IBMã¨TDKã€é«˜å®¹é‡MRAMã®å…±åŒç ”究開発を開始8月20日　発表 ç±³IBMã¨TDKæ ªå¼ä¼šç¤¾ã¯20æ—¥ã€ã‚¹ãƒ”ン注入ç£åŒ–å転法を採用ã—ãŸæ¬¡ä¸–代MRAMã®å…±åŒç ”究開発を開始ã—ãŸã¨ç™ºè¡¨ã—ãŸã€‚ Magnetoresistive Random Access Memory(MRAM)ã¨ã¯ã€ç£æ°—をデータã®è¨˜éŒ²ã«åˆ©ç”¨ã™ã‚‹ä¸æ®ç™ºæ€§ã®æ¬¡ä¸–代メモリ。フラッシュメモリã¨åŒæ§˜ã«ä¸æ®ç™ºæ€§ã§ã‚ã‚ŠãªãŒã‚‰ã€é«˜é€Ÿãªæ›¸ãè¾¼ã¿ã¨é«˜ã„書ãæ›ãˆè€æ€§ã‚’特徴ã¨ã—ã¦ã„る。 IBMã¯MRAMメモリ技術ã®é–‹ç™ºã‚„MTJè¦ç´ 技術ã®ç ”究開発を行ãªã†ä¸€æ–¹ã€TDKã¯MTJ技術をHDDå‘ã‘ヘッドã«é©ç”¨ã•ã›ã¦ããŸã€‚両社ã¯ã“れらã®æŠ€è¡“を活用ã—ã€MRAMã«å¯¾ã—ã¦ã‚¹ãƒ”ン注入ç£åŒ–å転法をé©ç”¨ã™ã‚‹ã“ã¨ã§ãƒ¡ãƒ¢ãƒªã‚»ãƒ«ã‚’å°åž‹åŒ–ã—ã€ã‚³ã‚¹ãƒˆåŠ¹çŽ‡ã®å‘上ã¨é«˜å®¹é‡åŒ–ã‚’ç‹™ã†ã€‚ â–¡IBMã®ãƒ›ãƒ¼ãƒ ページ(英文) http://www.ibm.com/ □ニュースリリース http://www-06.ibm.com/jp/press/200
{{#tags}}- {{label}}
{{/tags}}