「塩素プラズマ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

このエッチングにおいて、マスク厚の厚いＳｉＮ_xマスク１４１１からの塩素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄いＳｉＯ_2マスク１４１０からの塩素プラズマの寄与は小さい。例文帳に追加

In the etching, contribution of chlorine plasma from a SiN_x mask 1411 large in mask thickness is large, and contribution of chlorine plasma from a SiO_2 mask 1410 small in mask thickness is small. - 特許庁

したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。例文帳に追加

Accordingly, a large quantity of the chlorine plasma without reacting on the mask diffuses into an opening at the center part of a diffraction grating large in mask width, whereby the concentration of the chlorine plasma in the opening is increased and etching speed is increased. - 特許庁

半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置部材に用いられるイットリアセラミックス系溶射膜であって、塩素系プラズマに対する耐食性の向上が図られ、ハロゲン、特に、塩素系プラズマプロセスにおいて、該セラミックスの構成原料に起因する不純物金属汚染を抑制することができる耐プラズマ性セラミックス溶射膜を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma resistant ceramics sprayed coating which is a yttria ceramics based sprayed coating used for a plasma treatment device member for fabricating a semiconductor, a liquid crystal or the like, wherein corrosion resistance to chlorine based plasma is improved, and impurity metal contamination caused by the component raw material of the ceramics is suppressed particularly in a chlorine based plasma process. - 特許庁

ウエハＷを収容する反応室１５内へ四フッ化炭素ガスを供給してプラズマを生じさせ、該プラズマがウエハＷ表面のポリシリコン層にプラズマエッチングを施した後、反応室１５内に塩素ガスを供給し、次いで反応室１５内にアンモニアガスを供給する。例文帳に追加

A carbon tetrafluoride gas is supplied into a reaction chamber 15 containing the wafer W to generate plasma, and after a polysilicon layer on a surface of the wafer W is subjected to plasma etching using the plasma, a chlorine gas and then an ammonia gas are supplied into the reaction chamber 15. - 特許庁

ハロゲン系腐食性ガス、特に塩素プラズマガスなどのハロゲン系プラズマガスに対して高い耐腐食性を示す、新たな耐食性部材の製造方法及び耐食性部材を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a new corrosion resistant member exhibiting high corrosion resistance to halogen base corrosive gas, particularly to halogen base plasma gas such as chlorine plasma gas and to provide a corrosion resistant member. - 特許庁

本発明は、塩素をベースとするプラズマの使用のために化学的に非常に反応的な少なくとも一つの物質のスタックをドライエッチングするためのプラズマ組成、及びその使用方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma composition for dry-etching a stack of at least very chemically reactive materials for use of plasma using chlorine as a base, and a using method thereof. - 特許庁

high-k/メタルゲート構造のドライエッチング後にフッ素を含まずCl_2やBCl_3などの塩素を含むガスのプラズマクリーニングを行い、引き続いてSF_6,CF_4,NF_3などのフッ素を含むガスのプラズマクリーニングを行う。例文帳に追加

After dry etching of a high-k/metal gate structure, plasma cleaning of gas containing chlorine such as Cl_2 and BCl_3 and no fluorine is performed, followed by plasma cleaning of gas containing fluorine such as SF_6, CF_4 and NF_3. - 特許庁

まず、ｎ−ＧａＮ基板１０上にｎ^- −ＧａＮ層１１、ｐ−ＧａＮ層１２を積層し、ｐ−ＧａＮ層１２表面をＮｉを堆積した基板とともに塩素系プラズマに曝し、プラズマ損傷層１３を形成する（図１ａ）。例文帳に追加

First, an n^--GaN layer 11 and a p-GaN layer 12 are stacked on an n-GaN substrate 10, and a surface of the p-GaN layer 12 is exposed to chlorine-based plasma along with a substrate with Ni deposited thereon to form a plasma-damaged layer 13 (fig. 1a). - 特許庁

真空チャンバ１内のプラズマ形成領域内にタングステン部材７を備え、チタン等の金属膜１０が形成されたウエハ５を塩素ガスを用いてプラズマエッチングする。例文帳に追加

In the method of manufacturing semiconductor device, a tungsten member 7 is provided in a plasma forming area provided in a vacuum chamber 1, and plasma etching is performed on a wafer 5 on which a metallic film 10 composed of titanium etc., is formed by using a chlorine gas. - 特許庁

次の第２の工程においては、フッ素原子（Ｆ）を含むガスと塩素原子（Ｃｌ）を含むガスをプラズマにより励起して供給する。例文帳に追加

In a second process, a gas containing fluorine atoms (F) and a gas containing chlorine atoms (Cl) are excited by plasma and supplied. - 特許庁

