作为优化，本实施例中所述箱体内部采用sus304型5.0mm厚的不锈钢板制作附凹形铁补强，箱体外部采用sus41型冷轧钢板制作，外壁设置防静电粉体烤漆，保护箱体。
44.作为优化，所述箱体内部还设置有保温结构(图中未示出)，所述保温结构包括保温棉和隔热板，所述保温棉设置于所述箱体内壁上，所述隔热板设置于所述保温棉靠近所述箱体内壁的一侧并通过耐高温矽胶固定在箱体内部，所述保温棉的厚度为90mm。
台湾油升YEOSHE齿轮泵HGP-05A-F-03-R-X HGP-05A-L-03-R-X HGP-05A-F-03-L-X HGP-05A-L-03-LX
台湾油升YEOSHE齿轮泵HGP-05A-F-05-R-X HGP-05A-L-05-R-X HGP-05A-F-05-L-X HGP-05A-L-05-LX
台湾油升YEOSHE齿轮泵HGP-05A-F-08-R-X HGP-05A-L-08-R-X HGP-05A-F-08-L-X HGP-05A-L-08-LX
台湾油升YEOSHE齿轮泵HGP-05A-F-11-R-X HGP-05A-L-11-R-X HGP-05A-F-11-L-X HGP-05A-L-11-LX
台湾油升YEOSHE叶片泵：
1：VHO-F-08叶片泵、VHO-F-12叶片泵、VHO-F-15叶片泵、VHO-F-20叶片泵
2：VHI-F-30、VHI-F-40、VHI-F-40-A2 、VHI-F-30-A3
3：AHPF-30、AHPF-40、VR15-70、VR20-70、VR30-70、VR40-70
4：VP-15F-A3、VP-15-F/A1、VP-20F-A3、VP-20-F/A2、VP-30F-A3
5：VP-30-F/A3、VP-40F-A3、VP-40-F/A3、NVP-30-F/A2、NVP-40-F/A3
6：VDP-15-70-60、VDP-20-70-60、VDP-SF-12、VDP-SF-20、VDP-SF-30-D
7：VDP-SF-40-D、VDP-SF-30-C、VDP-SF-40-B
8：VPC-FB-20、VPC-FB-30、VPC-FB-40、VPC-30-F-A1、VPC-30-F-A2
.本实施例所述的一种正负压力固晶炉正常工作时，将半导体芯片以及半导体片材放入处理室内，控制面板控制真空泵工作，在缓冲罐的稳流作用下对处理室制造真空环境，真空环境可避免半导体芯片被氧化，随后控制空压机工作，控制面板控制空压机和氮气机工作，并控制电控三通阀将氮气机与空压机相连通，空压机向箱体内部充氮气，控制充氮气的体积为箱体体积的60％～70％；再控制加热器加热使内部环境温度为80℃，驱动电机动力输出端带动风轮转动将加热器周围的热气吹至半导体芯片上，防止将半导体芯片以及半导体片材粘结的银胶固化；随后再次控制空压机工作将高压氮气通入箱体内，高压氮气将银胶内的气泡压除清理，完成气泡的清除工作；带银胶固化后在将内部环境加热至150℃，保持2h的时间，使得银胶的粘结更加稳定，半导体芯片的质量更好；后通过水冷机构将箱体内部的温度降至60℃，泄压后完成工作。
