用途：
主要用于各大高校、硅材料实验室、及微电子专业对半导体6寸及以下硅片的高温扩散、氧化（湿氧）、退火、烧结合金工艺的教学和实验工作。
1.1、工作温度：400-1300℃
1.2、恒温区长度及精度： 300mm /±0.5℃（可选）
1.3、炉管数：一、二、三、四管（可选）
1.4、适应硅片尺寸： 6寸及向下兼容
1.5、送取片方式：自动或手动（可选）
高校、硅材料实验室、微电子专业高温氧化炉
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详细信息
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