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データセンターAIシステムのスタートアップPositronは、FPGAベースのソリューションで、NVIDIAのGPUに対抗しようとしている。同社の技術と戦略について聞いた。 データセンターAIシステムのスタートアップPositronの創設者であり最高技術責任者（CTO）を務めるThomas Sohmers氏は、米国EE Timesの取材に応じ、「当社は設立からわずか18カ月で、2024年夏から既にFPGAベースの大規模言語モデル（LLM）推論システムを顧客に出荷している。最近では、数百万米ドル規模で受注した当社初となるシステムを、ティア2のCSP顧客に提供したところだ」と述べている。 「2025年は非常に幸先の良いスタートを切ることができた。この顧客をはじめ、他の多くの顧客も、同年前半に大きく規模を拡大していくと期待している」（Sohmers氏） また同氏は、「現在、さらに20社の潜在顧客

2025年1月20日、世界は「DeepSeekショック」に震撼した。中国の新興AI企業DeepSeekが、米OpenAIの「GPT-4」に匹敵する大規模言語モデル（LLM）「DeepSeek-R1（以下、R1）」を公開したからである。この「R1」は、わずか2カ月で、他社の数十分の一の560万米米ドルで開発されたという（参考：『AI業界に激震、突如公開された中華AI「DeepSeek」の驚きのポイント』、ITmedia AI＋、2025年1月28日）。 DeepSeekは、既存のAIモデルが出力するデータを活用し、新たなAIモデルを作り出す「蒸留」と呼ばれる手法を採用したとされている。そして、開発にあたっては、誰でも利用可能なオープンソースのAIモデルが活用されたと説明されている（日経新聞1月30日、注）。 筆者は、このDeepSeekに関する一連の報道を見て、米国の発明家レイ・カーツワイル

名城大学は、ゲルマニウム（Ge）と固体電解質「LiAlGePO」を組み合わせた「複合負極」を開発した。この複合負極を用いたリチウムイオン電池は、1000mAh/g以上と従来の約3倍となる高容量を、300サイクル以上も劣化なく駆動させることに成功した。 LiAlGePOがGeの亀裂を抑制し、負極の劣化も防ぐ 名城大学は2025年2月、プラズマプロセスを用いゲルマニウム（Ge）と固体電解質「LiAlGePO」を組み合わせた「複合負極」を開発したと発表した。この複合負極を用いたリチウムイオン電池は、1000mAh/g以上と従来の約3倍となる高容量を、300サイクル以上も劣化なく駆動させることに成功した。複合負極は全固体リチウムイオン電池にも応用が可能とみている。 小型で軽量のリチウムイオン電池を実現するには、高容量の負極を開発する必要があるという。Geは理論容量が1600mAh/gでカーボン（C

2025年2月号の主な収録コンテンツ EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2025年2月号の主な収録コンテンツは、以下の通り。 【EE Exclusive】※電子版限定先行公開記事※ ・AIでも存在感が急浮上 「RISC-V」の現在地 【Tech Report】 ・CES 2025で主役　半導体各社がエッジAIをデモ　……など3本 【Interview】 ・「パワーは次のフロンティア」onsemiのCEOが語る 【Tech News ＆ Trends】 ・赤字見通しのローム、新社長に東克己氏　「痛みを伴う改革も必要」　……など3本 【Wired, Weird】 ・コンデンサーは新品同様なのに ―― パワー不足のモータドライバー電源の修理（前編） 【電子部品“徹底”活用講座】 ・ステップアップ形DC/DCコンバーターの設計（5）チョークの電流連続性が途切れた場合のコ

「TSMCのIntelファウンドリー事業買収はない」観測筋が語る：メリットがあるのはIntelだけ（1/3 ページ） TSMCが米国ドナルド・トランプ政権からの要請を受け、Intel Foundryの運営権獲得を検討しているというニュースが業界をにぎわせている。米国EE Timesが取材した複数の業界アナリストらによると、TSMCが経営難にあえぐ米国のライバルであるIntelの半導体製造事業を買収することはないという。 業界アナリストによると、TSMCが、経営難にあえぐ米国のライバルであるIntelの半導体製造事業を買収することはないという。 「TSMCはIntelの半導体工場施設に興味がない」 Bloombergが2025年2月、この件に詳しい人物の話を引用して報じたところによると、TSMCは米国のドナルド・トランプ政権からの要請を受け、Intel Foundryの運営権獲得を検討してい