また、酸化珪素膜を形成する前に、酸素と塩化水素や塩素を有する炭化水素とのプラズマによってシリコン領域を処理する。例文帳に追加

Before forming the silicon oxide film, the silicon regions are treated with a plasma of oxygen with hydrogen chloride or a chlorine-containing hydrocarbon. - 特許庁

この付着物１３はシリコン層１よりもエッチングされにくい物質であり、更に塩素イオンは異方性エッチングを行うプラズマである。例文帳に追加

The deposit 13 is a material less susceptible to be etched than the silicon layer 1, and the chlorine ions are plasma performing anisotropic etching. - 特許庁

この表面領域１２は、相対的に塩素プラズマに強いＳｉとＯとを含む（例えば、ＳｉＯ_2の形で含む）。例文帳に追加

This front surface region 12 includes (for example, including in the form of an SiO_2) about Si and O strong against the chlorine plasma relatively. - 特許庁

第１プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素と二フッ化メタンの混合ガスを用いてジャストエッチングを行なう。例文帳に追加

In a first plasma etching process, just etching is carried out by a mixed gas of sulfur hexafluoride, chlorine, and methane bifluoride. - 特許庁

フッ素系と塩素系の両方のプラズマ照射に対して耐食性（耐エッチング性）の優れたアルミナ焼結体の提供。例文帳に追加

To obtain an alumina sintered compact having excellent corrosion resistance (etching resistance) to both plasma irradiations with a fluorine base and a chlorine base. - 特許庁

第１チャンバ１内に、塩素系ガスを導入してプラズマを生成し、アルミナ又はアルチックを用いてなる絶縁層をエッチングする。例文帳に追加

Chlorine-based gas is introduced into a 1st chamber 1 to generate plasma, and an insulating layer formed by using alumina or AL2O3.TiC is etched. - 特許庁

非平衡プラズマによる難分解性廃液の分解処理に係り、有機塩素化合物の分解に好適な無害化処理装置を提供する例文帳に追加

To provide a detoxifying treatment apparatus which is suitable for decomposition of organic chlorine compound, for decomposing treatment of hardly decomposable waste liquid by non-equilibrium plasma. - 特許庁

エッチング時に被エッチング基板の表面に付着した残留塩素を確実に除去できるプラズマエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching apparatus which can surely remove remaining chlorine adhered to the front surface of a substrate to be etched during an etching process. - 特許庁

この条件範囲であれば、塩素ガスを主としたプラズマエッチングを行ってもフェンスの発生が抑えられる。例文帳に追加

In this condition range, the generation of the fence is controlled even when plasma etching is performed mainly using the chlorine gas. - 特許庁

この状態で、エッチング室１の内部に塩素ガスを流入させながら、高周波電源２によりプラズマを発生させてエッチングを行う。例文帳に追加

In this state, a chlorine gas is allowed to flow into the etching chamber, and at the same time a plasma is generated by a high-frequency power supply 2 for etching. - 特許庁

塩素ガスのプラズマを用いたシリコンのエッチング方法において、エッチングチャンバー内の部品表面からのアウトガスとして放出されるガスと同成分のガスを前記塩素ガスに添加し、前記プラズマ中のアウトガス比率を低減させることを特徴とするシリコンのエッチング方法。例文帳に追加

In an etching method for silicon using the plasma of chlorine gas, the out gas ratio within the plasma is reduced by adding gas having the same components as the gas being discharged as the out gas from the surface of the part within an etching chamber to the chlorine gas. - 特許庁

塩素ガスとハロゲンガスとから成ると共にこの塩素ガスを標準状態で０．０５〜１０．０％の体積の割合で含む混合ガスにより、プラズマを生成する。例文帳に追加

Plasma is generated by a gas mixture consisting of chlorine gas and halogen gas and containing the chlorine gas by 0.05-10.0 vol.% in a normal state. - 特許庁

プラズマエッチングを行うエッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング速度を２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度でエッチングが行われるよう塩素ガスを供給する。例文帳に追加

A chlorine gas is used as an etching gas for plasma etching and supplied so that the etching is carried out at an etching rate of ≤250 nm/minute. - 特許庁

塩素系エッチングガス，高密度プラズマを用いるエッチングプロセスの後に半導体基板上に残留する残留塩素による設備の腐食、それに起因するパーティクル付着をなくす。例文帳に追加

To eliminate the corrosion of a facility due to chlorine remaining on a semiconductor substrate after an etching process employing chlorine based etching gas and high density plasma, and to eliminate the resulting adhesion of particles. - 特許庁

