これは非常に難しい質問だと思います。 私自身も本当の理由は知らないのですが、いくつか考察してみたいと思います。 ただし、高校生には正直、難しすぎるかと思うので、理由までは理解する必要はないと思いますよ。 単にフラーレンは導電性小と覚えておけばOKかと。それ以上は問われないでしょう（多分）。 ＜可能性①＞ ・他の方が答えているように、「平面ではない」ため。 電子が１つ余っているのは知っているようですが、その電子は「ｐ軌道」というものに入っています。 フラーレンには1個の炭素に1個のこのようなp軌道があるのですが、電気が流れるためには、そのp軌道同士がなるべく平行に並んでいる（→軌道の重なりが大きい）ことが望ましいんです。 黒鉛の場合には平面分子なので、ｐ軌道同士が平行に並ぶのですが、フラーレンの場合には曲面ですので、その効率が下がります。 よって、導電性が低くなる可能性が考えられます。 ただ

PCR装置はDNAを増幅する装置です。 増幅すると、わずかな量しかDNAが手に入らない場合でも、塩基配列を調べたり、体の機能を調べたり、人工的にタンパク質を合成したりできるようになります。実際にDNAを増幅しているのはDNAポリメラーゼという酵素なので、装置がやっていることは高速で温度の上げ下げを繰り返すことだけです。そのため、サーマルサイクラーとも呼ばれます。 通常のPCRでは、 元の二本鎖DNA→ 95℃前後の高温にして水素結合を切り一本鎖DNAにする→ 55℃前後まで急激に温度を下げて一本鎖DNAにプライマーと呼ばれる短いDNA断片をくっつける→ 72℃前後まで急激に温度を上げてプライマーが外れる前にポリメラーゼによるDNAの複製を開始させる という反応を何十回も繰り返します。昔は95℃・55℃・72℃などの３種類の恒温槽を用意して手作業で試料を移し替えていましたが、面倒なのと、反応

２７分発の電車が２６分に発車したのですが…… ２７分発の電車に乗ろうと２６分にホームに行ったらもうドアが閉まってました。 ２７分発の電車が２６分に発車したのですが…… ２７分発の電車に乗ろうと２６分にホームに行ったらもうドアが閉まってました。 駅の時計も私の携帯の時計も２６分でした。 ちなみに携帯の時計誤差は１秒もないです。確認しました。 で、電車が完全にホームを抜けてから２７分になりました。 ドアが閉まった時点で２６分を３０秒程過ぎたくらいでしょうか。 これって時刻表的に２６分なんじゃないですか？ ２６分後半にドアが閉まる電車は２７分発表示なんですか？ 数十秒くらい細かいと思われるかもしれませんが１、２分遅れる分にはいいんです。 でも早いのって妙に納得いきません…… 今までは２７分になってからドア閉まってたんですよ 同じ電車なのに、時刻表の変更もないし…… それともいつもが遅れ気味だった

似たような経験から、美大に進学するのを諦めて一般会社に就職した者です。 恐らく毎日受験の為の練習、練習、続きで、『一枚の絵を仕上げる』という達成感が得られていないのが、ブツンと切れてしまった原因ではないかと思います。 受験を控えてとのことなので、デッサンにしても何にしても、制限時間を設けて描かされてはいませんか？ 試験なので、時間内にある程度のものに仕上げることは大切です。 けど、手を動かすことばかりに気を取られると、気持ちが置いてけぼりになってしまいます。 最近、「ヨッシ描き上げたゾー！」って、ガッツポーズしたことありますか？ その絵を、ニコニコしながら見詰めたことありますか？ 絵の完成に伴うのは、歓喜だと思うのです。 私は中学の頃、あるアニメにはまって、あんな絵を描くイラストレーターになりたい！と志し、美術専攻のある高校に進学しました。 しかしそこで色々な人の作品に触れ、自信を失ってし

