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エルピーダã®TSV技術ã«æœŸå¾… - 日経エレクトãƒãƒ‹ã‚¯ã‚¹ - Tech-Onï¼
先日，TSV（Si貫通ビア）を使ã£ãŸ3次元ç©å±¤DRAM技術ã«é–¢ã—，エルピーダメモリ å–ç· å½¹ 執行役員 CTOã®å®‰é”隆郎æ°ã®è¬›æ¼”ã‚’èžã機会ãŒã‚ã‚Šã¾ã—ãŸï¼ˆé–¢é€£è¨˜äº‹ï¼‰ã€‚ åŒç¤¾ãŒ3次元ç©å±¤DRAMã®é–‹ç™ºã‚’æœ¬æ ¼åŒ–ã•ã›ãŸã®ã¯2004å¹´ã®ã“ã¨ã€‚NEDOã®åŠ©æˆã‚’å—ã‘，512Mビットã®DRAMコアを8段ç©å±¤ã—ãŸ4GビットDRAMを，当時ã®NECエレクトãƒãƒ‹ã‚¯ã‚¹ãŠã‚ˆã³OKI（沖電気工æ¥ï¼‰ã¨å…±åŒé–‹ç™ºã—ã¾ã—ãŸï¼ˆé–¢é€£è¨˜äº‹ï¼‰ã€‚安é”æ°ã¯ã€Œé–‹ç™ºã¯å¿…æ»ã§é€²ã‚ãŸãŒï¼Œäºˆæƒ³ä»¥ä¸Šã«æ™‚é–“ãŒã‹ã‹ã£ã¦ã—ã¾ã£ãŸã€ã¨å½“時を振り返ã£ã¦ã„ã¾ã™ã€‚ ãã®å¾Œï¼Œã‚¨ãƒ«ãƒ”ーダメモリã¯2009å¹´ã«1GビットDRAMコアを8段é‡ããŸ8GビットDRAMを開発ã—ã¾ã™ï¼ˆé–¢é€£è¨˜äº‹ï¼‰ã€‚ãれを8個使ã£ãŸ8Gãƒã‚¤ãƒˆãƒ»ãƒ¢ã‚¸ãƒ¥ãƒ¼ãƒ«ã‚‚試作ã—ã¾ã—ãŸã€‚TSVã®æ料を当åˆã®å¤šçµæ™¶Siã‹ã‚‰Cuã«å¤‰æ›´ã—ãŸã“ã¨ã§ã‚‚注目を集ã‚ã¾ã—ãŸã€‚「2004å¹´ã‹ã‚‰5年掛ã‹ã£ã¦ãŸã©ã‚Šç€ã„ãŸæˆæžœã ã£ãŸã€ã¨å®‰é”æ°
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