ã€2ch】ニュー速クオリティ:次世代メモリã¯ã€æ•…障知らãšã®ã‚¼ãƒªãƒ¼çŠ¶1 åç„¡ã—ã•ã‚“ï¼ æ¶™ç›®ã§ã™ã€‚(長崎県)2011/07/21(木) 20:29:40.69 ID:apbMLniw0 ?PLT(12000) ãƒã‚¤ãƒ³ãƒˆç‰¹å…¸ å°†æ¥ã®ã‚³ãƒ³ãƒ”ュータメモリーã¯ã‚¼ãƒªãƒ¼çŠ¶ã«ãªã‚‹ 米ノースカãƒãƒ©ã‚¤ãƒŠå·žç«‹å¤§å¦ã®ç ”究者らã¯ã€ã“ã®ã»ã©ä»Šã¾ã§ã«ãªã„ã‚³ãƒ³ãƒ”ãƒ¥ãƒ¼ã‚¿ãƒ»ãƒ¡ãƒ¢ãƒªç´ åを開発ã—ãŸã€‚ ãã‚Œã¯ã€ã‚¼ãƒªãƒ¼ã®ã‚ˆã†ã«æŸ”らã‹ã湿気ã«å¼·ã„ãã†ã 。 ç¾åœ¨ã®ãƒ¡ãƒ¢ãƒªãƒ¼ã¯è¡æ’ƒã«å¼±ã„ã†ãˆã«ã€æ¹¿æ°—や水分を嫌ã†ã€‚当然ãªãŒã‚‰ã€ãƒ‘ソコンをè½ã¨ã—ãŸã‚Šæ¿¡ã‚‰ã—ãŸã‚Šã™ã‚Œã°ã€å£Šã‚Œã‚‹ã ã‘ã§ãªã〠メモリー内部もæå‚·ã‚’å—ã‘データã¯æ¶ˆå¤±ã—ã¦ã—ã¾ã†ã€‚ã“ã®ãƒ¡ãƒ¢ãƒªç´ åãŒå®Ÿç”¨åŒ–ã—ãŸæšã«ã¯ã€ã“れら主ãªæ•…éšœåŽŸå› ã®å½±éŸ¿ã‚’å—ã‘ã«ãããªã‚‹ã‚ˆã†ã 。 開発を進ã‚ã¦ã„ã‚‹ã®ã¯ãƒžã‚¤ã‚±ãƒ«ãƒ»ãƒ‡ã‚£ãƒƒã‚ーåšå£«ã®ãƒãƒ¼ãƒ ã 。最近発表ã—ãŸã¨ã“ã‚ã«ã‚ˆã‚‹ã¨ã€å½¼ã‚‰ã¯ã¾ã‚‹ã§ã‚¼ãƒªãƒ¼ã®ã‚ˆã†ãªãƒ¡ãƒ¢ãƒªç´ åを開発ã—〠デãƒã‚¤ã‚¹ã¨ã—ã¦åˆ©ç”¨ã§ãã‚‹é“を模索ã—ã¦ã„ã‚‹ã¨ã„ã†ã€‚ åšå£«
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