垂直応力の英語

フィン内部のチャネル部に垂直応力を与える事が可能なフィン型トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a fin transistor capable of giving vertical stress to a channel portion inside a fin. - 特許庁

高い耐久性及び信頼性を備え、物体から受ける垂直応力及び剪断応力を同時に検出することができる触覚センサを提供する。例文帳に追加

To provide a tactile sensor having high durability and reliability, can detect simultaneously the vertical stresses and shear stresses received from an object. - 特許庁

高温のアニーリング後の熱応力によるクラックのない優れた垂直異方性を持つ記録層が得られる。例文帳に追加

A recording layer with excellent perpendicular anisotropy is obtained, without cracks resulting from the thermal stress after high temperature annealing. - 特許庁

高温のアニーリング後の熱応力によるクラックのない優れた垂直異方性を持つ記録層が得られる。例文帳に追加

Thus, a recording layer which causes no crack due to thermal stress after high temperature annealing and is excellent in vertical anisotropy can be obtained. - 特許庁

第１の半導体チップ１の側面を傾斜させて封止用樹脂１０の注入時の応力を分散し垂直下方向への応力が付加されることで、垂直上方向の応力を相殺し、半導体チップ１、２上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、半導体チップ１の垂直方向の変位を抑制する。例文帳に追加

The side faces of a first semiconductor chip 1 are sloped to disperse the injection stress of a sealing resin 10 to add a vertically downward stress enough to cancel a vertically upward stress, so that the resin flows above and below the semiconductor chips 1, 2 are kept balanced to restrain the vertical displacement of the semiconductor chip 1. - 特許庁

試料の表面に垂直にスタッドを固定して垂直引張試験を行う垂直引張型密着強度試験機に於いて、試料固定板１１の試料固定位置に垂直に配置されて試料１０の表面に垂直に固定したスタッド１を受容すると共に一定加重でクランプし且つスタッド１に対し試料１０と垂直な方向の応力を加える筒状のコレットを備える。例文帳に追加

This perpendicular tension type adhesion strength test machine for perpendicularly fixing the stud to the surface of the sample and performing a perpendicular tensile test has a cylindrical collet that receives the stud 1 that is arranged perpendicularly to a sample fixing position of a sample fixing plate 11 and perpendicularly fixed to the surface of the sample 10, clamps it with a constant load, and applies stress perpendicular to the sample 10 to the stud 1. - 特許庁

軟磁性下地層１３のヤング率を非磁性中間層１５及び垂直記録層１６と同等以上にし、降伏応力を垂直記録層１６の降伏応力より小さくすることにより、ヘッドの摺動や接触に対して垂直記録層１６が変形するのを防ぐことができる。例文帳に追加

Deformation of the perpendicular recording layer 16 due to slide and contact of a head can be prevented by making the Young's modulus of the soft magnetic underlayer 13 equal to or more than the Young' moduli of the non-magnetic intermediate layer 15 and the perpendicular recording layer 16 and making the yield stress of the soft magnetic underlayer smaller than the yield stress of the perpendicular recording layer 16. - 特許庁

ＰＭＯＳトランジスタ１０１側では基板面と平行な方向に応力を発生させ、ＮＭＯＳトランジスタ２０１側では基板面と垂直に応力を発生させる。例文帳に追加

A stress is generated in a direction parallel to the substrate face on the PMOS transistor 101 side; and a stress is generated in a direction perpendicular to the substrate face on the NMOS transistor 201 side. - 特許庁