner als ca. 2.5 eV ist. Deshalb befindet sich eine be-
stimmte Anzahl Elektronen aufgrund der thermischen Anregung im
1/T Leitungsband. Zustzlich werden bei Anwesenheit eines elektrischen
T
Feldes Elektronen in das Leitungsband angehoben. Fr jedes so ange-
regte Elektron entsteht im vollen Valenzband ein positiv geladenes
Loch. Zur Beschreibung der elektrischen Leitfhigkeit kann man daher
anstelle der Bewegung von Elektronen auch die Bewegung von L-
chern im elektrischen Feld betrachten.
Extrinsische Halbleiter. Bei extrinsischen Halbleitern wird die Leit-

fhigkeit durch Zugabe von Dotierungen erreicht. Dabei kann je nach
Wertigkeit der Dotierung in Bezug auf das Wirtsgitter p-Typ oder n-
Typ Halbleitung erzeugt werden. Kombinationen von p- und n-Typ
Halbleitern erlauben die Herstellung von Elementen fr die moderne
Mikroelektronik (Dioden, Transistoren,...) und sind deshalb besonders
interessant. Wir werden sie im Kapitel 7.7 behandeln.
Liegt das Ferminiveau eines Halbleiter nahe beim Leitungsband ge-

ngt schon eine geringe thermische Anregung (k.T), um n-Typ Halb-
leitung zu ermglichen. Dasselbe gilt nturlich, wenn das Ferminiveau
nahe bei der Valenzbandkante liegt, wo durch themische Anregung
Lcherleitung ermglicht wird.
Um das Fermi-Niveau nahe an das Leitungsband zu heben, knnen

Elektronendonatoren dem Halbleiter zugefgt werden. Wir betrachten
als Beispiel Silizium. Wird Silizium mit Elementen der Gruppe V, wie
z.B. As oder P, dotiert, entsteht ein n-Typ Halbleiter. Das Donator-
Niveau liegt ca. 0.05 eV unter dem Rand des Leitungsbandes. Das
nicht abgesttigte Elektron des Donators ist frei beweglich.
Werden dreiwertige Elemente wie B, Al, Ga oder In zur Dotierung des

Siliziumkristalls verwendet, kann eine der vier kovalenten Bindungen
nicht eingegangen werden. Ein benachbartes Si-Atom muss daher ein
Valenzelektron an das Fremdatom abgeben, dieses wirkt als Akzeptor.
Dieser Prozess fgt Lcher ins Valenzband ein und erniedrigt das Fer-
mi-Niveau, so dass es knapp oberhalb des Valenzbandes zu liegen
kommt. Man spricht bei einem solchen Halbleiter vom p-Typ. Die
nicht gesttigte Bindung zwischen Akzeptor und Si kann an einer be-
liebigen Stelle sitzen und durch irgendein Elektron gefllt werden, d.h.
das Loch wandert.
Si Si Si Si Si
Si Si Si Al Si
LB
Si Si Si Si Si
Akzeptorniveau
f Si Si Al Si Si
VB
Si Si Si Si Si
Nicht gesttigte
Bindung (Loch)

Abb. 7.37
Bandschemata eines p-Typ
Si Si Si Si Si
(oben) und eines n-Typ Halb-
Si Si Si P Si leiters (unten). Beispiele der
Bindungsverhltnisse fr die
Si Si Si Si Si entsprechende Dotierung von
LB
Silizium mit einem Akzeptor
f Donatorniveau Si Si P Si Si (Al, oben) und einem Donator
(P, unten).
VB Si Si Si Si Si
Nicht gesttigte
Bindung (Elektron)

Defekthalbleiter. Defekthalbleiter sind Materialien, deren Akzepto-

ren- beziehungsweise Donatoren-Niveaus durch intrinsische Defekte
besetzt werden. Beispiele fr Defekthalbleiter sind NiO (p-Typ) und
ZnO (n-Typ).
In Nickeloxid knnen durch Aufoxidieren Nickelleerstellen gebildet
werden, die durch dreiwertiges Nickel kompensiert werden. Ni3+ wirkt
dabei als Akzeptor (Ni3+ hat im Vergleich zu Ni2+ ein Elektron zuwe-
nig, respektive ein Loch zuviel). Der Kristall gewinnt an Volumen.
2Ni Ni + 2O Ox + VNi''
O 2 NiO
(7.49)
Ni Ni
Ni Ni
NiO x
+ h (7.50)
Das Material wird nichtstchiometrisch (NiO1+x) und ein p-Typ Halb-

leiter, wie auch andere bergangsmetalle mit Kationendefizit (siehe
auch Gl. 7.23).
Beispiele fr n-Typ Halbleiter sind Oxide, die durch Reduktion ein

Sauerstoffdefizit aufweisen knne wie CeO2-x, oder TiO2-x .
Wir behandeln hier ZnO als Beispiel. Durch Reduktion werden in die-
sem Material Zn-Ionen auf Zwischengitterpltzen gebildet. Das Kris-
tallvolumen nimmt ab. Die Zwischengitterionen wirken als Donatoren,
es entsteht n-Halbleitung.
1
Zn xZn + O Ox Zn ix + O 2
ZnO
(7.51)
2
Zn ix Zn i + e ,
ZnO
(7.52)
Ein anderer Mechanismus, in dem eine Sauerstoffleerstelle entsteht, ist

auch mglich.
1
Zn xZn + O Ox Zn Zn
ZnO x
+ VOx + O2 (7.53)
2
VOx VO + e ,
ZnO
(7.54)
Beide von diesen Defektarten wirken als Donatoren. Die Donatorene-

Abb. 7.38 nergien sind hnlich fr die beiden Defekte (Abb. 7.38).
Bandschemata des n-Typ ZnO-
Halbleiter. Die Energiezustn- Kombination intrinsischer und extrinsischer Halbleitung. Treten
de innerhalb der Bandlcke in einem Material, z.B. durch Verunreinigungen beide Effekte, sowohl
entstehen auf Grund der
intrinsische als auch extrinsische Halbleitung auf, so beobachtet man,
Punktdefekten.
dass sich die Aktivierungsenergie der Leitfhigkeit als Funktion der
Temperatur ndert.
Die thermische Erzeugung extrinsischer Ladungstrger bentigt klei-
nere Aktivierungsenergien (Ferminiveau nahe bei Valenz oder Lei-
tungsband!) als die Erzeugung intrinsischer Elektron/Loch-Paare. Bei
solchen Leitern dominiert bei tiefen Temperaturen daher die extrinsi-
sche bei hohen Temperaturen die intrinsische Leitung.
Abb. 7.39
Elektrische Leitfhigkeit eine
Halbleiters mit extrinsischer und Sttigung
log()
intrinsischer Leitung als Funktion Gesamtleitfhigkeit

der Temperatur. Bei tiefen Tempe-
raturen dominiert die extrinsische
Leitung (kleine Differenz Femini-
veau zu LB oder VB), bei mittleren
extrinisch
Temperaturen sind alle Akzeptor-
bzw. Donatorniveaus besetzt (Leit- intrinsisch
fhigkeit bleibt konstant). Bei
hohen Temperaturen gewinnt die
intrinsische Leitfhigkeit an Be- inverse Temperatur [1/K]
deutung.
In einem gewissen Temperaturbereich ist das Donator- respektive Ak-

zeptor-Niveau vollstndig besetzt, die Leitfhigkeit kann daher nicht
strker ansteigen. Erst bei hohen Temperaturen nimmt sie durch die
Bildung intrinsischer Ladungstrger wieder zu.
7.6.1. Anwendungen von keramischen Halbleitern

7.6.1.1. Heissleiter
Da die Leitfhigkeit von Halbleitern thermisch aktiviert ist, werden sie
hufig als NTC- Widerstnde eingesetzt (Negative Temperature Coef-
ficient). Ihr spezifischer Widerstand kann in Anlehnung an das Arrhe-
niusgesetz gegeben werden durch
(T ) = 0 exp(TB ) . (7.55)
Hierbei ist 0 der Vorfaktor, der in erster Nherung temperaturunab-

hngig ist, B ist mit der Aktivierungsenergie fr die elektrische Leitf-
higkeit verknpft (B = -EA/k). Die Steigung der Widerstands-
Temperatur-Kurve wird mit R bezeichnet. Sie liegt im Bereich von
ca. 3 bis 5%/K.
d(ln ) B
R = = 2 (7.56)
dT T
Heissleiter sind meist Spinelle (AB2O4 , wobei A zweiwertig und B
vierwertig ist).
Als Heissleiter werden Spinelle wie z.B. Mn3O4 (Mn2+Mn3+2O4) oder
inverse Spinelle wie NiMn2O4, CoFe2O4 verwendet. Die bergangs-
metalle in dieser Struktur knnen verschiedene Oxidationsstuffen
aufweisen. Kationen mit verschiedenen Valenzen knnen miteinander
Elektronen austauschen. Dieser Valenzaustauch ist fr eine thermisch
aktivierte Leitung verantwortlich.
Abb. 7.40
Valenzaustausch (hoping Lei-
tung) in Heissleiter-Spinellen.
Diese Materialien knnen bei Temperaturen bis zu ca. 300C einge-

setzt werden. Fr hhere Temperaturen bis ca. 1000C verwendet man
in der Regel Mischungen seltener Erden, deren halbleitende Eigen-
schaften durch Sauer-stoffnichtstchiometrie zustande kommen (s.
Kap. Defektchemie).
In Abb. 7.41 ist die Einheitszelle eines Spinells dargestellt, sie enthlt
8 Formeleinheiten AB2O4. Im Spinell sind die A2+ Kationen
tetraedrisch koordiniert, die B3+ Kationen oktaedrisch. In inversen
Spinell sind A2+ und die Hlfte der B3+ oktaedrisch koordiniert, die
restlichen B3+ tetraedrisch (B(AB)O4).
Abb. 7.41
Kistallstruktur des Spinells. Die
Elementarzelle, die 8 Formelein-
heiten ABO4 enthlt, lsst sich in 8
Unterzellen aufteilen, die sich in
jeder Kristallrichtung abwechseln.
Typische Heissleiterkennlinien sind in Abb. 7.42 dargestellt.
Abb. 7.42
Elektrischer Widerstand einer 8
10
Reihe von Heissleiters als Funkti-
7
on der Temperatur. 10
6
10
500 k
Widerstand []
5
10
50 k
4 5 k
10
500
3
10
50
2
10
1
10
0
10
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
o
Temperatur [ C]
Bei der Anwendung von NTC-Widerstnden in elektrischen Schaltun-

gen gilt es zu beachten, dass das Bauelement durch Stromfluss er-
wrmt wird und deshalb seinen Widerstand ndert.
Heissleiter werden eingesetzt als:

Temperatursensoren
Einschaltstrom-Begrenzer
Spannugsstabilisatoren
NTC Widerstnde
Materialien
7.6.1.2. Heizelemente Spinelle

Heizelemente werden benutzt um elektrische Energie in Wrme um- inverse Spinelle
zusetzen. Hierzu bentigt man Werkstoffe mit Widerstandswerten von Einstellung der Kennlinie
durch Mischen verschiedener
0.001 bis 1 m. Folgende Keramiken werden hauptschlich verwen- Oxide
det:
Kohlenstoff (reduzierende Atmosphre) Herstellung
SiC (oxidierende Atmosphre) Die Pulverherstellung erfolgt meist

Siliziumkarbid ist aufgrund seine SiO2 Schutzschicht stabil bis durch Mischen und Mahlen der
ca. 1600C an oxidierender Atmosphre. Es wird als Heizele- Ausgangsoxide,
ment, z.T. auch als Varistor (s.u.) eingesetzt. SiC ist oberhalb Foliengiessen
Siebdruck fr Dickfilme
von 600C ein intrinsischer Halbleiter (Bandlcke 2.2 eV). Pressen
MoSi2 (oxidierende Atmosphre)
Molybdndisilizid bildet wie SiC eine SiO2 Schutzschicht und
Bauformen
kann bis 1800C eingesetzt werden. Es wird als Verbundwerk-
stoff mit 20% Aluminiumsilikat eingesetzt (Superkanthal). Filme
SnO2 Perlen
Zinnoxid ist ein schlechter Halbleiter mit grosser Bandlcke Tabletten
(3.7 eV), bildet aufgrund einer kleinen Nichtstchiometrie aber Anwendungen
hufig Donoren (0.1 eV unterhalb des Leitungsbandes), es kann Heizelemente
auch mit Sb5+ dotiert werden, um denselben Effekt zu erzielen. Temperatursensoren
Zinnoxid wird als Elektrodenmaterial, fr Wannen und Tiegel Einschaltstrombegrenzer
zur Glaserschmelzung verwendet.
7.7. Oberflchen- und Grenzflchenphnomene
7.7.1. Der p-n bergang

Betrachten wir den bergang zwischen einem p-Typ und einem n-Typ
Halbleiter.
Abb. 7. 43
Thermodynamisches Gleichge-
wicht am p-n bergang.
1. Bandschema von n-Typ (links)

und p-Typ (rechts) Halbleitern
bevor sie in Kontakt stehen.
2. Bandschema des p-n bergangs

im thermodynamischen Gleichge-
wicht. Die Ferminiveaus (d.h. die
elektrochemischen Potentiale) der
Ladungstrger auf beiden Seiten
des bergangs sind auf gleicher
Hhe.
3. Raumladungszone (x). Beider-

seits des bergangs bildet sich
eine Raumladungszone aus.
4. Verlauf des elektrostatischen

Potentials V(x)und des elektrischen
Feldes E(x) am p-n bergang.
Die Hhe des Potentialsprungs,
weit von der Raumladungszone
entfernt, wird als Diffusionsspa-
nung VD bezeichnet.
Solange beide Halbleiter nicht in Kontakt gebracht werden liegt das

