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新日本無線と山梨大学は2020年8月、コレクタ領域をスーパージャンクション構造としたシリコンバイポーラ... 新日本無線と山梨大学は2020年8月、コレクタ領域をスーパージャンクション構造としたシリコンバイポーラトランジスタ(SJ-BJT)を開発したと発表した。半導体を用いたリレー(ソリッドステートリレー/SSR)の小型化、低損失化が実現できるパワーデバイスだという。 新日本無線と山梨大学は2020年8月、コレクタ領域をスーパージャンクション構造としたシリコンバイポーラトランジスタ(以下、SJ-BJT)を開発したと発表した。半導体を用いたリレー(ソリッドステートリレー/以下、SSR)の小型化、低損失化が実現できるパワーデバイスだという。 半導体リレーなどとも呼ばれるSSRは、一般にMOSFETやサイリスタ、トライアックなどのパワー半導体デバイスが使用されるが、「各デバイスは近年、性能限界に近づきつつあり、新しい概念の低損失パワー半導体デバイスの開発が必要とされていた」(新日本無線)という。 そうし