電気抵抗率とは？ わかりやすく解説

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/12/30 08:51 UTC 版)

「フェルミ液体論」の記事における「電気抵抗率」の解説

金属における低温での抵抗率は、電子-電子散乱とウムクラップ散乱との組み合わせで支配される。フェルミ液体では、この機構による抵抗率は T 2 {\displaystyle T^{2}} で変化する。これは格子との組み合わせからのみ生じるにも関わらず、（比熱の線形な温度依存性と共に）フェルミ液体のふるまいの実験的な確認としてよく用いられる。またウムクラップ散乱を要求しない場合もある。例えば補償された半金属の抵抗率は、電子とホールの相互の散乱のため、 T 2 {\displaystyle T^{2}} のスケールをもつ。これはBaber機構として知られる。

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