Fermi-Niveau, Ef, oder mit anderen Worten das elektrochemische Po-
tential von Lchern und Elektronen auf unterschiedlichen Niveaux.
Bringen wir beide zusammen, so fliessen so lange Lcher vom p-Typ
Halbleiter in den n-Typ Halbleiter und umgekehrt, bis sich die Fermi-
niveaus auf dem gleichen Potential befinden. Treibende Kraft fr die-
sen Fluss von Ladungstrgern ist wiederum der Gradient des elektro-
chemischen Potentials. Durch diesen Vorgang kommt es zu einer Re-

kombination von Lchern und Elektronen auf beiden Seiten des Inter-
face, es entsteht eine Raumladung (x) und zwar positiv auf der n-Typ
Seite (zuwenig Elektronen!) als auch auf der p-Seite (zuwenig L-
cher). Die elektrische Potentialdifferenz ber die entstandene elektri-
sche Doppelschicht wird als Diffusionsspannung VD bezeichnet.
Die Bnder des n-Typ Halbleiters verschieben sich zu niedrigeren

Energien, und zwar um einen Betrag qVD, die Bnder des p-Typ Halb-
leiters werden zu hheren Energien verschoben. Der Abstand der Bn-
der zueinander wird im jeweiligen Halbleiter nicht beeinflusst, weil
wir die Dotierung dadurch ja nicht ndern.
Wie wir wissen, kann mittels eines p-n bergangs ein Gleichrichter
(Diode) aufgebaut werden, d.h. der bergang sperrt den Strom in einer
Richtung fast vollstndig. Um dies zu verstehen betrachten wir zu-
nchst wieder den bergang im thermodynamischen Gleichgewicht,
interpretieren dieses aber jetzt dynamisch. Wir nehmen dabei an, dass
auch im Gleichgewicht ein gewisser Lcher- und Elektronenstrom
fliesst, der aber entgegengesetzt gleich gross ist:
1. Auf der n-Seite des bergangs existiert im Valenzband eine gewis-

se (aber relativ kleine) Konzentration von Lchern. Ein Lcher-
strom fliesst also auch im Gleichgewicht von der n- zur p-Seite.
Dieser wird als Erzeugungsstrom bezeichnet. Sobald ein solches
Loch in den Bereich der Doppelschicht des bergangs gelangt,
wird es auf die p-Seite abgetrieben. Es wird jedoch auf der n-Seite
sofort wieder ersetzt, indem durch thermische Anregung erneut ein
Elektron-Loch Paar gebildet wird. Von der p-Seite zur n-Seite
fliesst ebenfalls ein Strom von Elektronen, diese Treiben im Feld
der Doppelschicht auf die n-Seite ab (Erzeugungsstrom) und wer-
den ebenfalls durch ein Elektron-Loch Paar wieder ersetzt.
2. Die rumliche Ladungsbilanz wird wieder hergestellt, indem Elekt-
ronen (n -> p), respektive Lcher (p -> n) gengend hoher Energie
die eVD-Barriere berwinden und auf der anderen Seite mit den
zahlreich vorhandenen Lchern oder Elektronen rekombinieren.
Dieser Strom wird als Rekombinationsstrom bezeichnet.
Die thermische Bildung von Elektron/Loch Paaren ist nur thermisch

aktiviert, d.h. der Erzeugungsstrom ist nicht von einer angelegten
Spannung abhngig!
Der Rekombinationsstrom hngt hingegen von der Hhe der Potenti-

albarriere ab. Diese ist im Gleichgewichtszustand eVD. Wird nun eine
Spannung angelegt so kann diese Barriere erhht beziehungsweise
erniderigt werden. Der p-n bergang sperrt oder lsst einen Strom
passieren.
Abb. 7. 44
p-n bergang in thermodynami-
schen Gleichgewicht. Erzeugungs-
und Rekombinationsstrom von
Elektronen und Lchern sind
gleich gross.
p-nbergang in Durchlassrich-
tung. Die n-Seite ligt um qV0 h-
her als die p-Seite. Elektronen
gelangen leichter vom Leitungs-
band (n-Seite) ins Akzeptorniveau
(p-Seite). Der Rekombinati-
onsstrom nimmt zu, whrend der
Erzeugungsstrom gleich gross
bleibt, d.h. es fliesst ein Nettostrom
ber den p-n-bergang.
p-n bergang in Sperrrichtung. Es

gelangen kaum Elektronen vom
Leitungsband der n-Seite ins Ak-
zeptorniveau der p-Seite (energe-
tisch ungnstig!).
7.7.2. Kaltleiter (PTC)

Kaltleiter sind elektronische Leiter deren elektrische Leitfhigkeit mit
steigender Temperatur abnimmt. Dieser Effekt tritt - hnlich wie bei
den Ferroelektrika - im Bereich einer Phasenumwandlung auf. Bei
Temperaturen weit von dieser Phasenumwandlung entfernt verhalten
sich Kaltleiter wie gewhnliche Halbleiter, d.h. ihr Widerstand sinkt
mit steigender Temperatur. Kaltleiter werden im allgemeinen als PTC
Widerstnde bezeichnet, was fr Positive Temperature Coefficient
steht.
In Abb. 7.45 ist der spezifische Widerstand gegen die Temperatur fr
PTC-Widerstnde auf der Basis von BaTiO3-Legierungen gegen die
Temperatur dargestellt. Im Bereich vor bzw. nach dem starken Anstieg
des Widerstands verhalten sich PTC-Widerstnde wie gewhnliche
Halbleiter.
Der PTC-Effekt ist ein Korngrenzeneffekt, gekoppelt mit einer Pha-
sennderung des Materials. Bei Bariumtitanat wird dabei der tetrago-
nal-kubisch bergang benutzt, in Einkristallen tritt der Effekt nicht
auf. Um den Effekt besser zu verstehen mssen wir zunchst die
Bandstruktur des Materials in der Umgebung der Korngrenzen be-
trachten.
Korngrenzen stellen immer eine Inhomogenitt in Bezug auf Material-

zusammensetzung und Kristallstruktur dar. Diese Entstehen z.B. durch
Segregation von Verunreinigungen. Wir knnen nun dem Material und
der Korngrenze unterschiedliche Fermienergien zuordnen.
Abb. 7.45
Spezifischer Widerstand r gegen
Temperatur fr diverse Bariumti-
tanatlegierungen. Substitution von
Barium durch Blei frt zu einem
Anstieg, Zusatz von Strontium zu
einer Erniedrigung der Curietem-
peratur und somit des PTC-Effekts.
D.C. Hill and H.L. Tuller in Ceramic
Materials for Electronics, 2nd Ed.,
R.C. Buchanan, Editor, Marcel Dekker
Inc., NY, USA (1991).
Betrachten wir zwei Krner mit der Fermienergie Ef (K), die ber eine EF
Korngrenze mit der Fermienergie Ef (KG) verbunden sind. In Abb.
7.47 ist ein solcher Korngrenzenbergang dargestellt, wobei hier die
Krner Donator-Halbleiter sind und die Korngrenze ein Akzeptor- Metall Halbleiter Der Kontakt im
Kontakt
Halbleiter ist. Diese Anordnung wird auch als doppelte Schottky- Vakuum Gleichgewicht
Barriere bezeichnet. Es bilden sich Raumladungszonen and der Korn-

grenze, da es durch die Verschiebung der Ferminiveau zu einem Fluss Abb. 7.46
Modell einer Schottky-Barriere bei
von Elektronen aus dem Korn in die Korngrenze kommt.
einem Metall-Halbleiter bergang.
Ein Teil der Elektronen vom Halblei-
ter geht in den Metall ber.
Es entsteht eine Raumladung
Abb. 7.47
Modell fr den Potentialverlauf an
einer Korngrenze eines Halblei-
ters. Die Korngrenze wirkt in die-
sem Modell als Akzeptor, das inne-
re Der Krner auf der linken und
rechten Seite ist ein Donator.
Die Korngrenze ist im Gleichge-
wicht, d.hes wird kein usseres
elektrisches Potential angelegt.
Wenn ber die Korngrenze keine Spannung anliegt, ist die Anordnung
symmetrisch, die Raumladungszone im Inneren der Krner links und
rechts ist gleich breit, dl=dr=d. Die Breite der Korngrenze ist dKG. Die
Hhe der Potentialbarriere, respektive die Bandverbiegung wird als

KG(0) bezeichnet. Man kann mittels der Poisson-Boltzmann Glei-
chung zeigen, dass die Beziehung zwischen KG (0) und der Breite der
Raumladungszone gegeben ist durch
qN D d 2
KG (0) = , (7.57)
2 0
wobei ND die Dichte der Donatoren im Inneren der Krner bezeichnet.
Wichtig ist zu beachten, dass die Hhe der Potentialbarriere an der
Korngrenze invers proportional zur relativen Dielektrizittskonstanten
ist. Wird nun mit Heizen oder durch Stromdurchgang-Aufwrmen
die Phasenumwandlung erreicht, so erhht sich und die KG-Barriere
SP/cm
T/103
wird erniedrigt.
Tetragonal. Kubisch.
Ferroelektrisch Paraelektrisch
TC
KG(0)
KG(0)
Abb. 7.48
Dielektrizittskonstante und der
Spezifische Widerstand von BaTiO3
in der Nhe von der Curie-
Temperatur.
Abb. 7.49
Raumladungen an der Korngrenzen
unterhalb und oberhalb der Curie-
Temperatur.
Bei den meisten oxidischen Halbleitern entstehen Raumladungen an

den Korngrenzen aufgrund von Segregationen von Verunreinigungen
oder Dotierungselementen oder durch Nichtgleichgewichtszustnde
aufgrund unterschiedlicher Diffusionsgeschwindigkeiten in Korn und
Korngrenze beim Sintern. Wir erwarten eigentlich, dass der Wider-
stand der betrachteten Korngrenze mit steigender Temperatur ab-
nimmt, da die Leitfhigkeit, , thermisch aktiviert ist:
KG (0)
~ e kT
Da bei Ferroelektrika aber die relative Dielektrizittskonstante im Be-

reich der Curietemperatur TC einen grossen Sprung macht, kommt es
hier bei einem kleinen Temperaturanstieg zu einem grossen Abfall
von . Dies fhrt zu einem starken Anstieg von KG (0) und somit zu
einer Zunahme des Widerstands.
Als Material fr PTC-Widerstnde wird meist dotiertes Bariumtitanat

verwendet. Dieses Ferroelektrikum besitzt im reinen Zustand aufgrund
seiner Bandlcke von ca. 3 eV eine sehr geringe elektrische Leitfhig-
keit. Meist wird Donator-dotiertes BaTiO3 verwendet mit Y und La
auf Ba-Pltzen (Abb.7.49) und Nb oder Ta auf Ti-Pltzen.
Abb. 7.50
Dotierung von BaTiO3 mit Yttrium.
Um den PTC-Effekt zu erreichen mssen nun Akzeptorzustnde an PTC-Widerstnde

der Korngrenzen eingebracht werden. Dies geschieht durch Sintern
von Bariumtitanat bei hohen Sauerstoffpartialdrcken, wobei sich im Materialien
Material Ba und Ti-Leerstellen bilden. Die Konzentration der Kation- (Ba,Y,La)(Ti,Nb,Ta)O3
leerstellen ist in der Randzone der Krner am hchsten. Die Leestellen Pb(Zr,Ti)O3
wirken als Akzeptoren und kompensieren die durch Dotierung einge-
brachten Donatoren.
Die Herstellung von PTC-Widerstnden stellt ein sehr komliziertes Herstellung
Prozess dar. Viele Faktoren knnen die Egenschaften des Widerstan-
des beinflussen (Abb.7.51). Mischen und Mahlen von oxidi-
schen Ausgangsstoffen.
Sintern unter hohem Sauertoffpar-
tialdruck, kontrolliertes Abkhlen.
Bauformen
Tabletten
Pillen
Wabesnstrukturen (Heizelemente)
Anwendungen
Grenztemperatursensoren
selbstregelnde Heizelemente
berlastschutz
Abb. 7.51
PTC-Material Engineering
Durch Messungen mit Mikromani-
pulatoren an einzelnen Korngrenzen und an Einkristallen konnte ge-
zeigt werden, dass der PTC-Effekt an den Korngrenzen lokalisiert ist.
7.7.3. Varistoren
Varistoren (von engl. variable resistor) sind halbleitende Materialien
mit einer stark nichtlinearen Strom-Spannungs-Charakteristik. Der
Varistor-effekt beruht wie der PTC-Effekt auf Potentialbarrieren an
den Korngrenzen. Die elektrische Leitfhigkeit eines Varistors ist un-
terhalb einer gewissen angelegten Spannung (ca. 3.2 V pro Korn-
grenze bei ZnO) sehr klein, nimmt oberhalb dieser aber um Grssen-
ordnungen zu.
Der Leitfhigkeitsmechanismus ist hnlich wie beim PTC-Widerstand
(Abb. 7.47). Im Unterschied zu diesem wird aber nicht die nderung
von KG (0) bei TC ausgentzt, sondern das elektrische Feld wird ver-
wendet, um die Potentialbarrieren an den Korngrenzen zu berwinden.
Abb. 7. 52
Varistor in der Nhe des Gleich-

gewichtszustands, d.h. die
angelegte ussere Spannung ist
klein. Solange das Fermi-Niveau
auf der rechten Seite hher liegt
als das Maximum der
Valenzbandkante, ist die
Wahrscheinlichkeit fr das
Tunneln von Elektronen durch die
Potentialbarriere an der Korn-
grenze klein.
Bei weiterer Erhhung des usse-

ren Potentials nimmt die Wahr-
scheinlichkeit fr das Tunneln von
Elektronen zu.
Ist die Spannung so hoch, dass die

