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●RFアンプ各種FETのIMD3特性の実験 HFマルチバンドトランシーバ（CW/SSB）を試作中ですが、各ステージの... ●RFアンプ各種FETのIMD3特性の実験 HFマルチバンドトランシーバ（CW/SSB）を試作中ですが、各ステージの　RFリニアアンプとして、どのような素子を使うのが良いかということをテーマに各種Ampの実験をしました。自作機器の定番であった2SK241、2SK192以外　J211、BF256B等のFETについてもﾃﾞｰﾀを取りました。備忘録としてHPにUpします。このページは、今後も都度データを追加していきます。アマチュア局のHF帯の無線設備規則では、平成34年11月30日以降は、新基準が適用され、帯域外領域におけるスプリアス発射強度の許容値も規定され「50mW以下でかつ、基本周波数の平均電力より40dB低い値」と定義されています。（帯域外領域；；中心周波数から必要周波数帯幅の±250％離れた周波数を境界に、必要周波数帯の外側からこの境界までの帯域外領域）例としてSSBであれば、

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