半導体基板のエッチング処理後に、塩素の単独ガスあるいは塩素と酸素の混合ガスのプラズマに半導体基板を晒し、半導体基板表面に付着したＦｅ，Ｃｒ汚染を除去する。例文帳に追加

After the semiconductor substrate is etched, Fe and Cr contaminants adhering to the surface of the substrate are removed by exposing the substrate to a plasma of chlorine gas or a mixed gas of chlorine and oxygen. - 特許庁

複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して成膜を行うプラズマＣＶＤ装置においてシリコン原子と塩素原子からなる化合物のガスと窒素ガスを含む処理ガスを用い、処理容器内の圧力を０．１Ｐａ以上８Ｐａ以下の範囲内に設定してプラズマＣＶＤを行うことにより、多くのトラップを含む窒化珪素膜を成膜する。例文帳に追加

A plasma CVD device which forms a film by generating plasma by introducing a microwave into a processing container by a plane antenna having a plurality of holes forms the silicon nitride film which includes plenty of traps by performing plasma CVD, wherein the pressure in the processing container is set to 0.1 to 8 Pa, using a processing gas containing: a gas of a compound composed of silicon atoms and chlorine atoms; and a nitrogen gas. - 特許庁

分子中にフッ素原子を含むＳＦ_6ガスと、分子中に塩素原子を含むＨＣｌガスとの混合ガスを用いて半導体基板３の表面を、半導体基板３が接地されたプラズマエッチング装置１でプラズマエッチングしている。例文帳に追加

In this surface treatment, surface of a semiconductor substrate 3 is plasma etched with a plasma etching equipment in which the semiconductor substrate 3 is grounded, wherein a gas mixture comprising SF6 gas containing fluorine atoms in the molecule and HCl gas containing a chlorine atom in the molecule is used. - 特許庁

基板１上にチタン、ストロンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜５を形成する工程、この誘電体膜５を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝す工程、誘電体膜５のプラズマ暴露面を酸化性ガスで処理する工程、を備える。例文帳に追加

This manufacturing method includes a process of forming a dielectric film 5 including any of titanium, strontium, and barium as a constituent element on a substrate 1, a process of exposing the dielectric film 5 to the plasma of gas for etching including coloring, and a process of processing the plasma-exposed surface of the dielectric film 5 with oxidizing gas. - 特許庁

本発明は、アルミニウムとネオジムの合金を塩素６２とヨウ化水素（ＨＩ）６４のガス混合物から形成されるプラズマに暴露することによって、合金をエッチングする方法を含む。例文帳に追加

The method of etching an aluminum-neodymium alloy is comprised of exposing the alloy to plasma comprising a mixed gas of chlorine 62 and hydrogen iodide (H I) 64. - 特許庁

次に、塩素ガスを用いたプラズマエッチングを行ってボンドウェハ１を除去し、シリコンゲルマニウム単結晶層３をストッパとして機能させる。例文帳に追加

Next, plasma etching is conducted using a chlorine gas to remove the bond wafer 1, and the silicon germanium crystalline layer 3 becomes working as a stopper. - 特許庁

次に、塩素ガス及び酸素ガスを含む混合ガスによるプラズマに、残存物５が存在している微結晶シリコン膜２を晒し、微結晶シリコン膜２の表面の残存物５を選択的にエッチングし除去する。例文帳に追加

Next, the microcrystal silicon film 2 wherein remaining objects 5 exist is exposed in a plasma using a mixing gas containing chlorine gas and oxygen gas, and the remaining objects 5 on the surface of the microcrystal silicon film 2 are selectively etched for removal. - 特許庁

本発明のエッチング方法では、反応ガスである塩素ガスと、酸素ガスと、飽和炭化水素ガスとを真空雰囲気に導入しながら、プラズマを発生させてクロム薄膜２２をエッチングする。例文帳に追加

Plasma is generated so as to etch the chrome thin film 22 as chlorine gas as reactive gas, oxygen gas, and saturated hydrocarbon gas are introduced into a vacuum atmosphere. - 特許庁

レジスト膜１４をマスクとしてその開口部１４ａに露出しているＡｌ膜１３に対して塩素プラズマ処理を施してＡｌ膜１３をエッチングする。例文帳に追加

A chlorine plasma treatment is performed to the Al film 13 exposed to the opening 14a by using the resist film 14 as a mask, and the Al film 13 is etched. - 特許庁

