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SiC半導体を使う高出力デバイスの発表が,ICSCRM 2007に相次いでいる。そのうち,デバイスで構成したシ... SiC半導体を使う高出力デバイスの発表が,ICSCRM 2007に相次いでいる。そのうち,デバイスで構成したシステムの出力で群を抜くのが,関西電力が開発したインバータである(講演番号:We-3B-6)。ダイオードとトランジスタをSiC半導体で構成したインバータとして業界最高出力となる204kWを達成した。同社はSiC半導体によるインバータを配電システムに導入することを検討しており,2010年ごろまでにフィールド試験を始める意向である。
2007/10/24 リンク