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低消費電力と性能を両立へ これまで何十年もの間、PCや携帯電話機、デジタル家電のみならず、さまざまな... 低消費電力と性能を両立へ これまで何十年もの間、PCや携帯電話機、デジタル家電のみならず、さまざまな電子機器の半導体チップには、2次元ゲート構造のプレーナー型トランジスタが採用されてきた。ただ、一般的なプレーナー型トランジスタの微細化が進展するのに伴って、さまざまな物理的な限界が見えてきた。Intelが今回発表したTri-Gateトランジスタは、微細化を妨げる物理的な限界を打ち破るものだ。 Tri-Gateトランジスタでは、従来の平面的構造のゲートの替わりに、非常に薄い3次元構造の「Si(シリコン)フィン」が、シリコン基板に対して垂直に立っている。 プレーナー型トランジスタでは1つのゲートだけで電流を制御していたのに対し、Tri-GateトランジスタではSiフィンの3つの面(両側面に2つ、上面に1つ)のゲートによって電流を制御する。ゲートの電流制御能力が向上したことで、トランジスタのオン時
2011/05/16 リンク