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技術の転換点は新興メーカーの参入チャンス これまでDRAMの高容量化、容量当たりコストの低減を支えてき... 技術の転換点は新興メーカーの参入チャンス これまでDRAMの高容量化、容量当たりコストの低減を支えてきた微細化の技術は限界に近づいています。ここから先は微細化をさらに推し進めるのではなく、上下に回路を積み上げる3次元化でチップ1個当たりの素子数を増やしていく手法を確立する必要があります。 3次元化はNANDフラッシュメモリーで先に始まった技術トレンドです。最新のNANDフラッシュは約100層の回路膜を積み重ねる立体構造で、容量を高めるのが当たり前になっています。 NANDフラッシュの微細化は一時期20ナノメートルを切るあたりまで進んでいました。しかし現在の微細化レベルは30ナノ前後まで戻っています。縦に積む方を優先しているからです。 DRAMもそろそろこういう局面に入りつつあります。これまでのようにコツコツ寸法を縮めるような世代進行を離れて、縦に積み上げ始める。これは根本的な技術転換になり