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2014年のノーベル物理学賞を受賞した中村修二氏は、2000年から米国に研究の場を移している。渡米して1年... 2014年のノーベル物理学賞を受賞した中村修二氏は、2000年から米国に研究の場を移している。渡米して1年が経過した中村氏に、米国と日本との違い、研究への取り組みに関して語ってもらった(本記事は、日経エレクトロニクス 2001年4月9日号に掲載した記事「苦境に陥ればこそ、新たなアイデアがわく」を再掲したものです。肩書などは当時のままです)。 (聞き手は浅見 直樹=日経エレクトロニクス編集長〔当時〕) 青色LEDと青紫色レーザの発明者。1979年に徳島大学大学院の修士課程を修了し、日亜化学工業に入社する。化合物半導体であるGaP(ガリウムリン)やGaAs(ガリウムヒ素)の製造を手掛けた後、1988年に米国フロリダ大学に研究員として派遣される。帰国後の1989年にMOCVD装置を使ったGaN(窒化ガリウム)系材料の膜作りに挑戦し、1990年にGaN膜の成長に成功する。これが、1993年11月に
2014/10/16 リンク