ひっそりと消えたCPU IPのページ 2025年1月のニュースと言えば、月末にIntelの決算発表があり、こちらが予想通りの赤字決算となった（売上総額でも再びSamsung Electronicsに抜かれて2位になった（参考記事）こと、それとDeepSeekの一般利用がスタートし、いきなりNVIDIAの株価を17％ほど下げ、時価総額を90兆円近く吹っ飛ばしたことが大きなニュースであったが、こちらは他にも記事が出ているのでちょっと見送って、今回は別のニュースを。 ことし（2025年）に入って早々、複数のメディアが、Imagination Technologies（以下、Imagination）がRISC-V CPU IP（「Catapult CPU IP」）の提供ビジネスから撤退したことを報じた。実際Internet Archiveで検索してみると、2024年9月19日付のProduct P

米国のチップ製造国内化推進の最大の受益者であるIntelに、何が起こっているのだろうか。TSMCがトランプ政権の要請でIntel Foundryの経営権獲得交渉中であるというBloombergの報道が半導体業界を震撼させているさなか、今度はThe Wall Street Journal（WSJ）が、BroadcomがIntelのCPU事業買収を検討しているという衝撃のニュースを報じた。 かつては半導体技術の覇者として君臨したIntelだが、この10年近くは迷走を続けている。非常に野心的だった元CEO、Pat Gelsinger氏は、ファウンドリー事業参入のために巨額の投資を行ったが、これは結局、同社にとって大きな負債となった。 その一方で、主力のCPU事業ではライバルAMDにシェアを奪われ続け、AIチップの一大ブームは完全にNVIDIAに譲った。Bloombergによると、こうした背景から

3nmチップ「百花繚乱」　際立つ出来栄えの良さ：この10年で起こったこと、次の10年で起こること（89）（1/4 ページ） 3nm世代のプロセスを適用したチップが続々と登場している。2023年発売された「iPhone 15 Pro」に搭載しされたプロセッサ「Apple A17 Pro」を皮切りに、各社のフラッグシップスマートフォンに使われ始めている。今回は、その中からQualcommの「Snapdragon 8 Elite」とMediaTek「Dimensity 9400」を紹介したい。 プロセッサを3nm世代のプロセスで製造する動きが拡大している。2023年9月には、「Apple A17 Pro」プロセッサが、最初のTSMC 3nm適用チップとして「iPhone15 Pro」に搭載され市場デビューを果たした。同年11月にAppleは「MacBook Pro」に3nmで製造した「M3／M3

新センサーの歩留まり「ほぼ正常な水準」に、ソニー半導体：通期売上高予想を上方修正（1/3 ページ） ソニーグループのイメージング＆センシングソリューション（I＆SS）分野の2024年度第3四半期業績は、売上高が前年同期から微減の5009億円、営業利益は同2％減の975億円だった。 ソニーグループ（以下、ソニー）は2025年2月13日、2025年3月期（2024年度）第3四半期（2024年10～12月）の連結業績を発表した。イメージング＆センシングソリューション（I＆SS）分野の売上高は前年同期から微減の5009億円、営業利益は同2％減の975億円だった。なお、調整後OIBDA※）は前年同期から微増の1655億円だった。 モバイル機器向けイメージセンサーの減収が影響したが、これは前年度にモバイル機器向けイメージセンサー新製品の生産歩留まりの影響で、売り上げが第2四半期から第3四半期にシフトし

米国EE Timesが調査したアナリストらによると、Intelは、経営立て直しの道を歩み始めるに当たり、一部新製品の発売を中止し、プロセス技術のロードマップを遅らせるという。同社の回復には数年を要するとみられる。 24年4Qは1億2600万米ドルの赤字に転落 米国EE Timesが調査したアナリストらによると、Intelは、経営立て直しの道を歩み始めるに当たり、一部新製品の発売を中止し、プロセス技術のロードマップを遅らせるという。同社の回復には数年を要するとみられる。 米国の金融サービス会社であるCantor Fitzgeraldのシニアマネージングディレクターを務めるC.J. Muse氏によると、同社の暫定共同CEOに就任したMichelle Holthaus氏とDavid Zinsner氏は、プロセッサではAMD、ファウンドリー事業ではTSMCなど、競合他社との競争について、より現実的