＞陽子と陽子をほぼ光の早さでぶつけると言ってましたが、どうやって加速させてるんですか？？ 発想自体は単純です。陽子や電子は荷電粒子です。小さな磁石だと思えば良いのです。ＬＨＣでは電磁石を円形に並べて、磁力で素粒子をグイグイ引っ張ってやるわけです。Ｎ極Ｓ極を交互に切り替え、常に素粒子を前方に押しやる（引っ張る）力を与えるようになってます。基本はリニアモーターカーと同じです。もっとも現代の粒子加速器は非常にハイテクで「超伝導高周波パルス」なんていうのを使ってます。 このような円形加速器は１９２０年代にアーネスト・ローレンスという人が発明しました。彼が最初に作った加速器は直径１２．５ｃｍのおもちゃのような装置でした。「プロトン（陽子）・メリーゴーランド」と呼ばれてましたが、現在ではサイクロトロンと呼ばれます。荷電粒子の磁場による加速自体はそれより前から知られてましたが、それを円形にして高出力を出

こんばんは． 私も質問者様と同じような経験を幾度も見ております． その原因はこれまで推測しておりましたが， なにせ自然の生物が相手のため， 容易に確認ができませんでした． 実は私の研究室の小さな庭に花壇兼用の畑を作っています． その畑に腐葉土を作る目的で， 山から広葉樹の落ち葉を多量に採集して， 畑の片隅に積んでいます． そこでミミズを使用した『ミミズ堆肥』をおこなっています． 現在ミミズの数を数える事はできませんが， 相当多量の数までに自然繁殖しているようです． その畑からちょくちょくミミズが這い出すと， 畑から飛び出るように隣接したコンクリート製階段でミイラ化していたのです． そこでご質問と同じような疑問が以前から湧いていたのです． ご質問者さまや他の回答者さまが既にお話の様子は， 昔から自然界でもこの現象を私自身も確認しています． ところが我が家の場合，畑と腐葉土が乾燥すると当然多量

半導体素子を英語に訳すとき こんにちは。お世話になります。 半導体素子を英語に訳すと、 semiconductor device となるようですが、 ”素子”にあたる部分が”device”と訳されることに、違和感があるのですが、他の言い方はあるのでしょうか？ 単に、conductor といった場合、どういう意味になるのでしょうか？ 電気・電子関係、英語に関して、素人で、雑な質問で失礼します。 どうかご回答お願いします。

必要なエネルギーを供給してやれば、伝導体の同じKのところに、 フォノンの吸収なしで垂直遷移しますが、それは間接遷移とは呼びません。 直接遷移です。定義を確認しましょう。 直接遷移：フォトンを吸収して伝導帯まで励起。 間接遷移：フォトンを吸収、さらにフォノンを吸収または生成して伝導帯に励起。 ついでに、こっちも確認した方が良いかもしれません。 直接ギャップ型半導体： 伝導帯の底の真下に、価電子帯のテッペンがある。 遷移に必要なギリギリのエネルギーを与えると、直接遷移が起こる。 間接ギャップ型半導体：伝導帯の底と価電子帯のテッペンがΔKだけずれてる。 遷移に必要なギリギリのエネルギーを与えると、間接遷移が起こる。 おそらく質問者さまもそうだと邪推するのですが、間接ギャップ型半導体の 説明図を見て「この種類の半導体では、必ず間接遷移が起きるのかな」 という誤解をしてしまう人は多いらしく、手持ちの

アナログとディジタルサンプリングの違いも学ばせたかったんではないでしょうか？ オシロスコープがアナログ式であれば、過渡現象が完全な絵となって見れると思います。 ＰＣ＋ＤＭＭでの測定なら、サンプリングを行いますので、過渡現象が飛び飛びの点でみれます。その点を繋げば絵となるのですが、点から点までの間は実際に計測していないわけなので、あくまで予想ですよね。 その他にも過渡現象の速度も関係してきます。 ＰＣ＋ＤＭＭのサンプリング速度が過渡現象より十分速ければ問題ありませんが、過渡現象に追従できないくらい遅い場合は、オシロスコープと波形が異なるはずです。 最近のオシロスコープはディジタル化されていますので、測定対象によっては、ＰＣ＋ＤＭＭと同じような問題も発生します。

