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ã‚ヤノンã€1å„„2000ä¸‡ç”»ç´ CMOSセンサー開発　APS-Hサイズ
ã‚ヤノンã¯8月24æ—¥ã€APS-Hサイズã§ä¸–界最高ã¨ãªã‚‹ç´„1å„„2000ä¸‡ç”»ç´ ã®CMOSセンサーを開発ã™ã‚‹ã“ã¨ã«æˆåŠŸã—ãŸã¨ç™ºè¡¨ã—ãŸã€‚ ç¾åœ¨è£½å“化ã—ã¦ã„ã‚‹åŒã‚µã‚¤ã‚ºã®æœ€é«˜ç”»ç´ 数（約1610ä¸‡ç”»ç´ ï¼‰ã®7.5å€ã¨ãªã‚Šã€è§£åƒåº¦ã¯2.4å€ã«å‘上ã™ã‚‹ã€‚èªã¿å‡ºã—回路ã®ã‚¿ã‚¤ãƒŸãƒ³ã‚°åˆ¶å¾¡ã‚’工夫ã™ã‚‹ãªã©ã—ã€ç§’間最高約9.5コマã§å‡ºåŠ›ã§ãã‚‹ã¨ã„ã†ã€‚ フルHD動画出力もå¯èƒ½ã§ã€ã‚»ãƒ³ã‚µãƒ¼ç”»é¢å…¨ä½“ã®ç´„60分ã®1ã®ä»»æ„ã®é ˜åŸŸã‚’フルHDå‹•ç”»ã§å‡ºåŠ›ã™ã‚‹ã“ã¨ãŒã§ãã‚‹ã¨ã„ã†ã€‚広ã„範囲をé™æ¢ç”»ã§ç¢ºèªã—ã€ä»»æ„ã®é ˜åŸŸã‚’フルHDå‹•ç”»ã§è¦‹ã‚‹ã¨ã„ã£ãŸã“ã¨ãŒå¯èƒ½ã«ãªã‚‹ã¨ã—ã¦ã„る。 åŒç¤¾ãŒè£½å“化ã—ã¦ã„ã‚‹æœ€é«˜ç”»ç´ ã®ã‚»ãƒ³ã‚µãƒ¼ã¯ã€35ミリフルサイズã®ç´„2110ä¸‡ç”»ç´ ã€‚ã€ŒEOS-1Ds Mark IIIã€ã¨ã€ŒEOS 5D Mark IIã€ã«æ載ã—ã¦ã„る。
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ã‚ヤノンã¯ã€æ’®å½±ãƒ¬ãƒ³ã‚ºã®å射光を抑ãˆã‚‹ç‰¹æ®Šã‚³ãƒ¼ãƒ†ã‚£ãƒ³ã‚°ã€ŒSWCã€ï¼ˆSubwavelength Structure Coating）を開発ã—ã€12月ä¸æ—¬ã«ç™ºå£²ã™ã‚‹ã€ŒEF24mm F1.4L II USMã€ã«æŽ¡ç”¨ã™ã‚‹ã€‚薄膜をレンズ表é¢ã«ã‚³ãƒ¼ãƒ†ã‚£ãƒ³ã‚°ã—ã¦ããŸå¾“æ¥æ–¹å¼ã¨ç•°ãªã‚Šã€ãƒŠãƒŽã‚µã‚¤ã‚ºã®ãã•ã³çŠ¶ã®æ§‹é€ 物を無数ã«ä¸¦ã¹ã‚‹ã‚‚ã®ã§ã€ç‰¹ã«åºƒè§’レンズã§å‘¨è¾ºéƒ¨ã§ã®ãƒ•ãƒ¬ã‚¢ã‚„ゴーストを抑ãˆã‚‰ã‚Œã‚‹ã¨ã„ã†ã€‚ レンズé¢ã§ã®å…‰ã®åå°„ã¯ã€ç©ºæ°—ã¨ã‚¬ãƒ©ã‚¹ã®å¢ƒç•Œé¢ã§å…‰ã®å±ˆæŠ˜çŽ‡ãŒå¤§ããç•°ãªã‚‹ã®ãŒåŽŸå› ã§èµ·ãã€ãƒ•ãƒ¬ã‚¢ã‚„ゴーストã®åŽŸå› ã«ãªã‚‹ã€‚従æ¥ã®ãƒ¬ãƒ³ã‚ºã‚³ãƒ¼ãƒ†ã‚£ãƒ³ã‚°ã¯ã€ãƒ¬ãƒ³ã‚ºè¡¨é¢ã«è–„膜ãªã©ã‚’コーティングã—ã€å¹²æ¸‰ä½œç”¨ã‚’利用ã—ã¦å射光を抑ãˆã¦ããŸã€‚ã ãŒå…‰ã®å…¥å°„角ãªã©ã«ã‚ˆã£ã¦ã¯ãƒ•ãƒ¬ã‚¢ãƒ»ã‚´ãƒ¼ã‚¹ãƒˆã‚’防æ¢ã§ããªã„ã“ã¨ã‚‚ã‚る。 新コーティング「SWCã€ã¯ã€å¯è¦–å…‰ã®æ³¢é•·ï¼ˆ350ナノ～750ナノメートル）よりå°ã•ã„サイズã®ãã•ã³ã‚’ç„¡æ•°ã«ãƒ¬ãƒ³ã‚ºè¡¨é¢ã«ä¸¦ã¹ã‚‹
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ã‚ヤノンã€ä¸–界最大202×205mmã®è¶…高感度CMOSセンサーを開発　
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