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実効放射率の英語
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「実効放射率」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
実効放射率計算部33は、領域毎に、被覆率と設定された素子領域の放射率及び素子分離領域の放射率とに基づき、実効放射率を求める。例文帳に追加
The effective emissivity calculation part 33 obtains, on a region basis, effective emissivity based on: the coverage; set emissivity of the element region; and the emissivity of an element isolation region. - 特許庁
モデル作成部34は、ウエハ表面に実効放射率を、ランプに温度の時間変化及び放射率を設定したモデルを作成する。例文帳に追加
The model creation part 34 creates a model in which the effective emissivity is set on the wafer surface, and temperature temporal change and emissivity are set in a lamp. - 特許庁
多重反射環境に設置された被測定体54(W)の温度を、放射率を利用した放射温度計40を用いて測定する温度測定方法において、前記放射率として下記式で定まる実効放射率ε_eff を用いる。例文帳に追加
In this method of measuring the temperature of the measuring body 54 (W) placed in the multiple reflection environment by using a radiation thermometer 40 utilizing emissivity, an effective emissivity εeff defineed by the following expression is used as the above emissivity: εeff=(1-α).ε+α.ε/[1.F.r.(1-ε)]. - 特許庁
実効反射率の切り替え前後における第1放射温度計ロッド55からの出力に基づいて基板9の温度および放射率を求め、求められた放射率および第2放射温度計ロッド60からの出力に基づいて各第2放射温度計ロッド60に対向する基板9の領域の温度を求める。例文帳に追加
The temperature and emissivity of the substrate 9 can be obtained, based on the output of the first radiation thermometer rod 55 before and after the switching of the effective radivity, and the temperature of the region of the substrate 9 which faces opposite each second radiation thermometer rod 60 can be obtained, based on the output of the obtained emissivity and the output of the second radiation thermometer rod 60. - 特許庁
温度計測機構50は第1放射温度計ロッド55における反射板123の実効反射率を切り替えることができる。例文帳に追加
The temperature-measuring mechanism 50 can switch the effective reflectivity of a reflector 123 in the first radiation thermometer rod 55. - 特許庁
基体の表面に形成される螺旋状の放射導体の印刷精度を高めると共に、基体の実効誘電率を低減する。例文帳に追加
To increase a printing accuracy for a spiral radiation conductor formed on the surface of a base and also to reduce an effective dielectric constant of the base. - 特許庁
放射角緩和領域Aにおける実効屈折率差ΔnAを、屈折率導波領域Bにおける実効屈折率差ΔnBよりも小さくする。例文帳に追加
An effective refractive index difference ΔnA in a radiation angle relaxing region A is made smaller than the effective refractive index difference ΔnB in a refractive index waveguide region B. - 特許庁
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「実効放射率」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
半導体ウェハ3の温度を非接触で計測するため、半導体ウェハ3からの放射光を測定し、放射光の測定結果に基づいて実効放射率を未知変数として推定しながら半導体ウェハ3の温度を演算する。例文帳に追加
In order to measure the temperature of a semiconductor wafer 3 in the noncontact state, radiated light from the semiconductor wafer 3 is measured, and the temperature of a semiconductor wafer 3 is operated, while estimating an effective radiation rate as an unknown variable, based on a measurement result of the radiated light. - 特許庁
誘電体材料または磁性体材料から成る基体2の表面および内部の少なくとも一方に放射電極3を設けて成る表面実装型アンテナ1であって、基体2は実効誘電率の異なる部分2a,2bを有するとともに、放射電極3はそれら実効誘電率の異なる部分にわたって設けられている。例文帳に追加
The surface mounted antenna 1 is formed by arranging a radiation electrode in at least either of the surface and the inside of a base 2 made of a dielectric material or a magnetic material, wherein the base 2 includes parts 2a, 2b whose effective dielectric constants differ from each other, and the radiation electrode 3 is provided in the parts whose effective dielectric constants differ in a way of bridging over them. - 特許庁
ウエハ温度シミュレーション装置は、素子部被覆率計算部32と、実効放射率計算部33と、モデル作成部34と、熱拡散方程式解法部35とを具備する。例文帳に追加
The device for simulating wafer temperature includes: an element part coverage calculation part 32; an effective emissivity calculation part 33; a model creation part 34 and a thermal diffusion equation solution part 35. - 特許庁
その際、計測される放射強度I1,I2と、求めた実効反射率R1,R2とを用いて処理基板Wの温度Tを算出し、制御部60は、温度Tをもとにランプを制御し、基板Wの温度管理を行う。例文帳に追加
Here, a temperature T of the process substrate W is calculated using measured emission intensities I1 and I2 as well as acquired effective reflectivity R1 and R2, and a control part 60 controls a lamp based on the temperature T for temperature-control the substrate W. - 特許庁
そして、回転板53を回転させて2つの放射温度計ロッド55に対する反射板123の実効反射率を変化させ、それぞれのキャビティ511に対向する基板の2つの領域の温度を計測する。例文帳に追加
The rotary plate 53 is rotated to change the effective reflection factor of the reflection plate 123 to the two radiation thermometer rods 55 and the temperature in two regions of the substrate opposite to the two cavities 511 is measured. - 特許庁
そして、その放射強度I0,I1およびILから処理基板Wの反射率ρWを算出し、さらに、反射率ρWから、既に求めたこの種類の処理基板Wに対応する変換テーブルを用いて実効反射率R1,R2を求める。例文帳に追加
A reflectivity pW of a process substrate W is calculated from the emission intensities I0, I1, and IL, and further, effective reflectivity R1 and R2 are acquired using a conversion table corresponding to this kind of a process substrate W acquired already, from the reflectivity ρW. - 特許庁
光ファイバグレーティング13に励起光を入射し、希土類イオンの非放射緩和過程で生じる温度上昇によって光ファイバの実効屈折率を変化させ、光ファイバグレーティングの反射波長を変化させる。例文帳に追加
Exciting light is made incident on the optical fiber grating 13, and the reflected wavelength of the optical fiber grating is changed by changing the effective refractive index of the optical fiber through a temperature rise caused in the non-radiative relaxation process of a rare earth ion. - 特許庁
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