IBMã¨Samsungã€åž‚直トランジスタè¨è¨ˆã«ã‚ˆã‚‹ãƒ–レイクスルーを発表　「スマホã®å……é›»ã¯é€±1ã«ã€ç±³IBMã¯12月14日（ç¾åœ°æ™‚間）ã€éŸ“国Samsung Electronicsã¨å”力ã—ã€åŠå°Žä½“è¨è¨ˆã®é£›èºçš„進æ©ã‚’実ç¾ã—ãŸã¨ç™ºè¡¨ã—ãŸã€‚「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistorã€ï¼ˆVTFET）ã¨å‘¼ã¶æ–°ãŸãªè¨è¨ˆã‚¢ãƒ—ãƒãƒ¼ãƒã§ã€2021å¹´ã«ã¯å´©ã‚Œã‚‹ã¨è¦‹ã‚‰ã‚Œã¦ã„ãŸãƒ ーアã®æ³•å‰‡ã‚’今後何年ã«ã‚‚ã‚ãŸã£ã¦ç¶æŒã§ãるよã†ã«ãªã‚‹å¯èƒ½æ€§ãŒã‚ã‚‹ã¨ã—ã¦ã„る。 VTFETã¯ã€ã‚¦ã‚§ãƒã®è¡¨é¢ã«ãƒˆãƒ©ãƒ³ã‚¸ã‚¹ã‚¿ã‚’é‡ãã‚‹finFETãªã©ã¨ç•°ãªã‚Šã€ãƒˆãƒ©ãƒ³ã‚¸ã‚¹ã‚¿ã‚’ウェãƒã«åž‚ç›´ã«å±¤çŠ¶ã«é‡ãã€é›»æµã‚’ウェãƒè¡¨é¢ã«åž‚ç›´ã«æµã™è¨è¨ˆã€‚ã“ã®æ§‹é€ ã§ã€ãƒˆãƒ©ãƒ³ã‚¸ã‚¹ã‚¿ã®ã‚²ãƒ¼ãƒˆé•·ã€ã‚¹ãƒšãƒ¼ã‚µãƒ¼ã®åŽšã•ã€æŽ¥ç‚¹ã‚µã‚¤ã‚ºã®ç‰©ç†çš„制約を緩和ã§ãã‚‹ã¨ã—ã¦ã„る。FinFETè¨è¨ˆã¨æ¯”較ã—ã¦ã€ã€Œãƒ‘フォーマンスを2å€å‘上ã•ã›ã€ã‚¨ãƒãƒ«ã‚®ãƒ¼ä½¿ç”¨é‡ã‚’85％削減ã™ã‚‹ã€ã¨ã„ã†ã€‚
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