Technische Information /

technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N

Key Parameters
enndaten
VDRM / VRRM 6000V … 7000V
ITAVM 640A (TC=85°C)
ITSM 13500A
3570A (TC=55°C)
vT0 1,3V
rT 1,35mΩ
RthJC 17,0K/kW
Clamping Force 15 … 24kN
Max. Diameter 76mm
Contact Diameter 50mm
Height 26mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog

http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale Features

 Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten  Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
Temperaturbereich range
 Hohe DC Sperrstabilität  High DC blocking stability
 Hohe Stoßstrombelastbarkeit  High surge current capability
 Hoher Gehäusebruchstrom  High case non-rupture current
 Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit  High di/dt capability

Typische Anwendungen Typical Applications

 Mittelspannungssanftanlasser  Medium Voltage Softstarter

 Statische Kompensation SVC  Static Var Compensation SVC
 Gleichrichter für Antriebsapplikationen  Rectifier for Drives Applications
 Lastgeführte Umrichter  Load Commutating Inverter
 Kurzschließer-Applikationen  Crowbar Applications

4 5

content of customer DMX code DMX code DMX code 1 2

digit digit quantity
serial number 1..7 7
SP material number 8..16 9
datecode (production day) 17..18 2
datecode (production year) 19..20 2
datecode (production month) 21..22 2
vT class 23..26 4
www.ifbip.com
QR class 27..30 4 [email protected]

Date of Publication: 2011-05-02 Revision: 11.0 Seite/page: 1/11

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 6000 V
Elektrische
repetitive Eigenschaften
peak forward off-state and reverse voltage 6500 V
7000 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert TC = 85 °C ITRMSM 1000 A
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85 °C ITAVM 640 A
average on-state current TC = 70 °C 770 A
TC = 55 °C 890 A
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25 °C, tP = 10 ms ITSM 13500 A
surge current Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 13000 A
Grenzlastintegral Tvj = 25 °C, tP = 10 ms I²t 910 10³ A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 845 10³ A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 60747-6 (diT/dt)cr 300 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 2000 V/µs
critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter H

Charakteristische Werte / characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = Tvj max , iT = 1000A vT typ. 2,55 V
on-state voltage Max. 2,65 V
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) typ. 1,25 V
threshold voltage max. 1,3 V
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT typ. 1,3 mΩ
slope resistance Max. 1,35 mΩ
Durchlaßkennlinie 100A  iF  1200A Tvj = Tvj max typ. A -0,0927
on-state characteristic B 0,000967
C 0,1815
D 0,01334
v T  A  B  i T  C  Ln ( i T  1)  D  iT max. A -0,0921
B 0,001
C 0,1841
D 0,0149
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max. 350 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max. 2,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max , vD = 12 V IGD max. 20 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM max. 10 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,4 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω IL max. 3 A
latching current iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 200 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 60747-6 tgd max. 2 µs
gate controlled delay time Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq typ. 600 µs
circuit commutated turn-off time ThermischevdvEigenschaften
= 100 V, v = 0,67 V
RM DM
/dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs
D T
DRM

Sperrverzögerungsladung
Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften
T =T vj
/ 4 letter O
vj max
th

Qr max. 7,2 mAs

recovered charge iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Rückstromspitze Tvj = Tvj max IRM max. 210 A
peak reverse recovery current iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, θ = 180°sin max. 18,5 K/kW
beidseitig / two-sided, DC max. 17,0 K/kW
Anode / anode, DC max. 30,5 K/kW
Kathode / cathode, DC max. 38,5 K/kW

Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCH

beidseitig / two-sided max. 5,0 K/kW
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sided max. 10,0 K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C
maximum junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40...+150 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see annex page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft F 15...24 kN
clamping force
Steueranschlüsse DIN 46244 Gate A 2,8x0,8
control terminals Kathode /Cathode A 4,8x0,8
Gewicht G typ. 550 g
weight
Kriechstrecke 25 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s²
vibration resistance

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N

Maßbild

1: Anode/anode
4 5
2: Kathode/cathode
1 2
4: Gate

5: Hilfskathode/
cathode (control terminal)

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC /

Durchlasskennlinie
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [K/kW] 8,48 2,43 3,04 2,72 0,33

beidseitig
two-sided
τn [s] 0,676 0,132 0,062 0,0134 0,0019

Rthn [K/kW] 19,2 2,3 2,8 3,66 2,54

anodenseitig
anode-sided
τn [s] 4,13 0,4 0,154 0,0607 0,0101

Rthn [K/kW] 28,1 1,06 4,87 2,37 2,1

kathodenseitig
cathode-sided
τn [s] 4,13 0,45 0,126 0,0374 0,0091

nmax


-t
Analytische Funktion / analytical function: Z thJC  R thn 1  e n

n=1

45

40

ci
35

30
ai
Zth JC [K/kW]

25

20

bi 15

10

0
0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC

a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling

b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling

c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N
1400

Durchlassverluste

1200

1000

typ. max.

800
iT [A]

600

400

200

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
vT [V]

Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT)

Tvj = Tvj max

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N
30

20 Steuerkennlinie

10

c
5 b

-40 C

2
vG [V]

+ 25 C

+125 C

1
Zündverzug

0,5

0,2

20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000

iG [mA]

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V /

gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation P GM = f (tg) :

a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N
14

12

10

8
Qr [mAs]

0
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs]

Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N
600

500

400
IRM [A]

300

200

100

0
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs]

Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)

Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T501N
14

12

10

8
IT(OV)M [kA]

0-50V

6
0,33 VRRM

0,67 VRRM

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax

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Phase Control Thyristor T501N

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