共同発表：磁気相転移で制御が可能な垂直磁性の発見～高密度スピンデバイスの省電力制御の可能性～

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共同発表：磁気相転移で制御が可能な垂直磁性の発見～高密度スピンデバイスの省電力制御の可能性～

ポイント磁気相転移物質の鉄ロジウム（ＦｅＲｈ）と強磁性体の界面で発現する強い垂直磁気異方性の発見... ポイント磁気相転移物質の鉄ロジウム（ＦｅＲｈ）と強磁性体の界面で発現する強い垂直磁気異方性の発見磁気相転移による垂直磁気異方性の制御を実証不揮発メモリーを含むスピンデバイスの高密度化に必要な垂直磁化の省電力制御につながる新現象東海国立大学機構名古屋大学大学院理学研究科の大村浩貴博士前期課程学生（研究当時）、小森祥央助教、井村敬一郎講師、谷山智康教授らの研究グループは、名古屋大学超高圧電子顕微鏡施設の荒井重勇特任准教授、依田香保留技術支援員と共同で、ＦｅＲｈと強磁性体の界面において磁気相転移によって制御可能な巨大な垂直磁気異方性が発現することを発見しました。不揮発磁気メモリーを始めとするスピンデバイスの高密度化には、漏れ磁場の少ない面直方向の磁化を実現するための、強い垂直磁気異方性を有する強磁性薄膜が求められています。近年、強磁性体／反強磁性体界面にお

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