Gravure au plasma
La gravure au plasma est une technique de gravure sèche utilisée en microfabrication (microélectronique).
Description
[modifier | modifier le code]La gravure au plasma consiste à faire subir à un échantillon (wafer) un bombardement de gaz ionisé (plasma) afin d'en retirer une ou plusieurs couches de matériaux. Cette méthode de gravure est purement physique (par opposition aux gravures chimiques), au sens où il n'y a pas de réaction chimique entre l'échantillon et le plasma, mais que ce dernier agit uniquement par effet mécanique[1].
Notes et références
[modifier | modifier le code]- Ian Cayrefourcq, Isabelle Chartier, Bertrand Demotes-Mainard, Didier Lévy et al. (préf. Bernard Bigot), Chimie et technologies de l'information, Les Ulis, EDP Sciences, , 234 p. (ISBN 978-2-7598-1184-7 et 2759811840, OCLC 892624015, BNF 44200147), p. 108 (note 7).
