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tak********

2025/1/8 15:10

33回答

画像の回路で、MOSFETが飽和領域でのVoutの求め方を教えて欲しいです。チャネル長変調効果は無視します。 トランスコンダクタンス係数はK、しきい値電圧はVtとします。

画像の回路で、MOSFETが飽和領域でのVoutの求め方を教えて欲しいです。チャネル長変調効果は無視します。 トランスコンダクタンス係数はK、しきい値電圧はVtとします。 二乗則(ドレイン電流Id=K(Vgs-Vt)^2)にのっとってドレイン電流=ソース電流を求めてRとかけたものがVoutになると思ったのですが、Vgs、ゲートソース間電圧の出し方が分かりません。

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回答（3件）

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2025/1/13 10:41

ソースに抵抗が入ったソースフォロワ回路ですね。 基板とソースが接続されていて基板効果もないので、すでに回答されているように、Vgs=Vin-Vout の式と連立させてやればVoutを未知数として解の公式で解けます。 面倒ですが…

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k_f********

2025/1/10 4:43

tak********さんへ >MOSFET >飽和領域 飽和させる、飽和させたいなら、普通は出力をドレイン側から取り出します。ソース側には電流帰還が掛かる。 飽和すると、電源にインピーダンスは無いので、無限大に電流が流れようとする。 でRに電圧降下が発生し、ゲートに印加されたVinに、ソース電圧は近づいて行く。で、Vgs-Id特性グラフに示されるVgsに成った所でバランスする。電流増大が止まる。 この状態は「飽和」ではありませんね。能動領域で動作している。 だから、想定が？だと感じます。能動領域でのバッファーとしての回路です。