Fermikante auf der rechten Seite
unterhalb der Valenzbandkante
des Korns auf der linken Seite
liegt, wird die Potentialbarriere
vollstndig abgebaut un, Elektro-
nen knnen nun praktisch unge-
hindert fliessen.
Der Varistor-Effekt wird dadurch erzeugt, dass Elektronen aus dem n-

halbleitenden Korn an der Korngrenze eingefangen werden. Dadurch
entsteht auf beiden Seiten eine (positive) Raumladung. Diese Anord-

nung wird als doppelte Schottky-Barriere bezeichnet.
In Abb. 7.52 ist das Energieschema einer Korngrenze in einem Va-
ristor dargestellt. Ist die an der Korngrenze anliegende Spannung U
null, so ist das Energieschema symmetrisch (Abb. 7.47). Eine anlie-
gende Spannung bewirkt eine zunehmende Bandaufbiegung, auf der
echten Seite kommt es zu einer Ausdehnung der Raumladungszone
(a). Sinkt das Ferminiveau der Lcher auf der rechten Seite unter die
Valenzbandkante VB, knnen die Ladungstrger durch die Potential-
barriere tunneln (b). Sobald die angelegte Spannung in der Grssen-
ordnung der Bandlcke zwischen Valenz- und Leitungsband ist, wird
die Potentialbarriere komplett abgebaut (c).
7.7.3.1. Strom-Spannungs-Kennlinie
Die Strom-Spannungs-Kennlinie von Varistoren ist nichtlinear, bei
niedrigen angelegten Spannungen ist die Leitfhigkeit des Varistors
gering. berschreitet die Spannung jedoch einen kritischen Wert,
nimmt der Widerstand um Grssenordnungen ab.
Abb. 7.53
Schematische Kennlinie eines

Varistors. Die Nichtlinearitt der
Kennlinie wird durch den Parame-
ter ausgedrckt, der proportio-
nal zu Strom und Spannung am
Arbeitspunkt (IK, UK) und zur
Steigung der Kurve an diesem
Punkt ist
Die Kennlinie eines Varistors ist symmetrisch zum Ursprung. Die

Nichtlinearitt des Verhaltens wird ausgedrckt durch
U K dU
= . (7.58)
I K dI
Hierbei bedeuten UK und IK Spannung und Strom am Arbeitspunkt

und dU/dI die Steigung der Kennlinie in diesem Punkt.
Die Kennlinie des Varistors ist die Lsung dieser Differentialglei-
chung und ist gegeben als (empirische Varistorgleichung)

I U
= (7.59)
IK UK
Je grsser nun der Nichtlinerittskoeffizient wird desto schrfer

wird die Schaltcharakteristik des Varistors.
Abb. 7. 54 I
Kennlinien von Varistoren mit
unterschiedlichen -Werten.
=3
=5
=99
U
ZnO-Varistoren
Materialien
ZnO, dotiert mit Prsodymoxid,

Wismutoxid, Antimonoxid und
Es gibt einige Materialien, bei denen der Varistoreffekt mehr oder
bergangsmetalloxiden
weniger deutlich auftritt. Zu ihnen gehren einige der fr PTC-
Widerstnde verwendeten Werkstoffe (z.B. BaTiO3) und Materialien,
Herstellung die ausgeprgte Korngrenzenschichten ausbilden wie SiC (SiO2-
Schichten).
Mischen und Mahlen der Aus-
gangsoxide, Sprhtrocknen, Pres-
Das einzige kommerziell eingesetzte Varistormaterial ist heute je-
sen und Sintern (Flssigphasen- doch Zinkoxid (ZnO). ZnO Varistoren haben eine wachsende Bedeu-
sintern). Anschliessend werden die tung im Bereich der Halbleiterelektronik, wo empfindliche Bauteile
Kontaktflchen aluminisiert. (Transistoren, Thyristoren) wirksam geschtzt werden mssen. In der
Hochspannungstechnik werden Varistoren als sogenannte Ableiter
Bauformen
eingesetzt, um Stromversorgungsnetze vor berspannungen (z.B.
durch Blitzschlag) zu schtzen. Dazu mssen sie Stromstssen von
Zylinder (ca. 60 mm Durchmesser, bis zu 100 kA whrend 10 s bei Spannungen von mehreren hundert
6 cm Hhe) fr die Hochspan- Kilovolt standhalten.
nungstechnik
ZnO-Varistoren werden durch Mischen von ZnO (<1 m) mit bis zu
Pillen, Perlen fr Halbleiter-
schutzschaltungen 10 Dotierungselementen (Bi2O3, Sb2O3, NiO, CoO, MnO) herge-
stellt. Der Gewichtsanteil der Dotierungen liegt blicherweise im
Bereich von 10%, wobei das Verhltnis der einzelnen Komponenten
Anwendung
im Bereich von mehreren Prozent bis einigen ppm liegt.
berspannungsschutz Das Sintern von Varistoren wird bei Temperaturen von 1200C
durchgefhrt. Wismutoxid ist bei dieser Temperatur flssig und fr-
dert durch sein hohes Lsungsvermgen fr die brigen Komponenten
deren Verteilung sowie das Dichtsintern der Keramik und das Korn-
wachstum. Antimonoxid hingegen hemmt das Kornwachstum und
frdert die Entstehung eines gleichmssigen Gefges.
Das Gefge der Varistoren besteht aus ca. 20 m grossen Krnern.
Das zugesetzte Bismutoxid sammelt sich grsstenteils in den Zwi-
ckeln der Krner als kristalline Phase, in der die restlichen Dotie-
rungselemente gelst sind.
Abb. 7. 55
Gefge eines Zinkoxid-Varistors.

Die Krner bestehen aus ZnO, die
Phase an den Korngrenzen besteht
hauptschlich aus Wismutoxid mit
gelsten Dotierungselementen, die
z.T. wieder eigene Phasen bilden
(v.a. Spinelle und Pyrochlore).
berspannungsableiter (schema-
tisch)
Die Varistoren werden als berspannungsschutz verwendet. Die Abb.

7.56 zeigt die Spannung-Strom Kennlinien die man bei einem Kurz-
schluss ohne und mit einem Varistor bekommt.
Abb. 7. 56
Ein Varistor als berspannungs-
schutz.
Notizen
8.Kap
Supraleitung
Um die Jahrhundertwende wurden grosse Fortschritte in der
Tieftemperaturforschung gemacht. In diesem Umfeld wurde 1911 das
Phnomen Supraleitung vom niederlndischen Experimentalphysiker
Heike Kamerlingh Onnes entdeckt. Onnes, der seine ganze
wissenschaftliche Karriere der Tieftemperaturkhlung widmete,
gelang 1908 als erstem die Verflssigung von Helium bei 4 Kelvin.
Das flssige Helium erlaubte ihm die Durchfhrung von
Experimenten bei Temperaturen, so nahe am absoluten Nullpunkt, wie
sie nie zuvor erreicht wurden.
1911 begann Onnes mit der Untersuchung der elektrischen

Eigenschaften von Metallen bei extrem tiefen Temperaturen. Damals
war wohlbekannt, dass der elektrische Widerstand mit sinkender
Temperatur abnimmt. Heftig diskutiert wurde jedoch, wie sich der
Widerstand in der Nhe des absoluten Nullpunktes verhalten wrde.
Es existierten drei unterschiedliche Thesen (Abb. 8.1). Lord Kelvin
vertrat die Ansicht, dass die Elektronen am Nullpunkt an Ort und
Stelle einfrren und demnach der Widerstand gegen Unendlich strebt.
Der deutsche Physiker Matthiesen glaubte, es verbleibe ein konstanter
Restwiderstand in den Metallen. Onnes und Dewar dagegen
Abb. 8.1
vermuteten, dass der Widerstand weiter linear abnimmt. Theorien zum Verhalten von Metallen
nahe dem absoluten Nullpunkt.
Da gewhnlich Verunreinigungen in Metallen ihre elektrische
Leitfhigkeit beeintrchtigen und somit die experimentellen Resultate
verflschen, arbeitete Onnes mit Quecksilber (es lsst sich leicht
reinigen, da es bei RT flssig ist). Zunchst beobachtete er wie
erwartet eine kontinuierliche Abnahme des Widerstandes. Bei 4.2 K
schien aber der Widerstand vollstndig verschwunden zu sein. Diese
Messung erweckte vorerst keineswegs Entdeckerglck, sondern vor
allem Misstrauen gegenber der Messmethode und den Messgerten.
Durch wiederholte Versuche berzeugte er sich schliesslich, dass
tatschlich stets ein Sprung im Widerstand des Quecksilbers auftrat
(Abb. 8.2). Experimente mit Zinn und Blei zeigten bald, dass auch
andere Metalle bei ausreichender Khlung supraleitend werden. Fr
seine Leistung bei der Erforschung des Verhaltens von Metallen in der
Nhe des absoluten Nullpunktes wurde Onnes im Jahre 1913 der
Nobelpreis verliehen.
Whrend den folgenden 75 Jahren wurden zwar einige wenige

Anwendungen entwickelt, wie z. B:
Leistungsfhige supraleitende Magnete fr MRI (magnetic
resonance imaging) in der Medizin.
Hochfeldmagnete in hochenergetischen Teilchenbeschleunigern.
Sehr sensible magnetische Felddetektoren - SQUIDs
Abb. 8.2 (Superconducting Quantum Interference Devices).
Der elektrische Widerstand von Aber die notwendige Khlung mit flssigem Helium verhinderte aus
Hg als Funktion der Temperatur. wirtschaftlichen Grnden eine breitere Anwendungspalette.
Im April 1986 entdeckten K.A. Mller und J.G. Bednorz (zwei

Forscher bei IBM in Zrich) Supraleitung im System (LaBa)2CuO4,
welches schon bei einer Temperatur von 35 K supraleitend wurde. Fr
diese Entdeckung wurde ihnen der Nobelpreis verliehen.
Nur wenige Monate spter entdeckte eine Gruppe aus Houston

Supraleitung bei Temperaturen ber 77 K (flssigem Stickstoff) in
YBa2Cu3O(7-) . Dies erffnete vllig neue Perspektiven, da Khlung
mit Stickstoff sowohl um Grssenordnungen billiger als auch viel
einfacher zu handhaben ist.
Das Rennen um die Entdeckung weiterer supraleitender Materialien

mit noch hheren Sprungtemperaturen begann. 1988 wurden
Supraleiter im Bi-Sr-Ca-Cu-O-System (TC = 110 K) und im Tl-Ba-Ca-
Cu-O-System (TC = 125 K) gefunden. Im Jahre 1993 wurde
schliesslich an der ETH Zrich im System Hg-Ba-Ca-Cu-O
Supraleitung mit TC = 133 K gefunden. Die gleiche Verbindung unter
Hochdruck hergestellt erreicht ein TC > 150 K, was bis heute die
hchste gemessene Sprungtemperatur geblieben ist.
Die Entdeckung der Supraleitung oberhalb von 77 K in einer so

speziellen Materialgruppe wie den keramischen Oxiden forderte
Physiker, Chemiker und Materialwissenschaftler gleichermassen. Das
berdenken der bisherigen Theorien sowie die Begrndung und die
Konsequenzen neuerer Beobachtungen waren und sind immer noch
eine grosse Herausforderung der Wissenschaft. Obwohl 1987 die
flssig Stickstoff - Barriere durchbrochen worden ist, sind viele
grosse Versprechungen der Supraleitertechnologie bis heute noch
nicht realisiert worden. Viele technische Probleme verhindern den
Einsatz in vielerlei Anwendungen. Falls die Sprungtemperatur noch
weiter erhht werden kann (bis RT ?), ist sicher auch eine Revolution
der gesamten bisherigen Technologie mglich.
Techniker in aller Welt trumen schon von supraleitenden Antrieben

fr Magnetschwebebahnen, Schiffe oder gar Kraftfahrzeuge, Gerte
vom einfachen Sensor bis hin zum supraleitenden Grosscomputer und
Systemkomponenten vom Kabel bis zum Generator. Die Entwicklung
wird sicherlich noch einige Jahrzehnte oder mehr dauern, sofern sich
die materialtechnischen Probleme berhaupt lsen lassen.
8.1 Was ist Supraleitung?
Onnes entdeckte 1911, dass der elektrische Widerstand von

Quecksilber beim Abkhlen unter 4.2 K sprungartig auf Null abfllt
(Abb. 8.2). Ob allerdings tatschlich R = 0 gilt, kann experimentell
nicht bestimmt werden. Als untere Grenze des Widerstandsprunges
gilt heute ein Abfall um mindestens vierzehn Zehnerpotenzen. In
einem Experiment, floss ein induzierter Strom im Ring aus einem
Supraleiter ohne messbare Verminderung whrend zweieinhalb
Jahren! Ein Supraleiter hat einen spezifischen Widerstand, der
mindestens 1017-mal kleiner ist als derjenige von Kupfer. Wir knnen
also getrost sagen: unterhalb einer kritischen Temperatur kann ein
supraleitender Zustand auftreten, wobei der elektrische Widerstand
verschwindend klein wird. Zu beachten gilt es, dass die Bedingung R
= 0 nur fr Gleichstrom gilt. Die Beschreibung des Widerstandes bei 0.010
Wechselstrom ist sehr komplex und sprengt den Rahmen dieses onset
Kapitels. 0.008
Widerstand / m
0.006
Wie schon in der Einleitung taucht im Zusammenhang mit
Supraleitung immer wieder der Begriff kritische Temperatur oder 0.004
Sprungtemperatur TC auf. Diese definiert den Phasenbergang
0.002 R=0
zwischen normal- und supraleitendem Zustand. Tc,onset ist die
Temperatur bei welcher der Widerstand beim Abkhlen vom linearen 0.000
Verhalten abweicht und unterhalb von Tc,R=0 ist kein Widerstand mehr 80 90 100 110 120
messbar (Abb. 8.3). Dazwischen sind weitere Definitionen Temperatur / K
gebruchlich, z.B. ist TC,50 diejenige Temperatur, bei welcher der
Widerstand auf die Hlfte abgesunken ist. Abb. 8.3
Verschiedene Definitionen von TC .
Im Jahr 1933 konnten Meissner und Ochsenfeld zeigen, dass der
supraleitende Zustand neben der Eigenschaft R = 0 zustzlich die
Eigenschaft hat, ein Magnetfeld immer aus seinem Innern zu
verdrngen; das Material erweist sich als perfekter Diamagnet.
Dieser Effekt wird heute kurz Meissner-Effekt genannt: B = 0. An
der Oberflche des Supraleiters (T < TC) werden supraleitende
Abschirm-strme angeworfen, welche ein Magnetfeld erzeugen, dass
im Inneren des Supraleiters das ussere Magnetfeld exakt
kompensiert.
Abb. 8.4.
Schematische Darstellung des
Meissner - Effekts in einer supra-
leitenden Kugel, die bei konstan-
tem usserem Magnetfeld abge-
khlt wird. Beim Unterschreiten
der Sprungtemperatur werden die
Induktionsfeldlinien aus der Kugel
herausgedrngt. Bi > 0, T > TC Bi = 0, T < TC
In Festkrpern werden die Beitrge zur spezifischen Wrme cp von

Phononen (Gitterschwingungen) und Elektronen geliefert. Im
normalleitenden Zustand gilt:
cp Phononen ~T und cp Elektronen ~T.

