エス‐オー‐アイ【SOI】
読み方：えすおーあい
《silicon on insulator》シリコン基板上に薄い絶縁層を介して、シリコンの単結晶薄膜を形成し、この薄膜上に二次元的に広がった形で作製されたシリコンデバイス。従来のものに比して素子間のアイソレーションが取れ、動作が二次元的となるので、設計性がよくなる。
エス‐オー‐アイ【SoI】
SOI
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/09/29 02:56 UTC 版)
SOI (Silicon on Insulator) は、CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。
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- 1 SOIとは
- 2 SOIの概要
ソイ
SOI（Silicon on Insulator）
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/09/26 04:03 UTC 版)
「イオン注入」の記事における「SOI（Silicon on Insulator）」の解説
酸素をシリコン基板中に高エネルギー・高濃度で注入した後、熱処理を行うことにより、シリコン基板の深い所にシリコン酸化物の層を形成する。シリコン酸化物が絶縁体であるため、SOI（Silicon on Insulator）構造となる。
※この「SOI（Silicon on Insulator）」の解説は、「イオン注入」の解説の一部です。
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