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N 層の英語
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「N 層」の部分一致の例文検索結果
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an N-tier system発音を聞く 例文帳に追加
N 層システム - 研究社 英和コンピューター用語辞典
The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.例文帳に追加
バッファ層２はｎ型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁
An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加
n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁
In step S_3, the mark information of the target layer X_n and that of the alignment layer Y_n are imparted to the measured data A_n as layer data.例文帳に追加
Ｓ_3 でターゲット層Ｘ_n 及びアライメント層Ｙ_n のマーク情報を層データとして測定データＡ_n に付与する。 - 特許庁
N^+-SiC is made a drain layer and n^--SiC in contact with the n^+drain layer is made a drift layer.例文帳に追加
ｎ^＋−ＳｉＣをドレイン層とし、ｎ^＋ドレイン層に接するｎ^-−ＳｉＣをドリフト層とする。 - 特許庁
The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.例文帳に追加
第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。 - 特許庁
In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加
コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともｐ＋ｎ−ｐｎ＋構造と、ｎ−層とｐ層との間にｎ−層よりも高濃度のｎ層と有するIGBTにおいて、ｎ−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁
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「N 層」の部分一致の例文検索結果
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A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加
発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁
The n-type layer 3 is provided with an n^+type GaN layer 6, an n^-type GaN layer 7, and an n^-type AlGaN layer 8, and the n^-type AlGaN layer 8 is formed at a portion contacting the p-type GaN layer 4 in the n-type layer 3.例文帳に追加
ｎ型層３は、ｎ^＋型ＧａＮ層６と、ｎ^−型ＧａＮ層７と、ｎ^−型ＡｌＧａＮ層８とを備えており、ｎ型層３において、ｐ型ＧａＮ層４に接する部分にｎ^−型ＡｌＧａＮ層８が形成されている。 - 特許庁
The cathode region of the diode 22 comprises an n^+ diffusion layer 8c, an n^- epitaxial layer 4, an n-type diffusion layer 5 and an n^+ diffusion layer 8b.例文帳に追加
ダイオード２２のカソード領域は、ｎ^+拡散層８ｃと、ｎ^-エピタキシャル層４と、ｎ型拡散層５と、ｎ^+拡散層８ｂとで構成されている。 - 特許庁
The lithium ferritic compound oxide is expressed by the compositional formula of Li_1+x(Mn_1-m-nFe_mAl_n)_1-xO_2 (0<x<1/3, 0.05≤m≤0.75, 0.01≤n≤0.5, 0.06≤m+n<1), and has layered rock salt structure.例文帳に追加
組成式：Li_1+x(Mn_1-m-nFe_mAl_n)_1-xO_2 (0<x<1/3, 0.05≦m≦0.75, 0.01≦n≦0.5, 0.06≦m+n<1)で表され、層状岩塩型構造を有するリチウムフェライト系複合酸化物。 - 特許庁
A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加
N^+ドレイン層21上に第２のNベース層3及び第１のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁
An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加
（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁
The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.例文帳に追加
このｎ型欠陥層は実質的にｎ型高ｎ^＋バッファ層２ｂとして機能する。 - 特許庁
An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加
Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁
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