Nach dem bergang zur supraleitenden Zustand gilt:
cp Elektronen ~exp(-C/T) ,
was zu einem Sprung in der spezifischen Wrme fhrt (Abb. 8.5).
Abb. 8.5
Spezifische Wrme eines
Supraleiters.
8.2 Supraleitende Werkstoffe
Die Antwort auf die Frage, welche Werkstoffe supraleitende

Eigenschaften zeigen, soll hier in zwei Teilen gegeben werden. Es ist
naheliegend, dass als erstes die Elemente als Reinstoffe untersucht
wurden, ehe man sich an deren Verbindungen und Legierungen wagte.
8.2.1 Supraleitende Elemente
Abb. 8.6
Periodensystem der supraleiten-
den Elemente.
Die ferromagnetischen Elemente ((Fe, Co, Ni) sind nicht supraleitend

Die guten Leitern (Ag, Cu, Au..) werden nicht supraleitend
Nb zeigt das hchste TC = 9.2K aller Elemente
8.2.2 Supraleitende Verbindungen

Es sind weit ber tausend supraleitende Legierungen und
Verbindungen bekannt. Man findet sogar supraleitende Verbindungen,
fr deren Komponenten keine Supraleitung beobachtet wird. Als
Beispiel hierzu sei CuS mit TC = 1.6 K erwhnt.
Eine interessante Gruppe bilden die Supraleiter mit -Wolframstruktur

vom Typ Nb3Sn, Nb3Ga, Nb3Ge.
Abb. 8.7
Elementarzelle der
-Wolframstruktur
Ge
Nb
Charakteristisch fr diese Struktur ist die Anordnung der Nb-Atome in

Ketten parallel zur x-, y- und z-Achse. Diese orthogonalen Ketten
schneiden sich nicht. In den Ketten haben die Nb-Atome einen
kleineren gegenseitigen Abstand als im Gitter des reinen Nb. Die
Kettenstruktur scheint hierbei fr die besonderen Eigenschaften
verantwortlich zu sein.
Verbindung TC [K]
Abb. 8.8
Nb3Sn 18 Tieftemperatur Supraletende Verbindungen
Nb3Ge 23 Supraleiter
PbMo6S8 15 Cheverel Phase
NbO 2 Tieftemperatur
NaxWO3 6 oxydische
BaPb1-xBixO3 12 Supraleiter
(LaSr)2CuO4 36 Hochtemperatur
YBa2Cu3O7-x 93 Supraleiter
HgBa2Ca2Cu3O8+x 135
K3C60 19 Fullerene
Cs2RbC60 33
Die Hypothese, wonach es mglich sein sollte, organische Supraleiter

mit besonders hohem TC zu finden, war bereits 1964 formuliert
worden. Aber erst im Jahre 1980 wurde von Jerome et al. der erste
organische Supraleiter entdeckt. Inzwischen erreicht man
beispielsweise mit der Verbindung (BEDT-TTF)2Cu(CNS)2
bergangstemperaturen von 10.4 K. Mit der Entdeckung der Fullerene
1990 wurden diese kritischen Temperaturen bei weitem bertroffen.
Fr die Zusammensetzung Cs2RbC60 wurde ein maximales TC von 33
K gemessen.
Vor mehr als 20 Jahren stellten A. Sleight und seine Mitarbeiter beim
amerikanischen Chemiekonzern Du Pont einen keramischen
Werkstoff aus Barium, Blei, Wismut und Sauerstoff her. Obwohl seine
Sprungtemperatur bei nur 12 K lag, brachte er J.G. Bednorz und K.A.
Mller auf die Idee, gezielt nach keramischen Supraleitern zu suchen.
Sie leiteten im September 1986 durch ihren Artikel in der Zeitschrift
fr Physik B die Revolution in der Supraleiterforschung ein.
Proben aus dem La-Ba-Cu-O-System zeigten bereits bei 34 K einen

Abb. 8.9:
steilen Abfall des elektrischen Widerstandes. Mit dem Nachweis des
Struktur eines C60-Fullerens
Meissner-Effektes war der Beweis fr die Supraleitung der Proben
erbracht. Dies lste einen wahren Goldrausch nach oxidischen
Supraleitern aus. Bereits einige Monate spter wurde von Y-Ba-Cu-O
berichtet, bei dem TC-Werte > 92 K beobachtet wurden. 1988 wurden
Supraleiter im Bi-Sr-Ca-Cu-O-System (TC = 110 K) und im Tl-Ba-Ca-

Cu-O-System (TC = 125 K) gefunden.
ber Ostern 1993 entdeckte A. Schilling von der ETH Zrich

Supraleitung im Hg-Ba-Ca-Cu-O-System bei 133 K. hnliche
Verbindungen unter Hochdruck synthetisiert gaben Spitzenwerte bis
zu 157 K. Dieser Erfolg entbehrt freilich nicht einer gewissen Ironie.
Schon der vorherige Rekordhalter Tl-Ba-Ca-Cu-O enthielt mit
Thallium ein hochgiftiges Element, das seine kommerziellen
Einsatzmglichkeiten einschrnkt. Mit Quecksilber ist auch der neue
Rekordhalter nicht ungefhrlich. Es scheint, als reiche die Natur den
Gral der Hchsttemperatur-Supraleitfhigkeit nur als Giftbecher.
Diese oxidischen Supraleiter - die sogenannten Hochtemperatur-
Supraleiter (HTSL) - stehen zur Zeit im Brennpunkt des
Forschungsinteresses aller Industrienationen.
Abb. 8.10
Historische Entwicklung
der kritischen Temperatur.
8.3 Die Physik der Supraleitung
Die Theorie der Supraleitung ist extrem kompliziert und bentigt das
Verstndnis der Quantenmechanik. Die ausfhrliche und vollstndige
Diskussion ber die Quantenmechanik der Supraleitung sprengt den
Rahmen dieses Kapitels. In diesem Abschnitt sollen nur einige
Grundlagen vermittelt werden.
Abb. 8.11
Schematische Darstellung der
Gitterdeformation durch einem
Elektron
.
Supraleiter haben die Eigenschaft, Gleichstrom ohne elektrischen

Widerstand zu leiten. Die Elektronen wandern demnach ungehindert
durch das Kristallgitter; denn jede Art von Zusammenstssen
verursacht Reibung und somit Energieverluste. Die Fhigkeit der
Elektronen ungehindert durch das Material zu wandern hat die
Wissenschaftler ber viele Jahre beschftigt. Die drei amerikanischen
Physiker J. Bardeen, L. Cooper, und J. Schrieffer, lieferten mit der
BCS-Theorie 1957 die erste mikroskopische Erklrung fr die
Supraleitung. Sie erhielten fr ihre Entdeckung 1972 den Nobelpreis.
Nach dieser Theorie sind die Elektronen bei tiefer Temperatur gepaart.
Die Kopplung zwischen ihnen beruht auf ihrer Wechselwirkung mit
dem Kristallgitter. Ein Elektron, das an den Ionen des Gitters
vorbeiwandert, kann dessen Lage verschieben. Dieses Elektron
erzeugt ein Phonon (Abb. 8.11). Die Verformung des Gitters bildet
eine Region mit positiver Ladungsdichte, die wiederum ein zweites
Elektron anzieht. Whrend einer Phononoszillation kann das Elektron

eine Distanz von ~104 zurcklegen. Das zweite Elektron wird dann
angezogen ohne die Abstossungskraft des ersten Elektrons zu spren.
Zwischen den beiden Elektronen entsteht also eine Anziehung, die bei
niedrigen Temperaturen strker ist als die Coulomb-Abstossung. Die
beiden Elektronen bilden also einen gebundenen Zustand, und man
spricht von einem Cooper-Paar (Abb. 8.12).
Abb. 8.12
Schematische Darstellung der
Elerktron-Phonon-Wechsel-
wirkung, welche fr die Bildung
der Cooper-Paare verantwortlich
ist.
Die Elektronen in Cooper-Paaren haben entgegengesetzte Spins, so

dass sie als ein Teilchen mit Gesamtspin null betrachtet werden.
Solche Teilchen mit geradzahligem Spin bezeichnet man als Bosonen.
Fr sie gilt, dass ein Quantenzustand je wahrscheinlicher ist, desto
hufiger er bereits besetzt ist, d.h. die Bosonen nehmen alle den selben
Quantenzustand mit gleicher Energie ein (Abb. 8.13). Fr Fermionen,
Teilchen mit halbzahligem Spin (z.B. Elektronen), gilt hingegen das
Pauliverbot wonach jeder Quantenzustand nur einmal besetzt wird. Im
Grundzustand des Supraleiters bei T = 0 K sind smtliche Elektronen
in Cooper-Paaren gebunden, die alle die gleiche Energie haben. Die
Impulse der einzelnen Elektronen sind bei T = 0 K gleich gross, aber
entgegengesetzt.
Abb. 8.13 Bose and Fermie

Statistik
Die bisher besprochenen Cooper-Paare haben keinen Impuls. Somit

bewegen sich gleich viele Elektronen in die eine wie in die andere
Richtung, und es fliesst kein Strom. Wird dem System, z.B. durch
Anlegen einer Spannung, Energie zugefhrt die kleiner ist als die
Bindungsenergie der Paarkorrelation, so bleiben die Cooper-Paare
erhalten, besitzen aber einen von null verschiedenen Gesamtimpuls.
Alle Cooper-Paare haben dabei den gleichen Impuls: Im Supraleiter
fliesst ein Strom. Ein normaler Leiter hat einen Widerstand, weil der
Impuls der Ladungstrger bei deren Streuung am Atomrumpfgitter
verndert wird. Wie besprochen, tritt die Streuung an
Verunreinigungen (Fremdatomen) oder an thermischen Schwingungen
der Gitterionen (Phononen) auf. In einem Supraleiter werden die
Cooper-Paare fortwhrend aneinander gestreut; jedoch bleibt bei
diesem Vorgang der Gesamtimpuls erhalten, so dass sich keine
nderung des Stromes ergibt. Ein Cooper-Paar kann nicht an einem
Atomrumpf gestreut werden, weil dies einen Energieverlust zur Folge
htte was fr ein Boson nicht mglich ist. Der einzige Weg, den Strom
durch Streuung zu verringern, besteht darin, die Bindung der Cooper-
Paare aufzubrechen. Dies erfordert eine kinetische Energie der
Cooper-Paare die gleich oder grsser als die Bindungsenergie der
Paarkorrelation ist. Bei kleinen Strmen sind Streuvorgnge, bei
denen sich der Gesamtimpuls eines Cooper-Paares ndert, vllig
ausgeschlossen. Daher haben Supraleiter keinen Widerstand.
Man darf bei der beschriebenen Modellvorstellung nicht vergessen,

dass es sich bei der Paarbildung um einen dynamischen Prozess
handelt, da sich die Elektronen durch das Gitter bewegen.
Ausschlaggebend ist letztlich die Geschwindigkeit, mit der das Gitter
der Strung durch ein vorberfliegendes Elektron folgen kann und
somit die Eigenfrequenz des Gitters.
Die guten elektrischen Leiter werden nicht zu Supraleitern. Beim

guten Leiter ist die Wechselwirkung zwischen Elektronen und dem
Gitter schwach. Fr die Supraleiter ist die Elektron-Phonon-Kopplung
wichtig.
Die C-Paarbildung wird ber eine Gitterschwingung vermittelt. Diese
Schwingung wird von der Masse der schwingenden Gitterionen
abhngig. Das fhrt zur einer Verschiebung der TC wenn Elemente mit
unterschiedlichen Massen (Isotope) in das Gitter eingebaut werden
(Isotopieeffekt).
Abb. 8.14
Isotopieeffekt in Hg
TC~M-
Fr viele Tieftemperatur- Supraleiter ist =0.5.

