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いままでは、メインのSWを単純なSW(onとOffの抵抗値を入れたもの)を使用しました。 今回は、MOSFETに... いままでは、メインのSWを単純なSW(onとOffの抵抗値を入れたもの)を使用しました。 今回は、MOSFETに入れ替えてSIMULATIONをします。 SIMetrixですでに登録のあるMOSFETを使用してSIMULATIONをしました。 ゲートドライブ用にはBSN10/PS 50V 0.175A メインMOSFETには、PchのFDZ375P 20V 3.7A を使用し、 ゲートドライブ抵抗は、Vgsに10V印加されるように抵抗値を設定しました。 下記の回路となります。 この回路でSIMULATIONしますと、下記の結果となりました。 出力電圧が設定電圧(5V)を大きくOVERしています。 この原因は、Q1のドレイン電圧を見ると、きちんとON/OFFをしていません。 メインのMOSFETの動作が遅いようです。 対策は、ゲート抵抗を小さくしてSwitchingを速くする必要があるようで