韓国Samsung Electronicsは6月30日、「GAA」（Gate-All-Around）技術を使用した3nmプロセスの半導体生産を開始したと発表。半導体分野でライバルとなる台湾TSMCは、3nmプロセスによる半導体の量産を2022年後半に開始すると発表しており、量産化ではSamsungが先行することになる。 Samsungによると、独自のGAA技術である「Multi-Bridge-Channel FET」（MBCFET）により、電力効率の向上と駆動電流能力の向上による性能アップを実現。第1世代の3nmプロセッサは、同社の5nmプロセッサと比較し消費電力を最大45％削減、性能を23％向上、面積を16％削減。第2世代ではさらに消費電力を最大50％削減、性能を30％向上、面積を35％削減可能だとしている。 関連記事 IntelがPC向けCPU／GPUのロードマップを更新　「Rapto