Technische Information /

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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module DD540N

Key Parameters
VDRM / VRRM 2000 V - 2600 V
IFAVM 540 A (TC=100 °C)
IFSM 16500 A
VT0 0,78 V
rT 0,31 mΩ
RthJC 0,078 K/W
Base plate 60 mm
Weight 1500 g

For type designation please refer to actual

short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale Features
 Druckkontakt-Technologie für hohe  Pressure contact technology for high reliability
Zuverlässigkeit
 Advanced Medium Power Technology (AMPT)  Advanced Medium Power Technology (AMPT)
 Industrie-Standard-Gehäuse  Industrial standard package
 Elektrisch isolierte Bodenplatte  Electrically insulated base plate

Typische Anwendungen Typical Applications

 Gleichrichter für Antriebsapplikationen  Rectifier for drives applications
 Gleichrichter für UPS  Rectifiers for UBS
 Batterieladegleichrichter  Battery chargers

1 2 3
content of customer DMX code DMX code DMX code
digit digit quantity
serial number 1..5 5
SAP material number 6..12 7
Internal production order number 13..20 8
datecode (production year) 21..22 2
datecode (production week) 23..24 2
www.ifbip.com
[email protected]

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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module DD540N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VRRM 2000 2200 V
repetitive peak reverse voltages 2400 2600 V

Stoßspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 2100 2300 V

non-repetitive peak reverse voltage 2500 2700 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert IFRMSM 900 A

maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 100°C IFAVM 540 A
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tP = 10ms IFSM 16500 A
surge current Tvj = Tvj max, tP = 10ms 14000 A

Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tP = 10ms I²t 1360000 A²s

I²t-value Tvj = Tvj max, tP = 10ms 980000 A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = Tvj max , iF = 1700A vF max. 1,48 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,78 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT max. 0,31 mΩ
slope resistance
Sperrstrom Tvj = Tvj max , vR = VRRM iR max. 40 mA
reverse current
Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1 sec VISOL 3,6 kV
insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1 min 3,0 kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC max. 0,039 K/W
thermal resistance, junction to case pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin max. 0,078 K/W
pro Modul / per Module, DC max. 0,0373 K/W
pro Zweig / per arm, DC max. 0,0745 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per Module RthCH max. 0,01 K/W
thermal resistance, case to heatsink pro Zweig / per arm max. 0,02 K/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 150 °C

maximum junction temperature
Betriebstemperatur Tc op - 40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg - 40...+150 °C
storage temperature

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Rectifier Diode Module DD540N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see annex page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN 61140) AlN
internal insulation Basic insulation (class 1, IEC 61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse Toleranz ±15% M1 6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz ±10% M2 12 Nm
terminal connection torque
Gewicht G typ. 1500 g
weight
Kriechstrecke 19 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
file-No. E 83335

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Höhe der Bodenplatte /

X 8,5mm 8,5mm 10mm 10mm
Height of Baseplate
Periodische Spitzensperrspannung /
repetitive peak reverse voltages VRRM 2000V 2200V 2400V 2600V

1 2 3

DD

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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [K/W] 0,0267 0,0254 0,01465 0,00584 0,00194

τn [s] 3 0,57 0,108 0,00824 0,000732

n max


–t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC  R thn 1 - e n
n=1

0,08

0,07

0,06
Z thJC [°K/W]

0,05

0,04

0,03

0,02

0,01

0,00
0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t)

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin

Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

ΔZth Θ rec
0,00605 0,00996 0,01306 0,01824 0,02897
[K/W]

ΔZth Θ sin
0,00327 0,00555 0,00986 0,01529 0,02699
[K/W]

Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec

Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin

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1200

DC
1000

800 180 rec

PFAV [W]

180 sin
120 rec
600 Θ = 60 rec

400

200

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
IFAV [A]

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

160

140

120

100
TC [°C]

80

60
180 sin
40
Θ = 60 rec 120 rec 180 rec DC
20
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
IFAVM [A]

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(IFAVM)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV
Calculation base PTAV
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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3500
B2 ID
R thCA [K/W]
P tot [W]

0,001
+
3000 0,005 R-Last

0,010 ~
L-Last
2500
0,015
0,020 -
2000
0,030

0,040
1500
0,060

1000 0,100

0,150
500
0,300
0,600
0
0 20 40 60 80 100 120 140 0 200 400 600 800 1000 1200 1400
T A [°C] ID [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D

B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R thCA

4500
0,012 B6 ID
0,016 R thCA [K/W]
P tot [W]

+
4000
0,020
3~
3500
0,025
-
3000 0,030

2500
0,040

2000 0,050
0,060
1500 0,075

0,100
1000
0,150

500 0,250
0,500
0
0 20 40 60 80 100 120 140 0 600 1200 1800
0,50 T A [°C] ID [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA

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10000
Qr [µAs]

iFM =
1600A
800A
400A
200A
100A
50A

1000
1 10 -di/dt [A/µs] 100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM

12.000

a
10.000
TA = 45 C
IF(OV)M [A]

8.000
b

6.000

TA = 35 C
4.000

2.000

0
0,01 0,1 1
t [s]

Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (160W)

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- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.

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