In den Supraleiter fhrt die Bildung der Cooper-Paaren zur einer

nderung der Zustandsenergieverteilung in der Nhe der
Fermieenergie EF. Unterhalb der TC bildet sich um die Fermieenergie
eine Energielcke 2. Die Cooper-Paare im Grundzustand haben die
Energie um kleiner als die EF. Die ungepaarten Elektronen (oder
zerrissene Cooper-Paare) haben eine hhere Energie EF+. Mit der
Erhhung der Temperatur wird 2 immer kleiner und bei TC gleich
Null. Zugleich werden alle Cooper-Paare zerrissen. Die 2 Werte
knnte man aus den Messungen der spezifischen Wrme entnehmen
(Abb. 8.15)
Abb. 8.15
Energielcke und spezifische
Wrme in Supraleiter
cElektronen ~exp(-/kBT) ,
kB Boltzmannkonstante 2= Eg Energielke. Cooper-Paare

Bindungsenergie.
Die BCS Theorie gibt eine universelle Abhngigkeit zwischen der

Energielcke und TC.
2=3.5kBTC
Tc<20K Eg~1meV
Tc~100K Eg~5meV (Eg1.2eV fr Si).
Zu beachten gilt es, dass diese Beschreibung, basierend auf der BCS-
Theorie nur auf Tieftemperatur-Supraleiter (TTSL) anwendbar ist.
Eine Theorie, die das Phnomen der Hochtemperatur-Supraleitung
zufriedenstellend erklrt, gibt es zur Zeit noch nicht.
8.4 Supraleiter im Phasenraum Temperatur

Strom - Magnetfeld
Um Verwechslungen vorzu-
beugen werden in der Folge Wir haben bis jetzt gesehen, dass Supraleitung nur unterhalb einer
Magnetfelder durch ihre kritischen Temperatur TC mglich ist. Gleichzeitig wissen wir, dass
magnetische Induktion B
ein usseres Magnetfeld vom Supraleiter verdrngt wird. Es ist
charakterisiert.
anzunehmen, dass auch hier eine kritische obere Grenze besteht;
Es gilt im Vakuum: oberhalb eines kritischen Magnetfeldes wird dieses in den
Supraleiter eindringen und den supraleitenden Zustand zerstren. Um
B = 0 H den verschwindenden elektrischen Widerstand auszuntzen, wollen
wir verlustfrei Strom transportieren. Dabei ist zu beachten, dass jeder
und innerhalb einer Strom ein Magnetfeld aufbaut. Z.B. erzeugt ein Strom I durch einen
Substanz: langen, dnnen Draht ein Feld, dessen Feldlinien konzentrische Kreise
bilden und dessen magnetische Flussdichte B im Abstand R vom
B = 0 (H+M) Leiter gegeben ist durch:
I
B = 0
2 R (8.1)
Damit stellen sich zwei Probleme:

1. Wie kann das durch den Stromfluss zwingend erzeugte Magnetfeld
im Supraleiter verpackt werden, wo doch dieser Magnetfelder aus
seinem Inneren verdrngen will?
2. Die Supraleitung bricht sptestens dann zusammen, wenn das durch

den Stromfluss erzeugte Magnetfeld den kritischen Wert bersteigt.
Somit gibt es also eine kritische Stromdichte jC.
Wir haben festgestellt, dass neben der kritischen Temperatur TC auch

ein kritisches Magnetfeld BC und eine kritische Stromdichte jC
existieren. Die Supraleitung tritt nur auf wenn alle 3 Grssen, die
voneinander abhngig sind, unterschritten werden wir sprechen von
einem Phasenraum ber T-j-B.
Abb. 8.16
Der supraleitende Phasenraum
Stromdichte
bergangseben
jc e
Normalzustand
Tc
Temperatur
Zustandsraum des Supraleiters

Bc
Magnetfeld
8.5 Die London-Gleichungen, Eindringtiefe

und Kohrenzlnge
Eine erste phnomenologische Theorie zur Supraleitung wurde von F.

und H. London vorgeschlagen. Analog zum Ohmschen Gesetz
j = E im normalleitenden Fall wurde eine Verknpfung der
Stromdichte mit dem elektrischen Feld (R = 0 im supraleitenden
Zustand) gesucht. Immer gltig bleiben dabei natrlich die
Maxwellschen Gleichungen.
Die Maxwellschen Gleichungen sind die Grundgleichungen der Elektrodynamik:
1. div E = 1/ E Elektrische Feldstrke

Raumladungsdichte
Permitivitt
Ruhende elektrische Ladungen erzeugen um sich herum ein elektrisches Feld.

Die elektrischen Feldlinien beginnen oder enden in den Ladungen.
2. div B = 0 B Magnetische Flussdichte
Es gibt keine magnetischen Monopole, Ladungen oder Strme.

Der Magnetfeldfluss B durch eine geschlossene Oberflche ist gleich null.
3. rot E = - dB/dt
Ein sich zeitlich nderndes Magnetfeld erzeugt um sich herum ein elektrisches Wirbelfeld.
4. rot B = 0 j + 0 0 dE/dt 0 Magnetische Feldkonstante (4 10-7 Vs/Am)

0 Elektrische Feldkonstante (8.85 10-12 As/Vm)
j Stromdichte
Der elektrische Strom und ein sich zeitliches nderndes elektrisches Feld erzeugen ein
magnetisches Wirbelfeld.
Abweichend vom normalen Fall (Ohmsches Gesetz) bei welchem die

Geschwindigkeit der Elektronen im E-Feld konstant ist (die
Proportionalittskonstante heisst spez. Widerstand) ist beim
Supraleiter der Widerstand = 0. Die Ladungstrger werden also
stndig beschleunigt und dies proportional zum Feld E.
Die Bewegungsgleichung fr Elektronen im elektrischen Feld lautet,
m dv/dt = e E m Masse (8.2)

v Geschwindigkeit
e Ladung
E Elektrische Feldstrke
ersetzt man v in Glg. 8.2 mit Hilfe der Definition der Stromdichte
j=n e v j Stromdichte (8.3)

n Ladungstrgerdichte
ergibt sich die erste Londonsche Gleichung:
d( j)/dt = E (8.4)
mit
= m / (n e2) (8.5)
Zusammen mit der 3. Maxwell-Gleichung rot E = -dB/dt ergibt sich

aus Gleichung 8.4 die zweite Londonsche Gleichung:
rot ( j) = - B (8.6)
Aus der 2. London-Gleichung lsst sich der Verlauf eines

Magnetfeldes im Supraleiter berechnen! Kombiniert mit der 4.
Maxwell-Gleichung rot B = 0 j (fr dE/dt = 0) wird demnach
rot rot B = rot 0 j = - (0/) B (8.7)
und mit
rot rot B = grad div B B (8.8)
sowie der 2. Maxwell-Gleichung div B = 0 wird
- B + (0/) B = 0 (8.9)
Diese Differentialgleichung gelst fr eine Dimension ergibt:
B(x) = B0 exp(-x/) mit = 0.5 (8.10)
Diese Gleichung beschreibt den exponentiellen Abfall des B-Feldes

von der Leiteroberflche ins Innere. Dabei bezeichnet die Stelle, wo
B(x) auf den e-ten Teil des Oberflchenwertes abgefallen ist. Man
nennt die Londonsche Eindringtiefe. Sie ist temperaturabhngig,
da die Ladungstrgerdichte n temperaturabhngig ist. Dabei gilt
ungefhr (T) = 0 (1-(T/TC)4)-0.5. Wie in Abb. 8.12 ersichtlich, steigt
die Eindringtiefe gegen TC hin stark an, das Magnetfeld dringt immer
mehr ein und zerstrt die Supraleitung.
Abb. 8.17
Temperaturabhngigkeit der
Londonschen Eindringtiefe des
usseren Feldes in die Oberflche
eines Supraleiters.
Abb. 8.18
Eindringtiefe und Dichte der
Cooper-Paare an der Grenzflche
normal- supraleitend.
Abb. 8.17 Abb. 8.18
In Abb. 8.13 ist dargestellt, wie das Magnetfeld in den supraleitenden

Querschnitt eindringt. Gleichzeitig ist eingezeichnet, wie sich die
Dichte der supraleitenden Ladungstrger von Null am Rand auf nC
steigert.
ber die Kohrenzlnge GL (GL weist auf die Ginzburg-Landau
Cooper-Paar Theorie hin) ist definiert, innert welcher Distanz diese Dichte um den
e-ten Teil zunimmt. Man kann aber auch sagen:
GL
GL gibt den Abstand an, ber den die Korrelation zu Cooper-
Paaren wirksam ist. Anders ausgedrckt: Sie bezeichnet die grsste
SL NL SL nichtsupraleitende Strecke (Korngrenze, Verunreinigung), die ein
Cooper-Paar durchtunneln kann oder den Abstand zwischen den
beiden Elektronen eines Cooper-Paares (Abb. 8.14).
x
GL > x Tunneleffekt GL gibt auch die kleinste Lnge an, ber welche die Dichte der
Cooper-Paare variieren kann.
SL NL SL
Die Kohrenzlnge hat damit wesentlichen Einfluss auf die
elektrischen Eigenschaften des Supraleiters.
x
GL < x Weak link
8.6 Josephsoneffekt
Abb. 8.19
Tunneleffekt und Weak links beim
bergang Supraleiter Normal- Metall-Isolator-Metall Tunneleffekt
leiter - Supraleiter.
Nehmen wir an, wir haben zwei Metallstcke die mit einer sehr
dnnen isolierenden Schicht getrennt werden; dann knnen die
Elektronen durch diese Barriere nicht fliessen. Legt man aber ein
Potenzial an, werden die Elektronen an einer Seite des berganges
eine grssere Energie als an der anderer haben. Man bekommt an
beiden Seiten des M-I-M-berganges unterschiedliche Fermi Niveaus.
Die isolierende Barriere knnte dann durchtunnelt werden. Der
Tunnelstrom wird in diesem Fall linear vom Potenzial (der Spannung)

abhngig.
Abb. 8.20
Der Tunneleffekt und die Strom-
Spannung Charakteristik beim
Metall-Isolator-Metall bergang
Metall-Isolator-Supraleiter Tunneleffekt
Wenn es an einer Seite des berganges einen Supraleiter (bei

Temperatur unterhalb der TC) gibt, dann gibt es fr den Supraleiter
eine Energielcke 2 in der Elektronen Zustandsenergieverteilung.
Die Zustnde unterhalb der Energielcke sind mit Cooper-Paaren
besetzt. Die Elektronen aus dem Metall knnen in den unteren
Energieband nicht durchtunneln. Man muss wieder ein Potenzial
anlegen (und zwar grsser als /e) um die Fermieenergie der Metall-
Elektronen so zu erhhen, dass sie in den Energieband oberhalb der
Lcke durchtunneln knnen. Die Strom-Spannungs Charakteristik ist
nicht mehr linear. Es fliesst kein Strom im bergang bis die Spannung
den Wert /e erreicht. Wenn die Spannung den Wert /e berschreitet,
wird sofort ein sehr grosse Tunnelstrom durch den bergang fliessen.
Abb. 8.21
Spannungs Charakteristik beim
Metall-Isolator-Supraleiter
bergang
Supraleiter-Isolator-Supraleiter Tunneleffekt
Wenn der bergang nicht polarisiert ist (d.h. ohne Spannung) knnen
die Cooper-Paare durch die isolierende Barriere tunneln. Das ist aber
nur dann mglich wenn die Dicke der Barriere kleiner ist als die
Kohrenzlnge. So kann der Strom ber die Barriere ohne Verluste
(Wiederstand gleich Null) fliessen. Der maximale Strom der durch den
bergang fliessen kann (Kritischer Josephson Strom) kann die Werte
1-103 A/cm2 erreichen.
Mit einer Erhhung der Spannung knnte man hnliche Tunneleffekte
wie beim Metall-Isolator-Supraleiter bergang erreichen. Man muss
aber eine Spannung anlegen die den Wert 2/e berschreitet. Die
Cooper-Paare werden dann zerrissen und durchtunneln in den Band
oberhalb der Energielcke.
Abb. 8.22
Spannung Charakteristik beim
Supraleiter-Isolator-Supraleiter
bergang
8.7 Supraleiter im usseren Magnetfeld
Wie bereits vorher angedeutet, ist das Verschwinden des elektrischen

Widerstandes nicht die einzige charakteristische Eigenschaft des
supraleitenden Zustandes. Der Meissner-Effekt der das Verhalten in
einem usseren Magnetfeld beschreibt, insbesondere das Verdrngen
des Magnetfeldes aus dem Inneren einer supraleitenden Probe, kommt
noch dazu. Dabei kann man zwei grundstzlich verschiedene
Verhaltensweisen beobachten, die von Ginzburg-Landau Parameter
=/GL abhngig sein.
8.7.1 Supraleiter 1. Art (Typ I)
Die Materialien fr die <1/2=0.71 nennt man Supraleiter Typ I. Abb. 8.23
Supraleiter Typ I
TC [K] [nm] GL [nm]
Al 1.2 16 1600 0.01
Sn 3.7 34 230 0.16
Pb 7.2 37 83 0.47
Wird um einen Supraleiter 1. Art ein usseres Magnetfeld aufgebaut,

so wird dieses nicht in den Supraleiter eindringen knnen (ausser in
einem sehr kleinen Oberflchenbereich Abb. 8.23). In diesem
Oberflchenbereich werden Abschirmstrme angeregt die im Inneren
des Supraleiters ein Feld aufbauen, das dem usseren Feld exakt
entgegengesetzt ist. Die Summe der Felder im Supraleiter ist dann
gleich null. Man sagt, der Supraleiter ist ein perfekter Diamagnet.
Dieser Sachverhalt lsst sich auf zwei Arten darstellen. Abb. 8.24
zeigt die Magnetisierung der Supraleiter in Funktion des usseren
magnetischen Feldes. Es ist darauf zu achten, dass die Magnetisierung
in negativen Einheiten aufgetragen wird! Diese Abbildung zeigt das
diamagnetische Feld, welches im Inneren aufgebaut wird, um das
ussere Feld zu kompensieren. Wie schon vorher angedeutet,
funktioniert dies nur bis zu einem kritischen Feld BC, dann bricht die
Supraleitung zusammen und das ussere Feld dringt vollstndig ein.
Abb. 8.24
Magnetisierungskurve eines
Supraleiters 1. Art
Abb. 8.25
Magnetfeld im Inneren eines
Supraleiters 1. Art als Funktion
des Aussenfeldes. Bc
Abb. 8.24 Abb. 8.25
Es gilt Bi = Ba + 0 M = 0 im supraleitenden und Bi = Ba im

normalleitenden Zustand.
Die zweite Mglichkeit der Darstellung ist in Abb. 8.25 gezeigt. Hier
wird das resultierende Feld im Inneren des Supraleiters als Funktion
des Aussenfeldes aufgetragen. Solange das externe Feld kleiner als BC
bleibt, ist die Probe supraleitend und das Innenfeld gleich Null. Sobald
die Supraleitung zusammenbricht, dringt das Aussenfeld ein und das
Innenfeld entspricht dem Aussenfeld.
Abb. 8.26
Supraleiter Typ II Solche Supraleiter 1. Art sind technologisch uninteressant, da sie nur
in einer dnnen Oberflchenschicht Stromtransport erlauben.
8.7.2 Supraleiter 2. Art
Die Materialien fr die >0.71 nennt man Supraleiter Typ I.