今，現在，過渡現象について勉強しております． そのなかで，疑問が生まれたので質問させてください． たまに，過渡項が無い条件を求めよという問題が出てきますが このときの回路の状態はどのようなことが起きているのでしょうか？？ 過渡解がない状態とはどのような状態なのでしょうか？？？？

1.疑似科学は効果の不明な商品の宣伝や権威付け、輿論の誘導に動機をおくものが多く、健康を害したり、人生を過ったり、誤った世論を形成しないように警告の意味で疑似科学を批判する立場が多い。つまり区別する目的は社会的な利益のためである。 （害が無いと思われる「非科学」は放置されるが、何らかの危険性が予測された場合は検証や証明をされる） 2.科学は真理や原理を探求研究するので研究と違った結論に対して疑似科学か科学かを問わず批判や検証を行う。つまり目的は科学の目的から。 3.科学的な興味や好奇心を満たすため。それ自体が研究。（２と関連） 4.科学者が自己顕示欲を満たす、威張りたい＝権威主義的欲求を満たす目的 5.データーにアクセスしにくい立場の人間の直感的な反対意見に対して、研究機関や学者を持つ側が批判をかわす目的。 *4.5はネガティブな側面をあえて 何が本格的考え方かは私の一存では決められません

こんにちは。 私はガラス材料の研究をしております。ご質問の内容は非常に奥が深い部分ですので、私も完全に理解できていないと思いますし、うまく答えられるかどうか分かりませんが、お役に立てれば幸いです。 「ガラスは液体である」と言う場合は、前に何人かの方がお答えされているように、「構造論」的なお話です。つまり、結晶は液体状態から冷却されると、融点で規則的な構造に変化しますが、ガラスはいわゆる融点での粘性が高いため、規則的な構造へと変化できず、液体のような不規則な構造のまま冷却されます。このため、室温の「硬くなった」状態でも構造的には液体と同じランダムさを持つ（非晶質、アモルファス）、ということになります。 一方、質問者の方が言われている「硬い」という状態は、ガラスの「粘弾性（力が加わると徐々に変形し、力が抜けると徐々に元の形に戻る性質）」という問題になるかと思います。 ガラスの大きな特徴は、温度

https://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q1113403616 全く逆です。 「とっとり」は訓読みです。 この場合「取鳥」はあり得ません。 音読みの漢語なら「殺人(さつじん)」と同様に「取鳥(しゅちょう)」となるべきですが、 訓読みの和語は“人を殺す”→「人殺し」と同じで、“鳥を取る”→「鳥取り」となるのこそ正しいのです。 「塵取り」、「尻取り」、「鼠取り」、「草取り」… 「鳥取り」の送り仮名「り」が省かれたのは官職の名前に由来し、また地名だからです。 「犬飼(いぬかい)」を「犬飼い」とは書かないようなものです。 「鷹取」が「たかとり」であるように、「鳥取」は「とりとり」なのです。 その「とりとり」が「とっとり」に変化したに過ぎません。 要するに、何をもって“取鳥のほうが自然”と言われるのか、私にはそれが理解できませ

おっしゃる通り、確かにその疑問はわかります。 先に回答された方が、ダニエル電池のことについて説明されていますので、私はその少し手前を説明します。 「硫酸の中に亜鉛を入れると、亜鉛がイオンになり、水素イオンが還元されてH2になるのはわかる」とのことですが、 では、「硫酸銅(Ⅱ)水溶液の中に、亜鉛を入れるとどうなるでしょうか？」 電池の前の単元で習うのですが、「イオン化傾向Zn＞Cuのため、Znがイオン化し、銅が還元されて金属として析出する」ですよね。 Zn → Zn2+ ＋ 2e- ････① Cu+ ＋ 2e- → Cu ・・・・② この反応を、Ｚｎがイオン化する場所とCu2+が還元される場所を、それぞれZnSO4水溶液中とCuSO4水溶液中というように別々にしたのです。いくらZnがZn2+になるといっても、溶けだしていく場所がなければ無理なので、一応、ZnSO4水溶液に浸けています。です