ロームがシリコンウエハー事業から撤退する。同社は子会社のローム・アポロにおいて、LSIなどの自社製品用にシリコンウエハーを内製していたが、2025年3月末で生産を終了する予定だ。 ロームは2024年11月、生産拠点再編や垂直統合型デバイスメーカー（IDM）からの一部脱却、設備投資の圧縮などを含む収益性改善のための施策を進めていくと発表していた。今回のシリコンウエハー事業撤退もその一環だ。 同社は子会社であるローム・アポロにおいて、LSIなどの自社製品用にシリコンウエハーを内製（外販はしていない）していたが、2025年3月末で生産を終了する。同社ではもともとBCP対策として内製および外部メーカー数社のウエハーで生産を実施しているため、撤退後はその外部ウエハーの比率が増加する形だ。なお、生産済みのウエハーを含め、内製ウエハーは当面使用する予定としている。 ロームは現在、土地や装置など資産売却な

フラッシュメモリIP（Intellectual Property）を手掛けるフローディアが、SONOS構造のフラッシュメモリを用いて超低消費電力でAI演算を行うCiM（Computing in Memory）技術を開発中だ。 フローディアは、ルネサス エレクトロニクスでフラッシュメモリの開発を20年以上手掛けていた7人のエンジニアにより、2011年4月に設立された。BCDプロセスを適用したSONOS構造のフラッシュメモリ（SONOSメモリ）技術を、IPとして半導体メーカーやファウンドリーに提供している。 SONOSメモリは、窒化シリコン（SiN）膜に電子をトラップする（チャージトラップ方式）ことでメモリ機能を実現する。フローティングゲート方式を用いた一般的な組み込みフラッシュメモリでは、ゲート酸化膜が高温に弱く電荷が大量に漏れてしまうのに対し、SONOSメモリは電荷が結晶の微細な構造に閉じ

AIが半導体製造も変えようとしている。半導体設計の分野では既にAIがかなり活用されているが、その波が半導体製造にも来ている。米国で開催された「AI Executive Conference」では、IntelとAnalog Devicesが、AIを用いて工場の生産性を向上させた事例を紹介した。 PDF SolutionsのCEOであるJohn Kibarian氏は、米国カリフォルニア州サンフランシスコで2024年12月に開催された「AI Executive Conference」のオープニングセッションに登壇し、「AIは、半導体業界のダイナミクスを変えようとしている。この業界が2025年に6000億米ドル規模に達するまでに60年間かかったが、そのうちの実に26％がAIによるものだと推定される」と述べている。 Kibarian氏は、「われわれは過去60年間にわたってムーアの法則に従い、単位面積

Infineon Technologiesが「世界最小」（同社）というGSMA規格「SGP.22 v3」準拠のeSIMソリューションを開発した。スマートウォッチをはじめとしたウェアラブルやスマートフォン、タブレットなどの民生デバイス向け。サイズは1.8×1.6×0.4mmで「PCBスペース要件をnanoSIMの37分の1、SIMの130分の1に削減できる」（同社）としている。 Infineon Technologies（以下、Infineon）は2025年1月27日（ドイツ時間）、「世界最小」（同社）サイズというGSMA規格「SGP.22 v3」準拠のeSIMソリューション「OPTIGA Connect Consumer OC1230」を発表した。スマートウォッチをはじめとしたウェアラブルやスマートフォン、タブレットなどの民生デバイス向け製品。サイズは1.8×1.6×0.4mm（WLCSP

本記事は「TechFactory」に掲載された会員限定コンテンツをEE Times Japan向けに再編集した転載記事となります。［全文を読む］には、ログインが必要になります。 インパクトが大きすぎたGelsinger氏の退任 結局2024年12月の話題はIntelが全てかっさらっていった感がある。まぁPat Gelsinger氏の解任は、それほどにインパクトがあったということだ。既に「苦境のIntel、一体誰がPat Gelsingerの代わりを務められるのか」とか「『Intelは私の人生そのものだった』Pat Gelsinger氏がCEO退任」など、多数の記事が上がっているからお読みになった読者も多いと思う。 ちなみに今回の辞任で一番批判にさらされたのは取締役会である。解任から4日後の12月5日、Intelの取締役会は元ASMLのプレジデント兼CEOだったEric Meurice氏、そ