TC [K] [nm] GL [nm]
Nb 9.3 39 38 1
Nb3Sn 18 80 3 27
YBa2Cu3O7 93 150 1.5 100
Rb3C60 30 247 2.0 124
Bi2Sr2Ca2Cu3O10 110 200 1.4 143
Die HTSL zeichnen sich durch extrem kurze Kohrenzlngen aus. In

den Schichtebenen betragen sie 1 bis 4 nm, senkrecht dazu weniger als
1 nm, damit liegen sie etwa um das hundertfache niedriger als in den
TTSL.
In Supraleitern 2.Art ist es energetisch gnstiger, wenn ein
ansteigendes usseres Magnetfeld nicht vollstndig bis zum Kollaps
verdrngt wird, sondern portionenweise in die supraleitende

Struktur eindringen kann.
Die Magnetisierungskurve eines solchen Supraleiters 2. Art ist in Abb.

8.27 gezeigt. Kleine externe Felder werden wie im Supraleiter 1. Art
vollstndig kompensiert (verdrngt), so dass die Magnetisierung linear
mit dem usseren Feld ansteigt. Ab einer gewissen Grenze BC1 nimmt
die Magnetisierung der supraleitenden Probe eher langsam ab bis sie
bei BC2 vollstndig verschwindet.
Abb. 8.27
Magnetisierungskurve eines
Supraleiters 2. Art
Abb. 8.28
Mittleres Magnetfeld im Inneren
eines Supraleiters 2. Art als
Funktion des Aussenfeldes
Abb. 8.28
Abb. 8.27
Die Grsse des mittleren Innenfeldes ist in Abb. 8.28 gezeigt. Zu

Beginn bleibt es Null, steigt dann ab BC1 stetig an bis bei BC2 das
Aussenfeld vollstndig eingedrungen ist.
Das stufenweise Eindringen des Magnetfeldes in den Supraleiter

geschieht in Form einzelner Flussquanten, die man auch als
Flussschluche, -linien oder -fden bezeichnet. Diese Flussschluche
ordnen sich in einem hexagonalen Gitter an, da fr diese Anordnung
die Enthalpie minimal ist. Die Abstnde ergeben sich dadurch, dass
die fr eine bestimmte Magnetfeldstrke zwischen BC1 und BC2
notwendige Anzahl Flussschluche sich gleichmssig ber die zur
Verfgung stehende Flche verteilen. Es ist gelungen, die Lage der
einzelnen Flussschluche mit Eisenkolloid zu markieren und so
sichtbar zu machen. Mittels STM (Scanning Tunneling Microscopy)
knnen die Flusslinien auch visualisiert werden (Abb. 8.30). Es ist
dies der einzige makroskopisch sichtbare Quanteneffekt.
Abb. 8.29
Abb. 8.29
Flussliniengitter in einem Typ-II-
Supraleiter. Jede magnetische
Flusslinie trgt ein elementares
Flussquantum:
0=h/2e2.0710-15Tm2
Abb. 8.30
STM (Scanning Tunneling
Microscopy) Aufnahme des
Abrikosov-Gitters in NbSe2
Abb. 8.30
Der Durchmesser der Flussschluche entspricht der Kohrenzlnge

GL. Im Inneren sind die Flussschluche nicht supraleitend (nS0
Abb.8.31) und das Magnetfeld (B) kann sie durchdringen. Ein
Supraleitender Strom ( Dichte jS) fliest um jeden Flussschlauch.
Abb. 8.31
Die Struktur der Flussschluche in
einem Supraleiter Typ II
Whrend wir beim Supraleiter 1. Art nur die beiden Zustnde

supraleitend (Meissner-Phase 0 < B < BC,th ) und normalleitend (BC,th
< B) vorgefunden haben, kommt beim Supraleiter 2. Art noch ein
Zwischenzustand, die sogenannte Gemischte Phase (BC1 < B < BC2)
hinzu.
Oberhalb eines Magnetfeldes BC1, bis zu welchem sich auch ein

Supraleiter 2. Art in der Meissner-Phase befindet, beginnt das ussere
Magnetfeld in das Innere des Supraleiters einzudringen und zwar mit
steigendem Aussenfeld. Erst oberhalb eines oberen kritischen Feldes
BC2 geht die Supraleitfhigkeit verloren. Erwhnenswert ist an dieser
Stelle noch, dass sich jeder Supraleiter 1. Art (es sind dies
ausnahmslos reine Elemente) durch Legieren in einen Supraleiter 2.
Art berfhren lsst.
Abb. 8.32
Unterscheidung von Supraleitern
1. und 2. Art im B-T-Diagramm.
1. Art: Hier tritt nur die Meissner
Phase auf
2. Art:Hier tritt bei kleinen
usseren Feldern die Meissner
Phase und bei hheren die
gemischte Phase auf.
Die kritische Stromdichte
Als kritische Stromdichte jC bezeichnet man die Transportstromdichte

fr den ein Supraleiter unter gegebenen Bedingungen (usseres
Magnetfeld und Temperatur) in den normalleitenden Zustand
bergeht. Wir werden im Folgenden fr die beiden Typen von
Supraleitern diese fr die technische Anwendungen sehr wichtige
Kenngrsse etwas genauer behandeln.
8.7.3 Supraleiter 1.Art (Typ I)

(Supraleiter 1. Art treten nur bei reinen Elementen auf.)
Wir betrachten den Supraleiter in der Meissner-Phase, d.h. der
Stromtransport findet nur in der dnnen Oberflchenschicht statt,
deren Dicke der Eindringtiefe entspricht (fr Supraleiter 1. Art: = 30
nm). Magnetfeld und Strom sind auf der Oberflche streng korreliert.
Unter Gleichstromfluss Iges gilt fr das Feld B0 auf der Oberflche
eines Drahtes mit Radius R:
B0 = (0Iges)/(2R) (8.11)
Abb. 8.33
Feldverteilung um einen supra-
leitenden Draht in der Meissner-
Phase ohne Belastungsstrom.
Wegen des Meissner-Effektes wird das ussere Magnetfeld Ba an der

Oberflche des Leiters komprimiert, so dass sich das effektiv
wirksame Feld Beff abhngig von der Geometrie vergrssert (Abb.
8.33). Fr lange, gerade Leiter gilt:
Beff = 2 Ba (8.12)
Das Gesamtfeld an der Oberflche betrgt somit:
Bgesamt = 2 Ba + B0 (8.13)
aus 8.11-13 folgt fr die kritische Stromdichte:

( Bc,th = Bgesamt )
jc = 2/(0R) (Bc,th 2 Ba) (8.14)
Weil der Strom nur in der dnnen Oberflchenschicht fliessen kann,

wchst die kritische Stromstrke nur linear mit dem Radius des
Leiters.
Die Supraleitung beginnt zusammenzubrechen, wenn die Summe aller
Magnetfelder (d.h. von aussen angelegtes Magnetfeld Ba und
Magnetfeld des eigenen Stromes B0) den Wert Bcth an einem Ort im
Supraleiter erreicht. Da das Magnetfeld des Stromes am Rand grsser
ist als im Innern, bricht die Supraleitung zuerst am Rand zusammen.
8.7.4 Supraleiter 2.Art (Typ II)

JC ist fr einen idealen Supraleiter durch BC1 bestimmt (vgl.
Phasendiagramm in Kapitel 8.4). BC1 ist das Magnetfeld, bei welchem
der Supraleiter fr eine gegebene Temperatur von der Meissner- in die
Gemischte Phase bergeht. Oberhalb von BC1 dringt das Magnetfeld in
Form von Flussschluchen in den Supraleiter ein. Die
Wechselwirkung dieser Flussschluche mit dem Transportstrom fhrt
zu einer Lorentzkraft, welche eine Verschiebung der Flussschluche
durch den Supraleiter bewirkt.
fL = j 0 fL Lorentzkraft pro Lnge (8.15)

0 Flussquant in Richtung von Ba
Abb. 8.34
Wirkung der Lorentzkraft auf
Flussschluche in der Shubnikov-
Phase.
Abb. 8.35
Die Defekten im Kristallgitter (z.B.
Verunreinigungen) die nicht
supraleitend sind, knnen die
Flusslinien verankern. Das
verhindert die Flusslinienbewegung,
solange die Stromdichte einen
kritischen Wert jC nicht
berschreitet
Fr die Verschiebung der Flussschluche gengt ein beliebig kleiner

Transportstrom. Diese Verschiebung verbraucht Energie, welche sich
in Form eines ohm'schen Verlustes bemerkbar macht. Die daraus
resultierende Erwrmung kann im Extremfall zur Zerstrung der
Supraleitung im gesamten Querschnitt fhren. In einem idealen
Supraleiter 2.Art gibt es keine Kraft, welche der Lorentzkraft
entgegenwirkt. Man sieht sofort ein, dass fr einen solchen Supraleiter

der kritische Strom oberhalb von BC1 Null ist.
Deshalb werden in der Praxis sogenannte harte Supraleiter
eingesetzt, wo das Wandern der Flussschluche durch Pinningzentren
(Haftzentren) verhindert wird. Besonders wirksame Hindernisse sind
dabei normalleitende Ausscheidungen in der supraleitenden Matrix. Je
grsser diese Pinningzentren sind, desto hher ist die Pinningkraft, die
den Flussschlauch festhlt, mindestens aber sollten sie etwa so breit
sein wie ein Flussschlauch um berhaupt eine Haftwirkung zu
erzielen. Neben der Beschaffenheit der Pinningzentren wirkt sich auch
die Steifigkeit der Flussschluche auf die Pinningkraft aus, je
Abb. 8.36 beweglicher sie sind desto schwieriger sind sie zu pinnen.
Ein Hochtemperatur Supraleiter
zeigt zwei Bereiche der gemischten
(FL-Flusslinien) Phase:
FL-Festkrper im Bereich
Bc1(T)<B<Bm(T) sind die FL fest
verankert.
FL bilden regulres Abrikosov-
Gitter. Der SL kann einen
Transportstrom j<jc verlustfrei
tragen.
FL-Flssigkeit. Die thermischen

Fluktuationen befreien die FL
aus ihren Verankerungen. Der SL
zeigt einem elektrischen
Widerstand.
Wird nun die Stromdicht, das Magnetfeld oder die Temperatur im

Supraleiter erhht (und die Linie Bm(T) Abb. 8.36 berschriten), so
wird die Lorentzkraft, die Pinningkraft bertreffen und die
Flussschluche losreissen. Der kritische Strom im Supraleiter wird
beim Flusslinienschmelzen scharf vermindern.
Abb. 8.37
Leitfhigkeit des supraleitenden
Materials gegenber Temperatur bei
verschiedenem Magnetfield. Bei der
Tm-Temperatur schmilzt das
Flusslieniengitter und die
Wiederstand des Materials nimmt zu.
8.8 Hochtemperatur Supraleiter (HTSL)
8.8.1 La2-xSrxCuO4
Abb. 8.38
Kristallstruktur des La2-xSrxCuO4
Die (LaBa)2CuO4 war die erste supraleitende Kupratverbindung die

von K.A.Mller und G. Bednorz 1986 synthetisiert wurde.
Die TC betrgt 35K. Noch hhere Werte erreicht man wenn Lanthan
mit Strontium (statt mit Barium) substituiert wird. Die kritische
Temperatur ist in dieser Verbindung von der Strontium- bzw.
Bariumkonzentration abhngig. Bei der Dotierung, werden statt
dreiwertigen Lanthankationen zweiwertige Strontium Katione in das
Gitter eingebaut. Die Sauerstoffleerstellen werden wiederum mit den
Sauerstoffatomen aus der Gas Phase besetzt. Die Lcher die dabei
entstehen knnen gehen dann in die CuO2-Schichten ber.
x
2SrO 2SrLa + 2O O + VO
x
VO+ 0.5O2 O O+ 2h
Die Ladungstrger in La2-xSrxCuO4 (auch bei meisten anderen HTSL)

sind deshalb Lcher.Es gibt eine optimale Lcherkonzentration bei der
die hchste TC-Werte erreicht werden (Abb. 8.39)
Abb. 8.39
Phasen-Diagram fr
La2-xSrxCuO4
8.8.2 YBa2Cu3O7-x
Bis jetzt wurden viele Verbindungen hergestellt die noch hhere

