収束電子回折(シービーイーディー)
略語:CBED
【英】:convergent-beam electron diffraction
入射電子線を円錐状に絞って直径10nm以下の微小領域に照射し、ディスク状の回折図形を得て、結晶構造の定性/定量解析をする手法。ディスク内には回折条件の変化に対する強度分布(ロッキングカーブ)が得られる。試料の厚さ、格子定数、結晶の対称性(点群、空間群)、格子欠陥の同定ができるだけでなく、構造精密化(原子座標、温度因子、低次の構造因子の決定(ポテンシャル分布))ができる。大角度収束電子回折法(LACBED)を用いると、格子欠陥の同定が容易におこなえ、多層膜の界面領域での歪み(および転位)を高精度で決定できる。エネルギーフィルタを使うと、一層高精度の解析ができる。
【英】:convergent-beam electron diffraction
入射電子線を円錐状に絞って直径10nm以下の微小領域に照射し、ディスク状の回折図形を得て、結晶構造の定性/定量解析をする手法。ディスク内には回折条件の変化に対する強度分布(ロッキングカーブ)が得られる。試料の厚さ、格子定数、結晶の対称性(点群、空間群)、格子欠陥の同定ができるだけでなく、構造精密化(原子座標、温度因子、低次の構造因子の決定(ポテンシャル分布))ができる。大角度収束電子回折法(LACBED)を用いると、格子欠陥の同定が容易におこなえ、多層膜の界面領域での歪み(および転位)を高精度で決定できる。エネルギーフィルタを使うと、一層高精度の解析ができる。
収束電子回折(シービーイーディー)
略語:CBED
【英】:convergent-beam electron diffraction
入射電子線を円錐状に絞って直径10nm以下の微小領域に照射し、ディスク状の回折図形を得て、結晶構造の定性/定量解析をする手法。ディスク内には回折条件の変化に対する強度分布(ロッキングカーブ)が得られる。試料の厚さ、格子定数、結晶の対称性(点群、空間群)、格子欠陥の同定ができるだけでなく、構造精密化(原子座標、温度因子、低次の構造因子の決定(ポテンシャル分布))ができる。大角度法(LACBED)を用いると、格子欠陥の同定が容易におこなえ、多層膜の界面領域での歪み(および転位)を高精度で決定できる。エネルギーフィルタを使うと、一層高精度の解析ができる。
【英】:convergent-beam electron diffraction
入射電子線を円錐状に絞って直径10nm以下の微小領域に照射し、ディスク状の回折図形を得て、結晶構造の定性/定量解析をする手法。ディスク内には回折条件の変化に対する強度分布(ロッキングカーブ)が得られる。試料の厚さ、格子定数、結晶の対称性(点群、空間群)、格子欠陥の同定ができるだけでなく、構造精密化(原子座標、温度因子、低次の構造因子の決定(ポテンシャル分布))ができる。大角度法(LACBED)を用いると、格子欠陥の同定が容易におこなえ、多層膜の界面領域での歪み(および転位)を高精度で決定できる。エネルギーフィルタを使うと、一層高精度の解析ができる。
収束電子回折
- 収束電子回折のページへのリンク