2024年の半導体市場はNVIDIAに大きな注目が集まった。人工知能（AI）ブームを巻き起こし、今後の半導体／ハイテク業界がAIによって大きく変化して成長することが予測されるのは「NVIDIAがその火付け役になったから」と言っても過言ではないだろう。NVIDIAが2024年の半導体売上高ランキングで初の首位に躍り出たことは間違いないが、OmdiaやGartnerといった調査会社からはまだ2024年のランキング発表がない。その代わりと言っては何だが、調査会社Semiconductor Intelligence社が2024年7～9月期の半導体売上高ランキングを発表している。こちらを参照しながら2024年の大手10社の実績を振り返ってみたい。なお、この10社の時価総額は、2025年1月13日時点の株価および、為替相場に基づいて算出したものである。 ダントツのNVIDIA　期待先行のBroadco

米発明家レイ・カーツワイル氏の著書『ポスト・ヒューマン』（2007年／NHK出版、図1）を読んだ時、「指数関数的に能力を向上させる人工知能（AI）は、2045年に全人類の知能を超えて、シンギュラリティ（特異点）が到来する」という予測に筆者は大きな衝撃を受けた。軍事用コンピュータ「スカイネット」が人類を敵とみなして核戦争を起こすストーリーの（筆者が大好きな）SF映画『ターミネーター』のような世界がやって来るかもしれないと思ったからだ。 ただし、カーツワイルが前掲書を発表したのは2005年であり、日本語版が出版されたのは2007年であったため（筆者はこれを読んだ）、シンギュラリティがやって来るのははるか遠い未来であり、（『ターミネーター』のような）危機がひたひたと迫ってくる感覚を持つことは無かった。 ところが、2022年11月30日にOpenAIがChatGPTを公開したことによって事態が急変

群雄割拠のチップレット　「理にかなった」戦略をとっているのは？：この10年で起こったこと、次の10年で起こること（88）（1/4 ページ） 2024年、「チップレット」というキーワードがメディアで何度も取り上げられた。ただ、当然だかチップレット化が全てではなく、ベストなソリューションというわけでもない。今回は、2024年に発売された製品／プロセッサを分解し、チップレットが理にかなった方法で適用されているかを考察してみたい。 半導体は、微細化と、より小さな体積に収納することで信号伝搬の遅延時間を最短化できるとともに、信号伝搬に必要な充放電や駆動能力も削減され低消費電力を実現できる。10年以上前からプロセッサとメモリを1つのパッケージに収納するMCP（Multi CHIP Package）やSIP（Silicon In Package）、POP（Package On Package）が民生分野

GPUの登場、チップレットの考案……半導体業界は2006年に動いた：現在に続く技術革新の始まり（1/3 ページ） 「ムーアの法則」の減速、GPUやチップレット技術の成長、クラウドコンピューティングの台頭など、現在の半導体業界の変化を推進する要素は、偶然ながら多くが2006年にそのきっかけを持つ。2006年に開発された技術や同年の出来事を振り返る。 半導体市場は数年前とは大きく様変わりした。クラウドサービスプロバイダーは、カスタムシリコンと、パートナーとの共同設計を求めている。長らく未来の技術として議論されてきたチップレットと3次元（3D）デバイスは、既に市場の成長分野となっている。「ムーアの法則」はどうだろうか。半導体の性能向上はまだ維持されてはいるが、それは単なる微細化とは異なる手段によるものだ。 全くの偶然ではあるが、こうした変化を推進する力の多くは、2006年という同じ年に生まれたも

この記事は、2025年1月9日に発行した「モノづくり総合版 メールマガジン」に掲載されたコラムの転載です。 ※この記事は、「モノづくり総合版 メールマガジン」をお申し込みになると無料で閲覧できます。 新年あけましておめでとうございます。ことしもEE Times Japan／EDN Japan／MONOistをよろしくお願いいたします。 この年末年始は、9連休という企業も多かったかと思います。私は地元である北海道に帰省していました。新千歳空港に着陸した際、すぐそばでRapidusが建設中の工場「IIM-1」が飛行機の中からも見えました。 半導体業界に通じていない人にとっても「大きな半導体工場ができる」というのは大ニュースで、北海道は盛り上がっています。新聞やテレビでも毎日のように経済効果や人口増への期待が取り上げられ、私の友人や親族には「TSMCは知らないがRapidusは知っている」という

