Freescaleã€MRAMã®é‡ç”£é–‹å§‹ ～究極ã®ä¸æ®ç™ºæ€§ãƒ¡ãƒ¢ãƒªã¸ã®æœŸå¾…ã¨ç¾å®Ÿ7月10æ—¥(ç¾åœ°æ™‚é–“) 発表 â—ç†æƒ³ã®ãƒ¡ãƒ¢ãƒªLSIを求ã‚㦠米国ã®å¤§æ‰‹åŠå°Žä½“ベンダーFreescale Semiconductorã¯10æ—¥(ç¾åœ°æ™‚é–“) ã€4Mbit MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)ã®é‡ç”£ã‚’始ã‚ãŸã¨ç™ºè¡¨ã—ãŸã€‚ MRAMã¯åŠå°Žä½“æ¥ç•Œã§ã€ã€Œç©¶æ¥µã®ä¸æ®ç™ºæ€§ãƒ¡ãƒ¢ãƒªã€ã¨æœŸå¾…ã•ã‚Œã¦ããŸã€‚å°†æ¥ã€PCやサーãƒãƒ¼ãªã©ã®ãƒ¡ã‚¤ãƒ³ãƒ¡ãƒ¢ãƒªã«æŽ¡ç”¨ã•ã‚Œã‚Œã°ã€ä½¿ç”¨ç’°å¢ƒã‚’一変ã•ã›ã‚‹å¯èƒ½æ€§ã‚’秘ã‚ã¦ã„ã‚‹ã‹ã‚‰ã 。 MRAMãŒè£½å“化ã•ã‚ŒãŸã“ã®æ©Ÿä¼šã‚’æ‰ãˆã€ç†æƒ³ã®ãƒ¡ãƒ¢ãƒªLSIã«ã¤ã„ã¦è¿°ã¹ã‚‹ã¨ã¨ã‚‚ã«ã€æœ€åˆã®MRAMã¨ãªã£ãŸã“ã®è£½å“ã®ä½ç½®ä»˜ã‘を考ãˆã¦ã¿ãŸã„。 ã¾ãšã€ç†æƒ³ã®ãƒ¡ãƒ¢ãƒªLSIã¨ã¯ä½•ã‹ã«ã¤ã„ã¦è€ƒãˆã‚ˆã†ã€‚ã“ã‚Œã«ã¯ã€ã„ã‚ã„ã‚ãªæ¡ä»¶ãŒã‚る。 ・電æºã‚’切ã£ã¦ã‚‚データãŒåŠæ°¸ä¹…çš„ã«æ¶ˆãˆãªã„ã“ã¨(ä¸æ®ç™ºæ€§) ・データを高速ã«èªã¿å‡ºã›ã‚‹ã“ã¨(高速èªã¿å‡ºã—) ・データを高速ã«æ›¸ãè¾¼
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