ルネサスエレクトロニクスは、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の開発を強化する。高耐圧品の技術開発を2026年に終え、製品化を狙う。アナログ半導体やマイコンなど周辺部品も一緒に提供することで、今後成長が期待されるAI（人工知能）サーバーの電源や、電気自動車（EV）といった電動車両の車載充電器での採用拡大を目指す。
ルネサスの小西勝也氏（パワープロダクトグループディスクリート&ワイドバンドギャップ...
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