現実的に、コイルLには残留抵抗RLがあります。また、コンデンサCには漏れコンダクタンスGCがあります。残留抵抗や漏れコンダクタンスがなぜ発生するのでしょうか？またこれらを抑えるにはどのようにしたらよいのでしょうか？どなたか教えてください。お願いします。 いろいろ調べ、また自分自身の考えでは、残留抵抗RLが発生するのはコイルが導線で作られており、その導線の抵抗が残留抵抗となっている。そしてそれを抑えるには、コイルの長さを短くすることにより対処できる。自分は以上のように考えました。この考えの成否もあわせて教えていただければ幸いです。

高周波まで特性が一定の抵抗です。 高周波に対する影響としては １）抵抗体が巻いてあることによるインダクタンス。 ２）リード線のインダクタンス。 ３）抵抗体と他の導体間の浮遊容量。 ４）表皮効果。 があります。 これらの原因による特性劣化を考慮した物を一般に高周波抵抗と呼びます。 また、これらの影響が出てくる周波数は一般に短波帯以上です。数十MHｚ以上になれば何らかの影響が出はじめます。中波帯ではあまり考慮しなくても大丈夫です。

＞メッキ鋼板、ステンレス（鉄にクロム、ニッケルを混ぜた？もの）、チタン合金等は..... 組成が限定されていないと正確なことはいえませんが、大まかには以下のようではにでしょうか？ メッキ鋼板：鋼板部分が(鉄)と(鉄と炭素の固溶体）と(鉄と炭素の化合物：セメンタイトFe3C)の混合物とメッキ部(単体金属/固溶体/金属間化合物？) ステンレス：基本的には多分固溶体です。(一般的には不純物等による金属間化合物、酸化物、炭化物等も含んでいます。) チタン合金：組成により、異なります。Ti-Al-V系では固溶体かな？ただ、Ti-Alの間では、Ti3Al等の金属間化合物も存在するので、よくわかりません。 P.S. 金属間化合物にも、化学量論組成からズレたものも存在します。 金属間化合物を作っているか／固溶体かは　相図(phase Diagram)を見れば判ります。(但し、相図は十分な時間経過の後の安定

実用的には、N+ P+ n- p- の４つを覚えておけばよいと思います。 （なぜか、＋／－と大文字／小文字が連動していますが、習慣がそんなもんだと思ってください。） N+ は、Ｎ型不純物濃度の高いＮ型 →Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン P+ は、Ｐ型不純物濃度の高いＰ型 →Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン n- は、Ｎ型不純物濃度の薄いＮ型 →Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのＮウェル p- は、Ｐ型不純物濃度の薄いＰ型 →Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのＰウェル 濃度の値は、おおむね、 N+,P+ が、面積１cm^2当たり1E15程度の原子個数以上の不純物（ヒ素／ホウ素）を0.1μｍ～１μｍ程度の薄さの中に押し込めたもの、 n-,p- が、面積１cm^2当たり1E14程度の原子個数以下の不純物（リンかヒ素／ホウ素）を１μｍ程度以上の厚さに拡散させたもの です。 濃度が高い・薄いには、物理的な意味もあるのですが、

使われることがあるどころか、少し前まではSi LSIの電極や配線にはアルミを使うのが当たり前でした。 金などの重い金属はSiに対して深い準位を作るので抵抗率が上がりますが、アルミは浅い準位しか作らず、導電率が高く、金などよりも安価だからです。 もちろん、Si内に拡散すればp型となります。 だからプロセス上は、余計な部分にAlが拡散しないよう、ことのほか気を使います。 (基板ばかりでなく装置内にもアルミのイオンや微粒子を付着させない、配線の下は絶縁膜を厚くして、アルミ蒸着後は高温処理をしない、など。) 尚、AlとSiを接触させただけでは、仕事関数の差によりショットキー接合となりますが、逆にオーミック接合としたいときは、熱処理によりAlを拡散させ合金化して、ショットキー障壁を崩します。 p型層に対しては、よりp型ドーパント濃度が高くなるので好都合です。 n型層に対しては、Siの場合どうするか知