応答速度･集積密度はMRAMの100倍､次世代メモリー有望候補｢交替磁性体｣実用化への現在地 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社

応答速度･集積密度はMRAMの100倍､次世代メモリー有望候補｢交替磁性体｣実用化への現在地 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社

第三の磁性体「交替磁性体」が次世代メモリーの有望候補として注目されている。磁気抵抗メモリー（ＭＲ...概要を表示 第三の磁性体「交替磁性体」が次世代メモリーの有望候補として注目されている。磁気抵抗メモリー（ＭＲＡＭ）に比べて応答速度や集積密度が１００倍になると期待される。交替磁性体は日本で理論が提唱され、実際に室温で機能する物質が見つかった。メモリー開発にはＭＲＡＭの知見を生かせる。ＭＲＡＭ自体も日本がけん引してきた分野だ。実用化に向け最短距離を走る準備は整っている。負けられない戦いが始まる。（小寺貴之） 「温泉で湧いている黄色いもそもそが原料になるかもしれませんね」―。東京大学の関真一郎教授は困った顔で笑う。記者会見での１コマだ。硫化鉄が室温で読み書き可能な交替磁性体になることを実証した。鉄も硫黄も埋蔵量が多く資源リスクが小さい。マンガン・テルルなどの物質が探索されてきたが、答えはありふれた元素の組み合わせだった。 交替磁性体は物質全体の磁化はゼロにもかかわらず仮想的な磁場を持つ。硫化鉄の場合は、鉄

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