塩素プラズマの英語

半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置部材に用いられるイットリアセラミックス系溶射膜であって、塩素系プラズマに対する耐食性の向上が図られ、ハロゲン、特に、塩素系プラズマプロセスにおいて、該セラミックスの構成原料に起因する不純物金属汚染を抑制することができる耐プラズマ性セラミックス溶射膜を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma resistant ceramics sprayed coating which is a yttria ceramics based sprayed coating used for a plasma treatment device member for fabricating a semiconductor, a liquid crystal or the like, wherein corrosion resistance to chlorine based plasma is improved, and impurity metal contamination caused by the component raw material of the ceramics is suppressed particularly in a chlorine based plasma process. - 特許庁

ウエハＷを収容する反応室１５内へ四フッ化炭素ガスを供給してプラズマを生じさせ、該プラズマがウエハＷ表面のポリシリコン層にプラズマエッチングを施した後、反応室１５内に塩素ガスを供給し、次いで反応室１５内にアンモニアガスを供給する。例文帳に追加

A carbon tetrafluoride gas is supplied into a reaction chamber 15 containing the wafer W to generate plasma, and after a polysilicon layer on a surface of the wafer W is subjected to plasma etching using the plasma, a chlorine gas and then an ammonia gas are supplied into the reaction chamber 15. - 特許庁

ハロゲン系腐食性ガス、特に塩素プラズマガスなどのハロゲン系プラズマガスに対して高い耐腐食性を示す、新たな耐食性部材の製造方法及び耐食性部材を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a new corrosion resistant member exhibiting high corrosion resistance to halogen base corrosive gas, particularly to halogen base plasma gas such as chlorine plasma gas and to provide a corrosion resistant member. - 特許庁

本発明は、塩素をベースとするプラズマの使用のために化学的に非常に反応的な少なくとも一つの物質のスタックをドライエッチングするためのプラズマ組成、及びその使用方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma composition for dry-etching a stack of at least very chemically reactive materials for use of plasma using chlorine as a base, and a using method thereof. - 特許庁

high-k/メタルゲート構造のドライエッチング後にフッ素を含まずCl_2やBCl_3などの塩素を含むガスのプラズマクリーニングを行い、引き続いてSF_6,CF_4,NF_3などのフッ素を含むガスのプラズマクリーニングを行う。例文帳に追加

After dry etching of a high-k/metal gate structure, plasma cleaning of gas containing chlorine such as Cl_2 and BCl_3 and no fluorine is performed, followed by plasma cleaning of gas containing fluorine such as SF_6, CF_4 and NF_3. - 特許庁

まず、ｎ−ＧａＮ基板１０上にｎ^- −ＧａＮ層１１、ｐ−ＧａＮ層１２を積層し、ｐ−ＧａＮ層１２表面をＮｉを堆積した基板とともに塩素系プラズマに曝し、プラズマ損傷層１３を形成する（図１ａ）。例文帳に追加

First, an n^--GaN layer 11 and a p-GaN layer 12 are stacked on an n-GaN substrate 10, and a surface of the p-GaN layer 12 is exposed to chlorine-based plasma along with a substrate with Ni deposited thereon to form a plasma-damaged layer 13 (fig. 1a). - 特許庁

真空チャンバ１内のプラズマ形成領域内にタングステン部材７を備え、チタン等の金属膜１０が形成されたウエハ５を塩素ガスを用いてプラズマエッチングする。例文帳に追加

In the method of manufacturing semiconductor device, a tungsten member 7 is provided in a plasma forming area provided in a vacuum chamber 1, and plasma etching is performed on a wafer 5 on which a metallic film 10 composed of titanium etc., is formed by using a chlorine gas. - 特許庁

次の第２の工程においては、フッ素原子（Ｆ）を含むガスと塩素原子（Ｃｌ）を含むガスをプラズマにより励起して供給する。例文帳に追加

In a second process, a gas containing fluorine atoms (F) and a gas containing chlorine atoms (Cl) are excited by plasma and supplied. - 特許庁