レポート 用途に応じた4種類のプロセスを用意 - GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの提供を開始 GLOBALFOUNDRIES(GF)は7月13日(独時間)、22nm世代の完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)プロセスとして「22FDxプラットフォーム」を発表した。これに関するプレゼンテーションなどは7月14一時点では一切存在せず、あくまでもプレスリリースベースでの話ではあるが、電話会議の形で同社のGregg Bartlett氏(SVP, CMOS Platform Business Unit)から説明および質疑応答を受ける事が出来たので、内容をまとめてお届けしたい。 今回同社が提供するのは、22nmのFD-SOIベースの4種類のプロセスである。いずれもトランジスタそのものは従来のプレナー型であり 22FD-ulp(Ultra Low Power):

GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始：2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画（1/2 ページ） GLOBALFOUNDRIESは、2016年から22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）の生産を始めると発表した。2018年ごろには300mmウエハー換算で年間30万枚前後の規模で量産を行う計画で、14nm世代、10nm世代への微細化も検討する方針。 ドレスデン28nmラインを改良 GLOBALFOUNDRIES（グローバルファウンドリーズ）は2015年7月13日（米国時間）、2016年から製造開始予定の22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術を発表した。今後、ドイツ・ドレスデンの生産拠点に、2億5000万米ドルを投資し、22nm FD-SOI製造ラインを整備。2016年からリスク生産を行い

GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIプロセスでの製造を2016年に開始か：「ムーアの法則」から抜け出す時？（1/2 ページ） GLOBALFOUNDRIESは、22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）プロセスの導入について、2016年末の量産開始を目指すという。同社は「28nm FinFETと同程度のコストで、14nm FinFETと同等の性能を実現できる」としている。 GLOBALFOUNDRIESのディレクタ兼設計エンジニアであるGerd Teepe氏が、フランスCEA-Leti（フランス原子力庁の電子情報技術研究所）主催のFD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）ワークショップに姿を現した。同氏が参加したということは、GLOBALFOUNDRIESが近々、FD-SOIに関する重大な発表を行うのではないかといううわさが、信ぴょう

AMDの半導体製造部門が分離独立したGLOBALFOUNDRIESが、IBMの半導体部門を買収した。すでにシンガポールのファウンドリ会社「Chartered Semiconductor」を買収しており、ファウンドリ業界で世界1位が射程に入りつつある。 連載目次 GLOBALFOUNDRIES（グローバルファウンドリーズ）と聞いてすぐにピンとくる人は、半導体業界の人だけかもしれない。半導体ファウンドリ業界で世界2位という大きな会社なのだが、大体、ファウンドリという業態自体が一般になじみが薄い。IntelとかAMDとか自社のブランドで認知度が高いプロセッサー製品を売っている会社であれば知名度はまだしもであるが、自社ブランドで半導体を売っていても大抵の半導体会社はあまり知られていないものだ。ましてや、ブランドを掲げて売っている半導体会社から半導体製造を請け負って、ウェハーを製造することをなりわい