名古屋大学の研究グループは、単層カーボンナノチューブ（SWCNT）電極にフッ素系化合物を添加することで、ペロブスカイト太陽電池の耐久性を大幅に改善できることを発見した。 大気中で280日保管した後でも発電効率は8.1％を維持 名古屋大学大学院工学研究科および未来社会創造機構マテリアルイノベーション研究所の松尾豊教授と上岡直樹助教らによる研究グループは2024年12月、単層カーボンナノチューブ（SWCNT）電極にフッ素系化合物を添加することで、ペロブスカイト太陽電池の耐久性を大幅に改善できることを発見したと発表した。 ペロブスカイト太陽電池は、ペロブスカイト結晶構造を持つ「CH3NH3PbI3」などが一般的に用いられている。この材料は高い発電効率を得ることができるものの、低い耐久性が課題であった。耐久性に関しては銀や金などの金属電極材料も問題になっていたという。 そこで研究グループは、金属電

2024年12月1日（米国時間）に突如として前CEO（最高経営責任者）のPat Gelsinger氏が退任したIntel。暫定共同CEOを務めるMJ Holthaus氏は同年12月11日に開催されたカンファレンスで、今後のIntelの事業計画についていくつかの手掛かりを示した。 Intel ProductsのCEO（最高経営責任者）であり暫定共同CEOを兼任するMJ Holthaus氏は、2024年12月11日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「Barclays Annual Global Technology Conference（以下、Barclays Conference）」において登壇し、前CEOのPat Gelsinger氏が同年12月1日に突然退任したことを受け、低迷するIntelの製品事業計画について、いくつかの手掛かりを提示した。 Holthaus氏は、Ge

FPGA分野では現在、一部の主要プレーヤーの構造変革により、市場の状況が不透明になっている。その一方で、新しいFPGAの見通しは、ハイエンド、ミッドレンジ、低コストのいずれも、かつてないほど好調だ。これは確かに複雑なニュースではあるが、FPGAベースのシステム設計者にとっては良い兆しである。 FPGA事業を「切り離す」Intel

長期保管した半導体や、古いデートコード品は使えるのか？（後編）：半導体製品のライフサイクルに関する考察（9）（1/3 ページ） 本稿では、十数年以上にわたり適切な環境で保管されていた半導体製品を「使えるのかどうか」、つまり、基板実装後も仕様通りに動作するのかを検証する。

米Ampere Computing主導で約1年前に設立された「AI Platform Alliance（AIPA）」。半導体メーカーだけでなく、クラウドMPS（マネージドサービスプロバイダー）やシステムサプライヤー／インテグレーターなどが加わり、AIPAの規模が着実に大きくなっている。AIPAの目的は、AI処理で「GPUに代わるソリューション」を提供することだ。 AI Platform Alliance（AIPA）は、これまでは主にAI（人工知能）アクセラレーターを手掛けるプライヤーで構成していたが、新規メンバーとしてクラウドMPS（マネージドサービスプロバイダー）、システムサプライヤーおよびインテグレーター、独立系ソフトウェアベンダー（ISV）を含む21社が加入した。新規メンバーの加入により、同アライアンスの会員数は約3倍になった。 米国のファブレス半導体であるAmpere Comput

複数の大手ファウンドリーと、中国の一部の企業が、シリコンフォトニクスの需要の波に備えているという。シリコンフォトニクスは、最先端の半導体製造プロセスを使わずとも製造できる。そのため、中国では「米国による半導体関連の規制を回避できる技術」として期待する向きもあるという。 米GlobalFoundriesとイスラエルのTower Semiconductor、そして恐らく中国の一部の企業は、AI（人工知能）や、量子コンピューティングなど他のアプリケーションにけん引されるシリコンフォトニクスの需要の波に備えている。 この新興技術は、ティア2ファウンドリーに競争上の優位性をもたらし、米中間の半導体競争を変化させる可能性がある。米国のシンクタンクであるCenter for Strategic and International Studies（CSIS）の報告書によると、中国政府では、シリコンフォトニ

InGaZnOトランジスタの製造プロセスと構造を最適化 キオクシアは2024年12月10日、酸化物半導体（InGaZnO）トランジスタを用いて新たなDRAM技術を開発したと発表した。オフ電流が極めて少なく、従来のDRAMに比べ消費電力を低減できるという。AI（人工知能）やポスト5G（第5世代移動通信）用サーバ、IoT（モノのインターネット）製品などに向ける。 OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM）と呼ぶ新たなDRAM技術は、台湾の南亜科技と共同開発した。OCTRAMは、縦型で円筒形に形成したInGaZnOトランジスタを、DRAMのセルトランジスタとして用いた。これにより、4F2レイアウトが可能となり、6F2レイアウトのDRAMに比べ、大容量化が期待できるという。 さらに、InGaZnOトランジスタの製造プロセスと構造を最適化し