エントリーの編集

エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
ダブルパターニング技術 次世代の最先端である加工寸法45nm の半導体製造プロセスでは、37 ページで紹介... ダブルパターニング技術 次世代の最先端である加工寸法45nm の半導体製造プロセスでは、37 ページで紹介したとおり「液浸リソグラフィー」の技術を加えることでArF 露光装置の延命にメドがついた。そして近年は、その次となる加工寸法32nm の世代でもさらにArF露光装置の延命を図ろうとする動きが出ている。そこで現在最も注目されているのは、「ダブルパターニング」という技術である。 ■二重露光 二重露光とは簡単に言うと右の図にあるとおり、1回の露光で作ったレジストパターンの間にもう1回露光をして新たなレジストパターンを作る方法である。こうすることでレジストパターンとレジストパターンの間隔が狭くなり、既存のArF 露光装置でもより微細な回路が作れる。なお、右の図にあるのは二重露光の最も代表的な例で、実際にはこのほかにもいろいろなバリエーションがある。 なお、1 台で数十億円もする先端の液浸ArF