உள்ளடக்கத்துக்குச் செல்

மின்புல விளைவுத் திரிதடையம்

கட்டற்ற கலைக்களஞ்சியமான விக்கிப்பீடியாவில் இருந்து.
மிவிதி

மின்புல விளைவுத் திரிதடையம் அல்லது மின்புல விளைவு மூவாயி (Field Effect Transistor - FET) அல்லது ஒரு-துருவ மூவாயிகள் (Unipolar Transistors) என்ற இக்கருத்தாக்கத்திற்கு, 1925ஆம் ஆண்டு சூலியஸ் எட்கர் லிலியன்ஃபெல்டு (Julius Edgar Lilienfeld) என்பவரும், பின்னர், 1934ல் ஆஸ்கர் ஹெயில் (Oskar Heil) என்பவரும் காப்புரிமை பெற்றுள்ளனர். ஆனால், அக்காலநடைமுறையில் இதற்கான எந்தக்கருவியும் உருவாக்கப்படவில்லை.[1][2][3]

இதனையும் பாருங்கள்

[தொகு]

மேற்கோள்கள்

[தொகு]
  1. Lilienfeld, J.E. "Method and apparatus for controlling electric current" பரணிடப்பட்டது 2022-04-09 at the வந்தவழி இயந்திரம் US Patent no. 1,745,175 (filed: 8 October 1926 ; issued: 28 January 1930).
  2. Lee, Thomas H. (2003). The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits (PDF). Cambridge University Press. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 978-1-139-64377-1. Archived from the original (PDF) on 2019-12-09. பார்க்கப்பட்ட நாள் 2019-07-20.
  3. Puers, Robert; Baldi, Livio; Voorde, Marcel Van de; Nooten, Sebastiaan E. van (2017). Nanoelectronics: Materials, Devices, Applications, 2 Volumes. John Wiley & Sons. p. 14. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 978-3-527-34053-8.