無欠の状態の英語

切片ｂから無欠陥状態のチェーン抵抗が推定できる。例文帳に追加

The chain resistance R in no-defect status can be presumed by an intercept b. - 特許庁

連続倣い削り研削方法における倣い削り工具の部品能力を無欠陥に計測すると共に実際の磨耗状態を評価することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which piece potential of a profile grinding tool in a continuous profile grinding method can be measured without any fault and actual wear conditions can be evaluated. - 特許庁

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。例文帳に追加

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state. - 特許庁

これにより，ホストシステムと周辺装置とが通信する時，物理的な接続状態による最適の通信パラメータを設定させることで，信号の無欠性を更に効率的に保証して論理の誤りを防止し，ケーブルから発生する高調波のＥＭＩを減すことができる。例文帳に追加

Thus non-defectiveness of a signal is efficiently secured to prevent logical mistake, and EMI of high harmonic generated from a cable can be reduced, by setting the optimum communication parameter based on the physical connecting state. - 特許庁

チョクラルスキー法より作製され、その酸素析出を利用したゲッタリング処理が施されたシリコン単結晶ウエハであって、前記シリコン単結晶ウエハが、熱処理を受けた後の状態において、該ウエハの無欠陥化表層部を除いた内層部の単位体積当たりに存在する酸素析出物の体積合計量が８．８×１０^-8cm^^3 以上であことを特徴とする。例文帳に追加

A single crystal silicon wafer is manufactured by Czochralski method and treated by gettering treatment using oxygen precipitation in the silicon crystal wafer; where the single crystal silicon wafer contains the oxygen precipitation at a total volume of 8.8×10-8 cm3 or more per unit volume of an inner layer region except a denuded surface region of the wafer, after heat treatment. - 特許庁