NIKKEI Tech Foresight

名大など、速度5倍のエッチングプロセス 環境負荷低減

名古屋大学低温プラズマ科学研究センターなどの研究グループは、従来比5倍の半導体エッチング速度を実現する技術のメカニズムを解明した。ウエハーの冷却とフッ化水素プラズマ(HF)を組み合わせた「イオン強化表面自己触媒反応」により、エッチング反応を加速させる。環境負荷低減につながる研究成果としている。
東京エレクトロン子会社の東京エレクトロン宮城が連携し、同社が新たに開発した反応性イオンエッチング(RI...

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