半導体金属転移の英語

金属−半導体転移等の相変態を生じる材料を用いて温度に対する抵抗変化を従来より大きくする。例文帳に追加

The change of resistance to a temperature is increased by using a material generating the phase transition such as the metal-semiconductor transition or the like, in comparison with a conventional one. - 特許庁

金属−絶縁体相転移材料を用いた半導体装置であって、当該金属−絶縁体相転移材料を用いた部分に損傷領域が形成されておらず、かつ、当該部分が単結晶である半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device employing a metal-insulator phase transition material and a damage region is not formed in a part employing the metal-insulator phase transition material while the same part is formed of a single crystal, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

これによれば、第１電極膜と第２電極膜との間に印加される電界によって急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属−絶縁体転移が発生する。例文帳に追加

According thereto, a field applied between the first and the second electrode films makes the rapid metal-insulator transition semiconductor substance generate a rapid metal-insulator transition, not a structural phase transition, by hole doping. - 特許庁

このカーボンナノチューブは、金属クラスター２からカーボンナノチューブ本体１への電荷移動により、カーボンナノチューブ本体１が半導体性から金属性に転移している。例文帳に追加

The carbon nanotube is characterized in that since an electric charge is moved from the metal cluster 2 to the nanotube body 1, the semiconductivity of the nanotube body 1 is shifted to a metallic property. - 特許庁

半導体素子とリードフレームとからなる半導体パッケージ内で使用される金属箔と接着剤とからなる金属積層体において、該接着剤の熱硬化前のガラス転移温度が３０℃以上１００℃以下、かつ該接着剤の熱硬化後の２５０℃から３００℃の温度範囲における弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である金属積層体。例文帳に追加

In the metal laminate comprised of the metal foil and the adhesive used in the semiconductor package comprised of the semiconductor device and the lead frame, a glass transition temperature before thermocuring of the adhesive is ≥ 30°C and ≤100°C, and an elastic modulus in the temperature range of 250°C to 300°C after thermocuring of the adhesive is ≥1MPa and ≤100MPa. - 特許庁

本発明の半導体素子の製造方法は、基板上に転移金属酸化膜及び漏洩制御膜を互い違いに１回〜２０回積層してバリスタ膜を形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing a semiconductor device, a varistor layer is formed by laminating a transition metal oxide layer and a leakage control layer alternately on a substrate once to twenty times. - 特許庁

開示されている半導体記憶装置は、浮遊ゲート６に一部分が接すると共に他部分がＰ型シリコン基板１に接するようにモット絶縁体７を設け、このモット絶縁体７に金属−絶縁相転移を生じさせる。例文帳に追加

Metal-insulator phase transition is caused in the insulator 7. - 特許庁

これにより、温度が約４６０Ｋ付近において非磁性半導体と常磁性金属とに相転移する従来におけるバルク体とは異なり、室温で相転移せずに、全ての温度領域において、Ｔｉ_３Ｏ_５粒子本体が常磁性金属の特性を常に維持することができるという従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン粒子１を提供できる。例文帳に追加

By the production process, it is possible to provide titanium oxide particles 1 capable of exhibiting non-conventional new material properties which enable Ti_3O_5 particles themselves to always retain the nature of a paramagnetic metal throughout the whole temperature range without undergoing the phase transition at room temperature, unlike conventional bulk materials that undergo phase transitions between a non-magnetic semiconductor and a paramagnetic metal at about 460K. - 特許庁