MRAM実用化へ新技術相次ぐ

MRAM実用化へ新技術相次ぐ

6月16日まで開かれた「2005 Symposium on VLSI Technology」（京都市）で、次世代不揮発性メモリ・MRAM...概要を表示 6月16日まで開かれた「2005 Symposium on VLSI Technology」（京都市）で、次世代不揮発性メモリ・MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁気メモリ）の実用化につながる新技術の発表が相次いだ。MRAMは、フラッシュメモリと同様に電源を切ってもデータを保持できる上、読み書きがSRAM並に高速なのが特徴だ。 富士通研は、MRAM混載メモリの大容量化につながる新しい回路方式を発表した。記憶素子（磁気トンネル接合素子、MTJ素子）のばらつきの影響を受けにくくし、LSIに混載した場合にMRAM部分を大容量化しても、LSIの歩留まり低下を抑えることができるという。 ロジックLSIのキャッシュメモリなどとして、SRAMを混載するケースが多い。ただSRAMはメモリセルの素子数が大きいため、容量を増やすとチップ全体の面積が増えてしま