塩素、酸素及びフッ素を含むエッチングガスを用い且つレジスト層１６ａ〜１６ｃをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層を異方性エッチングして複数のポリシリコン層１４ａ〜１４ｃとする。例文帳に追加

Anisotropic etching of the polysilicon layer is effected through plasma etching process, by employing an etching gas containing chlorine, oxygen and fluorine while utilizing the resist layers 16a-16c as masks to obtain a plurality of polysilicon layers 14a-14c. - 特許庁

第２プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素と二フッ化メタンの混合ガスを用い、かつ、低い基板バイアス電力によりオーバーエッチングを行なう。例文帳に追加

In a second etching process, a mixed gas of the sulfur hexafluoride, chlorine, and methane bifluoride is used, and at the same time, overetching is conducted by low substrate bias power. - 特許庁

Ｓ４のプラズマ放電によるエッチング工程が終了すると、塩素ガスの供給を停止するが、アルゴンガスについては、約３０秒間、供給継続する（Ｓ５）。例文帳に追加

When an etching process by a plasma discharge at S4 is terminated, gaseous chlorine is stopped being supplied, but argon gas is continued to be supplied for about 30 seconds (S5). - 特許庁

塩素系酸化剤、酵素、樹脂を使用せず、羊毛等の獣毛繊維のスケールを除去することなく、またオゾンやプラズマによる処理を行うことなく、低温で蛋白繊維品に防縮性を付与する。例文帳に追加

To impart shrink-resistance to a protein fiber product at a low temperature without carrying out treatment by ozone or plasma without using a chlorine-based oxidizing agent, an enzyme or a resin and without removing scale of animal hair such as wool. - 特許庁

銅含有アルミニウム膜のドライエッチングにおいて、プラズマ反応室内の塩素系ガスのガス滞在時間が、0.15秒から0.3秒の範囲内とすることを特徴とするドライエッチング方法。例文帳に追加

In this dry etching method of the aluminum film containing copper, the gas staying time of a chlorine gas in a plasma reaction chamber is limited between 0.15 seconds and 0.3 seconds. - 特許庁

エッチングプロセスは、ＰＺＴ層(240)のエッチングのために、塩素／酸素系のプラズマにＣＨＦ_３のようなふっ素含有化合物を加え、かつＩｒ層（350／330）をエッチングするときに、側壁プロファイルを改善するために窒素を加える。例文帳に追加

The processes add a fluorine- containing compound such as CHF_3 to the chlorine/oxygen-based plasma for etching of the PZT layer and add nitrogen to improve sidewall profiles when etching Ir layers (350/330). - 特許庁

フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマに対して優れた耐食性を有する耐食性材料を提供する。例文帳に追加

To provide a corrosion-resistant member having excellent corrosion resistance to halogen-based corrosive gases, such as fluorine-based corrosive gases and chlorine-based corrosive gases, and their plasmas. - 特許庁

このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合金）膜の腐食を抑制することができる。例文帳に追加

Therefore, the side face of the Al (alloy) film is hardly exposed to the plasma of chlorine-based gas or fluorine-based gas during etching or channel etching the semiconductor layer 23, which can suppress corrosion of the Al (alloy) film. - 特許庁

続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。例文帳に追加

Then, a chlorine constituent adhering to an insulating film 15b and the surface of the first-layer wiring L1 is removed by the plasma ashing treatment using the mixed gas of an oxygen gas and a methanol gas. - 特許庁

シリコン窒化膜を有する試料の加工において、フッ素元素を含まない塩素ガスとアルミニウムの混合雰囲気をプラズマ化することで、シリコン酸化膜のエッチング速度を抑制し、優れた加工特性が得られる。例文帳に追加

In working with a sample comprising the silicon oxide film, a mixed atmosphere of chlorine gas containing no fluorine element and aluminum is turned into a plasma, for suppressing etching speed of a silicon oxide film, resulting in superior working characteristics. - 特許庁

塩素／酸素系のプラズマは、Ｉｒ及びＰＺＴ層に対して高いエッチング速度かつハードマスク(360)に対して低いエッチング速度を有する良好な選択性を提供する。例文帳に追加

The chlorine/oxygen-based plasmas provide good selectivity with high etch rates for Ir and PZT layers and low etch rates for the hard mask. - 特許庁

反応室を２つ持つ高周波誘導結合型プラズマエッチング装置を用い一方の反応室で塩素とアルゴンの混合ガスで第２のＰｔ膜１０８をエッチングする。例文帳に追加

Using a high frequency inductively-coupled plasma etching apparatus having two reaction chambers, the second Pt film 108 is etched with a mixture gas of chlorine and argon in one of the reaction chambers. - 特許庁