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フラッシュメモリは書込み速度が遅い，書き換え可能回数が少ないことが弱点．
peo3 のブックマーク 2006/07/26 10:47
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pc.watch.impress.co.jp2006/07/14
7月10日(現地時間) 発表 ●理想のメモリLSIを求めて 米国の大手半導体ベンダーFreescale Semiconductorは10日(現地時間) 、4Mbit MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)の量産を始めたと発表した。 MRAMは...
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