Sprungtemperaturen als bei La2-xSrxCuO4 vorweisen. Es ist
charakteristisch, dass alle diese Verbindungen Perovskit hnliche
Strukturen haben und enthalten Kupfer.
YBa2Cu3O7-x (Y123) war die erste Kupratverbindung deren
Sprungtemperatur oberhalb 77K (Flssiger Stickstoff) liegt.
Abb. 8.40
Kristallstruktur des YBa2Cu3O7-x
Abb. 8.41
Kritische Temperatur fr
YBa2Cu3O7-x
Die Synthese von YBa2Cu3O7-x ist relativ einfach. Man benutzte als
Ausgangsmaterialien Y2O3, BaCO3 und CuO. Die Synthese findet bei
~930oC statt:
0.5Y2O3 + 2Ba2CO3 + 3CuO + x/2O2YBa2Cu3O7-x + 2CO2 + H
Die kritische Temperatur fr Y123 ist stark vom Sauerstoffgehalt

abhngig (Abb. 8.41). Der Sauerstoffgehalt fr diese Verbindung ist
von der Temperatur (und Sauerstoffpartialdruck) abhngig.
Die Struktur smtlicher keramischer Supraleiter ist geprgt durch
ihren schichtweisen Aufbau. Die Einheitszelle besteht aus
Kupferoxidschichten, die sich mit isolierenden Schichten abwechseln.
Die CuO-Schichten tragen den Suprastrom, whrend die isolierenden
Schichten den Elektronenhaushalt regulieren. Fr die meisten

Hochtemperatur Supraleiter sind die Ladungstrger in den CuO2-
Ebenen Lcher. Die Elektronen werden von Kationen des
Ladungsreservoirs angezogen, was gleichzeitig eine Lcherdotierung
der CuO2-Ebenen verursacht.
Abb. 8.42
Die Schichtstruktur der
YBa2Cu3O7-x
8.3
Die Schichtstruktur ist auch fr eine hohe Anisotropie der

physikalischen Eigenschaften verantwortlich. Entlang der c-Richtung
ist die Kohrenzlnge sehr klein (4 in Y123). Deshalb knnen die
Cooper-Paare nicht die Ladungsreservoirs durchtunneln (Abb 8.42).
Der Superstrom fliesst nur entlang der CuO2-Schichten. Fr
Einkristalle YBa2Cu3O7 bei 4.2K, ist der kritische Strom entlang der
ab-Ebene 100 Mal grsser als entlang der c-Richtung
(jc(ab)~107A/cm2, jc(c)~105A/cm2).
Abb. 8.43
Anisotropie der Eindringtiefe und
Kohrenzlnge in YBa2Cu3O7-x C ab [] c [] ab [] c []
und Bi2Sr2Ca2Cu3O10. YBa2Cu3O7 93 1500 6000 15 4
Bi2Sr2Ca2Cu3O10 110 2000 10000 13 2
8.8.3 Bi-Sr-Ca-Cu-O
Das dominierende Element in den isolierenden Schichten bestimmt

den Familiennamen der supraleitenden Verbindung (z.B. Bi-, Pb-, Hg-
, Tl- oder Cu-Supraleiter). Einen Sonderfall bilden die YBCO-
Supraleiter, die eigentlich zur Cu-Familie gehren, da ihre
isolierenden Schichten aus CuO-Ketten bestehen, aus historischen
Grnden aber als Yttrium-Supraleiter bezeichnet werden. Innerhalb
der entsprechenden Familien werden die Verbindungen nach der
Anzahl der Isolations- und CuO-Schichten unterschieden
Abb. 8.44
Strukturen der Bi-Sr-Ca-Cu-Oxide
Zusammensetzungen mit ihrer
kritischen Temperatur
CuO-Schicht
Isolierende BiO-Schichten
2201 (TC = 20 K) 2212 (TC = 95 K) 2223 (TC = 110 K)
In Abb. 8.40 sind drei Beispiele aus der Bi-Familie aufgezeichnet, die
alle 2 isolierende Schichten aber eine, zwei oder drei CuO2-Schichten
beeinhalten. Die ausgeprgte Schichtstruktur der keramischen
Supraleiter dominiert auch deren Eigenschaften (z.B. TC).
hnlich wie bei Y123, sind die TC Werte von der
Sauerstoffkonzentration abhngig (Abb. 8.45).
Abb. 8.45
TC Abhngigkeit von der
Sauerstoffkonzentration in
Bi2Sr2Ca1Cu2O10.
8.8.4 Hg-Ba-Ca-Cu-O
Quecksilbercuprate bilden eine ganze Reihe von Verbindungen die

Supraleitende Eigenschaften aufweisen. Die Mitglieder der HgBa2Can-
1CunO2n+2 Familie unterscheiden sich an der Zahl der CuO2-
Schichten. Die Verbindung mit drei CuO2-Schichten (HgBa2Ca2Cu3O8
-1223) hat seit 1993 einen Weltrekord bei der Sprungtemperatur von
133K vorgewiesen.
Abb. 8.46
Kristallstrukturen von
HgBa2Can-1CunO2n+2
Verbindungen
Abb. 8.47
Die Abhngigkeit der
Sprungtemperatur TC in
HgBa2Can-1CunO2n+2 von n -
Zahl derCuO2-Schichten.
Das Einbauen von mehreren CuO2-Schichten fhrt die Struktur zuerst

zu einer Erhhung der Sprungtemperatur, die TC wird aber bei mehr
als drei Schichten wieder herabgesetzen (Abb. 8.47).
8.8.5 HTSL: Wie geht es weiter?
Die HTSL unterscheiden sich wesentlich von klassischen

Supraleitern:
1. HTSL haben die Sprungtemperaturen die um 100K liegen. Aus

der BSC-Theorie knnte man erwarten, dass die maximale TC
30K nicht berschreitet.
2. Sauerstoff-Isotopeneffekt in Cupraten ist sehr klein. Fr
YBa2Cu3O6.96 (optimal dotiert) O=0.02 (TC=M-).
Die BSC-Theorie kann die Eigenschaften von HTSL nicht

vollstndig erklren. Es wird eine neue Erklrung fr das
Phnomen der HTSL gesucht.
Die HTSL wurde nur in Cupratverbindungen gefunden. Sind die hohe

Sprungtemperaturen nur in Cupraten mglich?
Im Januar 2001 wurde eine Entdeckung der Supraleitung in MgB2 mit
der TC=39K verffentlicht. Dies ist die hchste Sprungtemperatur die
fr einen nichtcupratischen (und nicht oxydischen) Supraleiter Abb. 8.48
gemessen wurde. Die Verbindung hat eine interessante Die Struktur von MgB2. Die Bor-
Schichtkristallstruktur (Abb. 8.48). Die Boratomen bilden Schichten Atome (kleine Kugeln) bilden
die eine hnliche Struktur hat wie die Kohlenstoffschichten in Graphit. Graphithnliche Schichten.
8.8.6 Technische Anforderungen
Ein Material muss verschiedene Kriterien erfhlen um eine

Anwendung zu finden. Im Fall der Supraleiter sind das vor allem:
Kritische Temperaturen ber 77K Abb. 8.49

Schematische Darstellung des
Eine hohe kritische Stromdichte Stromflusses im polykrystallinen
Ein hohes kritisches Magnetfeld Material.
Eine einfache Herstellung
Gute mechanische Eigenschaften
Keine (oder kleine) Giftigkeit
Die Kohrenzlnge GL, die in Kapitel 8.5 definiert wurde, hat

verschiedene Bedeutungen. So entspricht sie sowohl der Strecke, die
ein Cooper-Paar durchtunneln kann, als auch der ungefhren Breite
eines Flussschlauches. Die HTSL zeichnen sich durch extrem kurze
Kohrenzlngen aus. Im polykristallinen Material tragen deshalb die
Korngrenzen entscheidend zu einer Verminderung der
Stromtragfhigkeit bei. Andererseits wirken bereits kleinste
Verunreinigungen oder Ausscheidungen als Pinningzentren fr die
Flussschluche, weil diese sehr schmal sind. Trotz grsserer Anzahl
an Pinningzentren ist das Pinning in HTSL jedoch schlechter als in

TTSL, weil die Flussschluche wegen der hohen Anisotropie in sich
viel beweglicher sind und deshalb ein einzelner Flussschlauch sehr
Abb. 8.50 viel mehr Pinningzentren bentigt.
Korngrenzenmodelle fr Der schichtartige Aufbau bringt es mit sich, dass die HTSL in
polykrystalischen HTSL. Plttchen auskristallisieren, mit einer Ausdehnung von etwa 100 m
in ab-Richtung und von wenigen Mikrometern in c-Richtung. In
polykristallinem Material sind diese Plttchen statistisch angeordnet,
so dass sie sich nur an den Kanten berhren und Hohlrume
einschliessen. Die kleine Kohrenzlnge in c-Richtung erschwert es
den Cooper-Paaren, zwischen den CuO-Schichten hin und her zu
tunneln. Somit ist die Stromfhrung an die a-b-Ebenen gebunden. An
den Korngrenzen fhrt dies zu Schwierigkeiten, da die
stromfhrenden Ebenen selten von einem Korn ins nchste
durchgehen. Die elektrischen Verbindungen zwischen den Krnern
sind deshalb immer Tunnelkontakte. Man bezeichnet sie treffend als
"weak links", als schwache Glieder in den supraleitenden
Strompfaden. Jetzt knnen wir auch verstehen, warum es usserst
wichtig ist, dass die Korngrenzen in HTSL mglichst sauber und
schmal sind: Je grsser die Strecke, die Cooper-Paare durchtunneln
mssen, desto unwahrscheinlicher wird dieses Durchtunneln. Wenn
also die Korngrenze dicker als die Kohrenzlnge ist, unterbricht sie
die supraleitenden Strompfade. Dies ist mit der Hauptgrund, warum
fr die meisten supraleitenden Zusammensetzungen die kritischen
Stromstrken sehr gering sind, trotz TC ber 100 K und gengend
vielen Pinningzentren. Ein hohes TC bedingt eben nicht automatisch
auch ein hohes jC.
Fast alle Hochtemperatur Supraleiter sind aus chemischen Stoffen

aufgebaut die aussergewhnlich giftig sind. Die steigende Giftigkeit
knnte man sogar mit der steigender Sprungtemperatur korrelieren
(Abb. 8.51). Fr viele Materialien (z.B. Hg- oder Tl-Verbindungen) ist
die Giftigkeit so gross, dass die Anwendungsmglichkeiten mit
Sicherheit auch in Zukunft eingeschrnkt werden.
Abb. 8.51
LD50- Giftdosis in mg per kg des
Krpers, welche tdlich fr 50%
der Population ist. Ausgerechnet
auf Grund der Daten fr die
Metalloxyden
Werkstoff TC JC (4 K) JC (77 K) BC2 (4 K) BC2 (77 K)

[K] [A/cm2] [A/cm2] [T] [T] Abb. 8.52
NbTi 10 106 - 14 - Die wichtigsten Eigenschaften der
Bi-2212 95 5 105 104 180 0.1 Hochtemperatur-Supraleiter im
Bi-2223 110 3 105 5 104 250 1 Vergleich.
YBCO 92 107 106 150 20 (Angaben gelten fr Filme)
8.8.7 Herstellung
Die Herstellungsverfahren der keramischen Supraleiter werden
unterschieden nach der Geometrie des Endproduktes. Wir
unterscheiden Dnnfilme, Dickfilme, Drhte (Bnder) oder
Massivteile. Hierbei werden die verschiedensten bereits bekannten
Methoden angewendet von denen die wichtigsten in der Folge kurz
skizziert werden.
Fr das Abscheiden von Dnnfilmen (< 1 m) hat sich als technisch

wichtigstes Verfahren das IBAD (ion beam assisted deposition)
erwiesen. Das Endprodukt ist ein mehrschichtiger Composite (Abb.
8.53): Als Ausgangssubstrat wird eine Nickelbasis-Legierung
verwendet, die fr die ntige mechanische Stabilitt sorgt. Darauf wird
nun eine Zirkonoxidschicht (YSZ) abgeschieden, die durch einen
Abb. 8.53
YBCO-Dnnfilm, hergestellt
mittels des IBAD-Prozesess.
zustzlichen zweiten Ionenstrahl biaxial (in 2 Richtungen)

ausgerichtet wird, dieser Schritt ist das eigentliche IBAD mit dem eine
perfekt texturierte YSZ-Schicht erhalten wird. Diese entstandene
strenge Textur des YSZ wird vom Supraleiter bernommen, der
mittels einer herkmmlichen Laserabscheidung aufgetragen wird.
Dickfilme (10-500m) werden bevorzugt im Foliengiessverfahren

hergestellt. Die aus einem ethanolhaltigen Schlicker gegossenen
Supraleiter-Folien werden anschliessend auf einem Substrat (Silber
oder Magnesiumoxid) schmelzprozessiert. Dieser Schmelzprozess
gliedert sich in 4 Teile (Abb. 8.54): (1) In der Ausbrennphase werden
die verbliebenen organischen Bestandteile aus der Folie ausgebrannt.
(2) Beim Aufschmelzen wird der Supraleiter in Fremdphasen,
Sauerstoff und Schmelze zersetzt, wir haben also ein peritektisches
Aufschmelzen. (3) Beim nachfolgenden langsamen Abkhlen wird die
supraleitende Phase wieder auskristallisiert. Dies geschieht mit sehr
Abb. 8.54 langsamen Abkhlgeschwindigkeiten von 5-10C/h um das
Temperatur-Zeit Schema des Zusammenkommen von Fremdphasen, Sauerstoff und Schmelze zu
Schmelzprozessierens mit an-
schliessendem Glhen.
ermglichen. (4) Durch Nachglhen in geeigneter
Sauerstoffatmosphre schliesslich wird die ideale
Sauerstoffstchiometrie im Supraleiter eingestellt um optimale
elektrische Eigenschaften zu erreichen. Dieser Schmelzprozess wird

fr smtliche Dickfilme, Drhte und Massivteile verwendet.
Abb. 8.55
Kritische Stromdichte nehmen fr
Bi-2212 Filme mit der Dicke ab.
Der gesamte Strom der durch ein
Film fliessen kann (per cm der
Breite) nimmt aber zu.
Drhte rsp. Bnder werden mittels des sogenannten Powder-in-tube

