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Superconductor-Insulator-Superconductorとは 意味・読み方・使い方
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ウィキペディア英語版での「Superconductor-Insulator-Superconductor」の意味 |
Superconductor-Insulator-Superconductor
出典:『Wikipedia』 (2011/06/10 12:35 UTC 版)
「Superconductor-Insulator-Superconductor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
To provide a pressure detection device using a superconductor which transits from a superconductor to an insulator while keeping its temperature constant.例文帳に追加
温度を一定に保持したまま超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体を用いた圧力検出装置を提供する。 - 特許庁
An extremely thin insulator thin film is formed on the bevel of the second oxide superconductor thin film 4.例文帳に追加
第2酸化物超電導体薄膜4の斜面に極薄い絶縁体薄膜を形成する。 - 特許庁
A first oxide superconductor thin film 2, a first insulator thin film 3 composed of ceria, a second oxide superconductor thin film 4, and a second insulator thin film 5 composed of ceria are formed sequentially on an oxide substrate 1.例文帳に追加
酸化物基板1上に、第1酸化物超電導体薄膜2、セリアからなる第1絶縁体薄膜3、第2酸化物超電導体薄膜4、セリアからなる第2絶縁体薄膜5を順次形成する。 - 特許庁
The pressure detection device 30 detects superconductor thin films 12 to 14 which transited to the insulator from among a plurality of superconductor thin films 11 to 14 whose critical pressures to transit from a superconductor to an insulator are different with each other by ammeters 242, 252 and 262, and from among the detected critical pressures of the superconductor thin films 12 to 14, the maximum critical pressure is detected as the pressure in a container 10.例文帳に追加
圧力検出装置30は、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜11〜14のうち、絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜12〜14を電流計242,252,262によって検出し、その検出した超伝導体薄膜12〜14の臨界圧力のうち、最大の臨界圧力を容器10内の圧力として検出する。 - 特許庁
To provide a locally degenerated semiconductor YBCO element, using AFM, a superconductor YBCO element, and a manufacturing method thereof, in which a semiconductor YBCO thin film is locally degenerated to an insulator by use of an AFM chip, or a superconductor YBCO film is locally degenerated into a non-superconductor.例文帳に追加
AFMチップを用いて半導体YBCO薄膜を絶縁体に局所的に変質させた、あるいは超伝導体YBCO膜を非超伝導体に局所的に変質させた、AFMを用いた局所変質半導体YBCO素子及び超伝導体YBCO素子並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁
PRESSURE DETECTION DEVICE USING SUPERCONDUCTOR THIN FILM WHICH TRANSITS FROM SUPERCONDUCTOR TO INSULATOR BY PRESSURE, JOSEPHSON ELEMENT AND SUPERCONDUCTING QUANTUM INTERFEROMETER例文帳に追加
圧力によって超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体薄膜を用いた圧力検出装置、ジョセフソン素子および超伝導量子干渉計 - 特許庁
A third oxide superconductor thin film 6 is formed on the second insulator thin film 5, on the bevel of the second insulator thin film 5, on the extremely thin insulator thin film, and on the first insulator thin film 3.例文帳に追加
第2絶縁体薄膜5上、第2絶縁体薄膜5の斜面上、上記極薄い絶縁体薄膜上、および、第1絶縁体薄膜3上に、第3酸化物超電導体膜6を形成する。 - 特許庁
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「Superconductor-Insulator-Superconductor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
A bevel making an obtuse angle against the first insulator thin film 3 is formed in the second oxide superconductor thin film 4, and a bevel substantially continuous to the bevel of the second oxide superconductor thin film 4 is formed in the second insulator thin film 5.例文帳に追加
第2酸化物超電導体薄膜4に、第1絶縁体薄膜3に対して鈍角をなす斜面を形成すると共に、第2絶縁体薄膜5に、第2酸化物超電導体薄膜4の斜面に略連続する斜面を形成する。 - 特許庁
A normal conductor layer 12 and an insulator layer 13 are laminated between a first superconductor layer 11 and a second superconductor layer 14, and a region (a local conducting region 19) having no locally insulating property by an irradiation of a focused ion beam to a side of the insulator layer 13.例文帳に追加
第1超伝導体層11と第2超伝導体層14の間に常伝導体層12及び絶縁体層13を積層し、絶縁体層13の側面に集束イオンビームを照射することにより局所的に絶縁性を持たない領域(局所伝導領域19)を形成する。 - 特許庁
When the superconductor 7 has an insulator phase, Raman excitation light 8 is well joined to phonons 11 on the CuO_2 surface 5 since holes 10 for scattering the excitation light 8 are few and the intensity of Raman scattering light 9 is large.例文帳に追加
酸化物高温超伝導体7が絶縁体相の場合には、ラマン励起光8を散乱するホール10が少ないので、ラマン励起光8はCuO_2 面5のフォノン11と良く結合し、ラマン散乱光9の強度は大きい。 - 特許庁
Regions 12B, 12B covered with the ferromagnetic layers 13, 13 of the ring part 12A of the superconducting layer 12 transit from a superconductor (S) to an insulator (I), due to the ferromagnetic layer 13 and become a barrier.例文帳に追加
超伝導体層12のリング部12Aのうち強磁性層13,13で被覆した領域12B,12Bが、強磁性層13により超伝導体(S)から絶縁体(I)へ転移し、障壁となる。 - 特許庁
At the time of producing an SIS (Superconductor-Insulator-Superconductor) mixer mount 10, for the purpose of working a waveguide 12 provided inside the SIS mixer mount 10 at a high precision, it is divided into a plurality of components at the cross section passing through the waveguide 12, and the joining face of each component is machined, so that groove parts composing the waveguide are formed.例文帳に追加
SISミクサマウント10を製造する際に、SISミクサマウント10の内部に設けられる導波路12を高い精度で加工するために、導波路12を通る断面で複数の構成部材に分割し、それぞれの構成部材の接合面を切削することにより導波路を構成する溝部を形成する。 - 特許庁
The cable provided with a superconductor (2), a dielectric (3) surrounding the superconductor, and a superconducting screen (4) arranged on the dielectric working as a spacer is surrounded by a cryostat (7) consisting of a metallic inner tube (8), a metallic outer tube (9), and a super insulator (10) including a gap.例文帳に追加
超伝導体(2)と、超伝導体を囲む誘電体(3)と、誘電体の上に配置されたスペーサとして作用する超伝導スクリーン(4)とを備えるケーブルは、金属製内部チューブ(8)と、金属製外部チューブ(9)と、両者の間に置かれた超断熱体(10)とから成るクライオスタット(7)によって、空隙を含んで囲まれている。 - 特許庁
The low temperature vessel has a vessel keeping a superconductor in its cool state, a vacuum heat insulator fixed to the vessel, a low temperature side current lead and a room temperature side current lead disposed openable in its connection in the inner space of the vacuum heat insulator and one or a plurality of radiation shields disposed inside the vacuum heat insulator.例文帳に追加
超電導体を冷却した状態に保持する容器部と、前記容器部に取り付けられた真空断熱部と、前記真空断熱部の内部空間に開極可能に配置された低温側電流リードおよび室温側電流リードと、前記真空断熱部の内部に配置された1つまたは複数の輻射シールドとを有する低温容器。 - 特許庁
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