障壁電極の英語

そして、パタニング法等により、第一のショットキー障壁電極３０ａを形成する。例文帳に追加

A first Schottky barrier electrode 30a is formed by a pattering method or the like. - 特許庁

そして、パタニング法等により、第二のショットキー障壁電極３０ｂを形成する。例文帳に追加

A second Schottky barrier electrode 30b is formed by the patterning method or the like. - 特許庁

発光デバイスはまた、少なくとも１つの電極の表面を被覆するポリマー障壁を含む。例文帳に追加

The light emitting device also comprises a polymer barrier coating the surface of at least one of the electrodes. - 特許庁

ソース、ゲート及びドレイン電極は障壁層上に配置されて長手方向に延伸する。例文帳に追加

Source, gate and drain electrodes are located over the barrier layer and extend in a longitudinal direction thereon. - 特許庁

また、表面負電極７を障壁層６とはショットキー接合されている。例文帳に追加

The surface negative electrode 7 and the barrier layer 6 are subjected to Schottky junction. - 特許庁

予め障壁を形成した後に放電電極を容易に形成できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a formation method by which a discharge electrode can be formed easily after barrier ribs are formed preliminarily. - 特許庁

半導体装置は、障壁層１０４の上に該障壁層１０４と接して形成されたソース電極１０５、ドレイン電極及びゲート電極１０７と、障壁層１０４の上に各電極の上面の少なくとも一部を覆うように形成され、障壁層１０４を保護する、複数の膜からなるパッシべーション膜１０８とを有している。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a source electrode 105, a drain electrode, and a gate electrode 107 formed on a barrier layer 104 in contact with the barrier layer 104; and a passivation film 108 formed on the barrier layer 104 so as to cover at least a part of the top surface of the respective electrodes to protect the barrier layer 104 and formed of a plurality of films. - 特許庁

半導体からなる素子形成層１１の主表面に分離電極２２と蓄積電極２３とが障壁制御電極２４を挟んで配置され、さらに障壁制御電極２４に電気的に接続した電荷保持部２５が分離電極２２に隣接して配置される。例文帳に追加

A separated electrode 22 and an accumulating electrode 23 are arranged on the main surface of an element formative layer 11 comprising a semiconductor, pinching a barrier control electrode 24 and a charge retaining section 25 electrically connected to the barrier control electrode 24 is also arranged near the separated electrode 22. - 特許庁