中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らのグループは、NANDフラッシュメモリー・ベースのストレージ（SSD）の書き込み速度や消費電力、書き換え可能回数（寿命）を大幅に改善できる技術を開発した。詳細を半導体メモリー技術に関する国際学会「2014 IEEE International Memory Workshop (IMW)」（2014年5月18～21日、台北）で発表した。論文タイトルは「NAND Flash Aware Data Management System for High-Speed SSDs by Garbage Collection Overhead Suppression」である。
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