Z-RAM
Tipovi računarske memorije |
---|
Promenljiva |
RAM |
U razvoju |
Istorija |
|
Nepromenljiva |
ROM |
NVRAM |
Ranije faze NVRAM |
Mehanička |
U razvoju |
Istorija |
|
Zero-kapacitor RAM (nula kondenzatora) je nova DRAM tehnologija razvijena od firme Inovativ Silikon, koja se bazira na efektu plutajućeg tela tehnologije silikona na izolatoru (SOI). Z-RAM tehnologiju je zaštitio AMD za moguću buduću upotrebu u procesorima. Inovativ Silikon tvrdi da tehnologija nudi pristup memoriji sličan klasičnoj SRAM memoriji sa šest tranzistora, ali koristi samo jedan tranzistor pa omogućava dosta veću gustinu pakovanja.
Z-RAM se oslanja na efekat plutajućeg tela, efekat SOI tehnologije koja postavlja tranzistore u izolovane tube. Ovaj efekat izaziva pojavu promenjive kapacitivnosti između dna tube i podloge, što je bio problem u probitnim dizajnerskim rešenjima. Međutim isti efekat omogućava proizvodnju DRAM-olike ćelije bez dodatnog kondenzatora, jer ovaj efekat odrađuje isti posao kao i kondenzator u normalnoj DRAM ćeliji. Pošto se kondenzator nalazi ispod tranzitora (umesto pored, ili iznad kao u normalnoj DRAM memoriji), druga konotacija imena Z-RAM je da se proteže u negativnom pravcu z ose.
Smanjena veličina ćelije znači da je Z-RAM brži čak i od SRAM[1] memorije ako se koristi u dovoljno velikim blokovima. Iako su pojedinačne SRAM ćelije brže od Z-RAM ćelija, znatno manja veličina Z-RAM ćelija omogućava dosta manje blokove i time smanjuje fizički put koji podaci moraju da pređu kako bi napustili memorijski blok. Kako ovi tragovi metala imaju fiksno kašnjenje po jedinici dužine nezavisno od memorijske tehnologije, zbog kraće dužine Z-RAM tragova signala se može izjednačiti sa bržim SRAM vremenom pristupa. Za veliku keš memoriju (kakva se obično nalazi na procesorima sa velikim performansama), Z-RAM nudi ekvivalentnu brzinu kao SRAM ali zahteva manje mesta, pa mu je i cena manja. Izumitelji tvrde da su postigli vreme odziva od samo tri nano sekunde.
Cilj SOI tehnologije su tržišta računara sa visokim performansama i relativno je skupa u poređenju sa CMOS tehnologijom koja se češće viđa. Cilj Z-RAM-a je jeftinija keš memorija na čipu sa sličnim ili istim performansama što bi bilo odlično ako se dokaže da može da funkcioniše na velikim obimu proizvodnje.
U martu 2010, Inovatin Silikon je izjavio da razvija Z-RAM koji se ne zasniva na SOI tehnologiji, i koji bi mogao da se proizvodi na bazi balk CMOS tehnologije.
AMD je zaštitio drugu generaciju Z-RAM-a[2] za istraživanje i potencijalno korišćenje na budućim procesorima, ali još uvek ne planira da počne[3].
Firma Hiniks, koja proizvodi DRAM, je takođe zaštitila Z-RAM za korišćenje na DRAM čipovima[4].
Inovativ Silikon je ugašen 29. juna 2010. Njihovi patenti su prebačeni na firmu Mikron tehnolodži Decembra 2010[5].
Reference
[uredi | uredi izvor]- ^ The case for Z-RAM: Q&A with memory specialist Innovative Silicon
- ^ Innovative Silicon revamps SOI memory, AMD likes it
- ^ GlobalFoundries Outlines 22 nm Roadmap[mrtva veza]
- ^ „Hynix Licenses ISi Z-RAM Technology for Future DRAM Chips”. Arhivirano iz originala 08. 07. 2011. g. Pristupljeno 29. 12. 2013.
- ^ „Micron gains as floating-body firm closes”. EE Times. 13. 5. 2011. Pristupljeno 14. 5. 2011.