3 µm 공정

3 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 3 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1975년 경 인텔과 같은 반도체 회사가 달성하였다.

3 마이크로미터 제조 공정을 적용한 제품

↑ Mueller, S (2006년 7월 21일). “Microprocessors from 1971 to the Present”. informIT. 2012년 5월 11일에 확인함.
↑ “보관된 사본”. 2015년 4월 27일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2019년 9월 28일에 확인함.

반도체 소자 제조

MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
미래 002 nm – 2024
하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자
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