ä¸æ®ç™ºæ€§è«–ç†å›žè·¯ã§ä¸–界最高ã®å‹•ä½œå‘¨æ³¢æ•°600MHzを実ç¾(2011å¹´12月6æ—¥): プレスリリース | NECç£æ°—ã¨ã‚·ãƒªã‚³ãƒ³ã‚’組ã¿åˆã‚ã›ãŸä¸æ®ç™ºæ€§è«–ç†å›žè·¯ã§ä¸–界最高ã®å‹•ä½œå‘¨æ³¢æ•°600MHzã‚’å®Ÿç¾ ï½žMTJã®ã‚¹ã‚¤ãƒƒãƒãƒ³ã‚°é›»æµã‚’抑ãˆã€è¶…低消費電力システムLSIã®å®Ÿç¾ã«å‰é€²ï½ž 2011å¹´12月6æ—¥ 国立大å¦æ³•äººæ±åŒ—å¤§å¦ æ—¥æœ¬é›»æ°—æ ªå¼ä¼šç¤¾ æ¦‚è¦ å›½ç«‹å¤§å¦æ³•äººæ±åŒ—å¤§å¦ (ç·é•·ï¼šäº•ä¸Šæ˜Žä¹…/以下ã€æ±åŒ—大å¦) çœã‚¨ãƒãƒ«ã‚®ãƒ¼ãƒ»ã‚¹ãƒ”ントãƒãƒ‹ã‚¯ã‚¹é›†ç©åŒ–システムセンターã®é 藤哲郎教授ã¨å¤§é‡Žè‹±ç”·æ•™æŽˆã®ã‚°ãƒ«ãƒ¼ãƒ—ã¯ã€æ—¥æœ¬é›»æ°—æ ªå¼ä¼šç¤¾ (代表å–ç· å½¹ 執行役員社長：é 藤信åš/以下ã€NEC) ã¨ã®å…±åŒç ”究ã«ã‚ˆã‚Šã€é›»åã®æ€§è³ªã§ã‚るマイナス電è·ã‚„微細ãªç£çŸ³ã§ã‚るスピンを利用ã—ãŸã‚¹ãƒ”ントãƒãƒ‹ã‚¯ã‚¹æŠ€è¡“ã¨ã‚·ãƒªã‚³ãƒ³CMOS技術を組ã¿åˆã‚ã›ã¦ã€600MHzã§å‹•ä½œã™ã‚‹ä¸–界最高速ã®ä¸æ®ç™ºæ€§è«–ç†å›žè·¯ã‚’開発ã—ã¾ã—ãŸã€‚ æ±åŒ—大å¦ãŒé–‹ç™ºãƒ»è¨è¨ˆã—ãŸå›žè·¯ã¯ã€åŒæœŸåž‹è«–ç†é›†ç©å›žè·¯(注1)ã®åŸºæœ¬æ§‹æˆå˜ä½ã®ä¸€ã¤ã§ã‚るフリップフãƒãƒƒãƒ—(注2)ã®è¦ç´ 回路(ラッãƒå›žè·¯)ã§ã™ã€‚
楽器ã§â€œã¤ã¶ã‚„ãâ€ã®ãŒæ¥½ã—ã„ï¼ã‚¹ãƒžãƒ¼ãƒˆã‚·ãƒ³ã‚»ã€ŒiKaossilator〠(1/5)
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