(PIT) Verfahrens hergestellt. Wie wir im nchsten Kapitel sehen
werden ist es fr viele Anwendungen Voraussetzung, dass die sprde
supraleitende Keramik auf Spulen gewickelt werden kann. Da dies mit
blosser Keramik niemals mglich ist wird ein gut verformbares
Substrat bentigt. Silber hat sich dafr als einziger Werkstoff tauglich
gezeigt, da es inert gegen die usserst aggressive Schmelze ist. In Abb.
8.56 ist der Prozess skizziert: In einem ersten Schritt wird das
vorkalzinierte Supraleiterpulver in feine Silberrhrchen abgefllt und
zugeschweisst. Mehrere dieser gefllten Rhrchen werden dann
mglichst dicht zu einem Stack zusammengefgt, der nun aus
mehreren Filamenten besteht. Anschliessend wird der gesamte Stack
whrend dem Schmelzprozessieren extrudiert und gewalzt wodurch
ein sogenannter Multifilamentleiter entsteht. Beim Walzen und
Extrudieren werden die Krner des Materials orientiert um die Weak-
links zu vermindern. Am Schluss wird wie bei den Dickfilmen
geglht.
Abb. 8.56
Schema des Powder-in-tube
Prozesses (PIT).
Abb. 8.57
Entwicklung der kritischen
Stromdichte whrend der
neunziger Jahre.
Die kritischen Stromdichten die man in Drahten und Bnder erreicht

werden stndig erhht (Abb. 8.57). Es ist aber weiterhin sehr
schwierig die hohen Werte fr lange (z.B. 1 km) Leiter zu bekommen.
Massivmaterial schliesslich wird vor oder whrend dem

Schmelzprozess mechanisch oder durch Zentrifugalkrfte
zusammengepresst.
8.9 Anwendungen
8.9.1 bersicht
Supraleiter sind in verschiedensten Gebieten der Technik und der
Naturwissenschaften einsetzbar. Sie ermglichen durch den
Nullwiderstand und den Meissner-Effekt neuartige Gerte
(Strombegrenzer, Energiespeicher, Hochfeldmagnete) oder machen
bestehende Gerte effizienter (Transformatoren, Kabel, Motoren).
Durch die hohen Herstellungs-, Material- und Khlkosten, konnten
sich bis jetzt jedoch nur einige wenige Anwendungen fr Supraleiter
kommerziell durchsetzen. Heliumgekhlte Tieftemperatursupraleiter
(intermetallische Verbindungen) werden eingesetzt als Magnete in
Teilchenbeschleunigern, NMR-Tomographen oder SQUIDs zur
Messung kleinster Magnetfelder. Von den vielen mglichen
Anwendungen fr die keramischen Hochtemperatursupraleiter sind bis
heute (1999) einzig die Stromzufhrungen vom Normalleiter zum
Tieftemperatursupraleiter von kommerziellem Nutzen.
Fr die folgenden Anwendungen wurde die technologische

Machbarkeit bereits demonstriert, viele Anwendungen wurden auch
schon als Prototypen eingesetzt, sie sind aber allesamt noch zu teuer
fr eine kommerzielle Nutzung. Abb. 8.58
Medizin & Wissenschaft: SQUID (superconducting quantum
MRI (magnetic resonance imaging, NMR) interference device).
Das Prinzip liegt daran, dass die Atomkerne mit Spin0 (z.B. H in
H2O) magnetische Momente besitzen. Diese knnen in grossen
Magnetfeldern beobachtet werden.
Hochfeldmagnete in Teilchenbeschleunigern
SQUID (superconducting quantum interference device) zur
Messung kleinster Magnetfelder
Supraleitender Ring ( < 1 mm) mit zwei Josephsonkontakten. Bei

niedrigen Temperaturen fliesst im Ring ein supraleitender Strom.
Nach der Quantentheorie drfen sich im Ring nur eine ganzzahlige
Anzahl magnetischer Flussquanten befinden. Im Ausgangszustand ist
das Feld ausserhalb des Rings und das innerhalb des Rings im
Gleichgewicht. Wird das ussere Feld noch grsser, kann ein
Flussquant in das SQUID-Loch eindringen und das Gleichgewicht der
beiden Felder ist wieder hergestellt.
Die Vernderung des Stroms im Ring und damit das Ungleichgewicht
zwischen Aussen- und Innenfeld, kann direkt elektrisch gemessen
werden.
SQUIDs sind noch fr Felder empfindlich, die ein Hundertmillionstel

des Erdfeldes betragen.
Hohlraumresonatoren
Abb. 8.59
Entwiclung der Uhrfrequenz fr
Logische Schaltelemente
Elektronik:
Mikrowellenfilter
Schalt- und Speicherelemente
Mikrochips: SFQL (Single Flux Quantum Logic)Supraleitender Ring

mit einem Flussquantum reprsentiert den logischen Zustand 1, ohne
0. Eine nderung des Zustands gibt ein Spannung Signal (im mV
Bereich, 10-12 s). Dadurch sind sehr hohe Schaltungsfrequenz
mglich.
Industrie:
Magnetische Lager
Ein Rotor (a flywheel) in der Vakuumkammer als Energiespeicher,

gelagert mit einem magnetischen (HTSL) Lager
Magnetische Abschirmungen
MagLev-Zge (magnetic levitation)
Energie:
Motoren & Generatoren
SMES (superconducting magnetic energy storage) zur
kurzfristigen Energiespeicherung
Es speichert elektrische Energie im Magnetfeld, das von einer

supraleitenden Spule produziert wird.
Abb. 8.60
Flywheel
Abb. 8.61
SMES Prinzip
Abb. 8.62
SMES Prototyp
Abb. 8.63
Ein supraleitendes berttragungskabel
Abb. 8.64
Ein Durchschnitt eines
supraleitenden Band. Man
sieht viele Filamente aus
dem supraleitendem
Material im Silbermantel.
Transformatoren
Strombegrenzer
Zweck eines Strombegrenzers ist es, auf zu hohe Strme oder

Spannungen, verursacht z.B. durch ein Kurzschluss, zu reagieren und
die berschssige Energie zu absorbieren. Dadurch werden
Kraftwerke untereinander, Fabriken oder einzelne Transformatoren
und Generatoren geschtzt, vergleichbar mit Haushaltssicherungen im
Grossformat. Nach ihrer Wirkungsweise werden 2 verschiedene Arten
von Strombegrenzern unterschieden. Der resistive Strombegrenzer
reagiert ber die kritische Stromdichte und der induktive
Strombegrenzer ber das kritische Magnetfeld auf einen berstrom.
Der resistive Strombegrenzer ist sehr einfach aufgebaut (Abb. 8.30).
Abb. 8.64
Resistiver Strombegrenzer
Der Supraleiter wird mit dem zu schtzenden Stromkreis in Serie

geschaltet und in flssigem Stickstoff gekhlt. Im Normalbetrieb
entstehen im System wegen dem Nullwiderstand (nur bei
Gleichstrom!) nur Energieverluste durch die Khlung. Erhht sich nun
die Stromdichte durch einen Kurzschluss auf einen Wert oberhalb von
jC, so tritt sofort Normalleitung auf und die berschssige Energie des
Kurzschlusses wird im Strombegrenzer in Wrme umgewandelt.
Dadurch sinkt die Stromdichte und es tritt wieder Supraleitung ein
womit der Normalbetrieb wieder hergestellt wird, ohne dass etwas
ersetzt werden muss. Um mglichst viel Energie aufnehmen zu
knnen ohne dass der Supraleiter beschdigt wird, muss die zu
absorbierende Energie auf einen mglichst langen Leiter verteilt
werden, weshalb der Supraleiter manderfrmig auf ein Substrat
prozessiert wird.
Beim induktiven Strombegrenzer wird der zu schtzende Stromkreis

ber eine Induktionsspule geleitet, deren Selbstinduktion dem sich
ndernden Strom entgegenwirkt (Lenz'sche Regel).
Abb. 8.65
Induktiver Strombegrenzer
Die Selbstinduktion ist nun proportional abhngig von der

Permeabilitt des Materials im Innern der Spule. Sie ist deshalb mit
einem Eisenkern ca. 100000fach hher als mit Luft. Im induktiven
Strombegrenzer wird nun der Eisenkern durch einen Supraleiter, der
wiederum mit flssigem Stickstoff gekhlt wird, abgeschirmt
(Meissner-Effekt). Im Normalbetrieb wird somit die Selbstinduktion
tief gehalten, da das vom Strom induzierte Magnetfeld den Supraleiter
nicht durchdringen und damit das Eisen nicht magnetisieren kann. Im
Schadensfall jedoch erhht sich das induzierte Magnetfeld auf einen
Wert grsser als das BC des Supraleiters, dadurch erfolgt sofort die
Magnetisierung des Eisens und ein resultierender Anstieg der
Selbstinduktion um das 100000fache. Somit wird ein grosser Teil der
berschssigen Energie vom Eisen absorbiert. Durch das sich
ndernde Magnetfeld werden zudem im zerstrten Supraleiter Strme
angeworfen. Durch die derart entstehende induzierte Spannung ber
der Spule wird der berstrom begrenzt. Sobald der Strom absinkt
stellt sich wieder der Ausgangszustand ein.
Literatur
W. Buckel, Supraleitung.
VCH Verlagsgesellschaft, Weinheim, 1990.
Bourdillon and N.X. Tan Bourdillon, High Temperature
Superconductors: Processing and Science.
San Diego, Academic Press, Inc., 1994.
T.P. Sheahen, Introduction to High-temperature
Superconductivity.
Plenum Press, New York and London, 1994

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Ingenieurkeramik III

2.1 Bariumtitanat - der Prototyp ferroelektrischer

2.2 Theorie der Ferroelektrika 37

2.5 Ferroelektrische Keramik 44

3.1 Keramische Dielektrika 50

4.1 Grundlagen und Definitionen 62

5.2 Die Werkstoffe 84

6.2 Werkstoffe 107

A.1 Kristallographische Betrachtungen 118

8.1 Was ist Supraleitung 183

8.2 Supraleitende Werkstoffe 185

Die Einteilung der keramischen Werkstoffe in Funktionskeramiken

Schon die elektrisch isolierenden Substratkeramiken, welche ebenfalls

Material Anregung Antwort Anwendung

Zuerst wenden wir uns den linearen Dielektrika zu.

1.1 Die Dielektrizittszahl

Q Ladung [C] C Kapazitt mit Dielektrikum

r ist eine dimensionslose Werkstoffkenngrsse. Sie gibt an, wieviel

1.2 Dielektrische Verluste

Ein idealer Kondensator ohne Dielektrikum zeigt einen unendlich

Legt man an ein Dielektrikum ein Wechselfeld mit Potential

Fr Ladung Q und den Blindstrom Ic bei der Spannung V gilt:

Q = CV (1.4) Abb. 1.4

Ein Mass fr die dielektrischen Verluste ist der Verlustwinkel .

Dielektrische Verluste spielen nicht nur in elektrischen Bauteilen eine

Um ein besseres Bild der Vorgnge in einem Dielektrikum unter dem

Besteht das Dielektrikum aus polaren Moleklen - also Moleklen mit

atomare und molekulare Distanzen, sondern ber viele Gitterabstnde

Orientierungspolarisation: z.B. H2O, BaTiO3

Ionenpolarisation: z.B. NaCl

Diffusionspolarisation: z.B. ZrO2

Fr lineare Dielektrika ist das erzeugte Dipolmoment p proportional

Die in einem Matereial sich einstellende Polarisation ist in der Regel

1.4 Der Zusammenhang zwischen der Die-

Um ein qualitatives Verstndnis der dielektrischen Eigenschaften zu

Da die elektrische Verschiebung D im Material zum E-Feld durch

kann die Polarisation durch gleichsetzen der Gleichungen (1.7) und

Hieraus definiert sich die Polarisation

Diese Gleichung liefert die gewnschte Beziehung zwischen Dielekt-

Wnschenswert wre eine Beziehung zwischen r und der Polarisier-

Die Polarisation P ist gleich dem totalen Dipolmoment, das im Mate-

Ni Anzahl der Dipole des Types i

Das durchschnittliche Dipolmoment der Ladungstrger ist proportio-

wobei i die Polarisierbarkeit des einzelnen Bausteins bezeichnet.

Damit wird die Gesamtpolarisation zu:

P = E loc Nii (1.14)

Fr Gase mit kleinen molekularen Wechselwirkungen ist das lokale

Dies eingesetzt in Gleichung (1.14) liefert:

Substituion der Polarisation P mit Gleichung (1.10) liefert:

Dieses Resultat ist die klassische Clausius-Mosotti-Gleichung, welche

Nii = Noo + Nee + Nii + Ndd (1.18)

mit Index o, e, i , d und r fr Orientierungspolaristion, Elektronenpola-

Kurze Herleitung des lokalen Feldes Eloc

Gleichung (1.19) wird deshalb zu.

Eloc = E + P/30 + E3 (1.19)

Ist die Umgebung des Atoms im Ursprung kubischer Symmetrie, dann

1.5 Frequenz- und Temperaturabhngigkeit

Alle Polarisationsarten sind mit Umlagerungen auf atomarer Ebene

Fr den Fall der Elektronen- und Ionenpolarisation (Verschie-